二氧化硅与硅界面及其对能带轮廓及MOSFET栅遂穿电流影响的理论研究

利用第一原理对双键及桥氧两种二氧化硅与硅界面模型进行了理论研究。结果表明双键模型的界面转变区宽度较大。这种差别会导致MOSFET栅漏电的不同。遂穿电流的计算表明界面双键模型结构有较大的栅漏电。     

超导体MgB2的高温电阻率及热重-差热分析

利用Mg扩散法制备出单相多晶的MgB2 超导体 ,其超导转变的零电阻温度为 3 8 4K左右 ,转变宽度小于 1K。正常态电阻率温度关系为金属型 ,在 2 70K -4 5 0K的高温范围内电阻率与温度成很好的线性关系。差热和热重分析表明在空气气氛中MgB2 在 90 0℃左右开始急剧氧化。     

脉冲激光沉积技术制备的薄膜传感器的研究

基于脉冲激光沉积（PLD）技术在光寻址电位传感器（LAPS）表面上制备了FeGeSbSe硫系玻璃薄膜，合成的靶材成分为Fe1.2(Ge28Sb12Se60)98.8，在Si/SiO2基质上的金属层为Cr/Au，硫系玻璃薄膜对Fe3＋敏感，显示了良好的重复性和稳定性.在1×10－5～1×10－2 mol/L呈现线性，斜率为(56±2) mV/decade，检测下限为5×10－6 mol/L，当浓度高于1×10－4 mol/L时，响应时间不超过40 s；当低于此浓度时，响应时间不超过2 min.     

高温超导体Bi2Sr2CaCu2O8+δ的能斯特效应

系统地测量了略过掺杂的高温超导体Bi2Sr2CaCu2O8 δ单晶的电阻率、霍尔效应和能斯特(Nernst)效应,发现磁通涡旋运动产生的能斯特信号从超导临界温度(Tc=83 K)一直延续到远高于Tc的某一温度(T0=105K).从正常态电阻率温度关系偏离线性点确定的赝能隙打开的特征温度(T*)为120 K,但从磁阻和霍尔效应确定的超导涨落起始点约为105 K,与类磁通激发的能斯特信号的起始温度点T0相吻合.这些结果表明:在略过掺杂的高温超导体中Tc以上温区存在的能斯特信号可能是超导涨落所导致的,与欠掺杂的高温超导体中的情况不同.     

基于第一性原理研究S替代对CdS_xSe_(1-x)的晶体结构和电子结构的影响

基于第一性原理,采用平面波赝势方法,计算并分析了CdSxSe1-x的晶体结构和电子结构及不同含量的S含量对CdSxSe1-x合金体系性质的影响。计算结果表明,由S部分或全部取代Se后,所形成CdSxSe1-x三元合金晶体的晶格常数随着S含量的增加呈线性减小趋势,除S和Se的比例为1∶1外,其他比例的合金晶体所属晶系没有变化,禁带宽度随着S含量的增加逐渐增加;随着S含量的增加,态密度的峰值逐渐向高能量方向偏移;通过对S替代后体系的差分电荷密度分析发现,S元素的替代后,整个体系的电荷进行了重新分布。     

Theoretical study of the SiO2/Si interface and its effect on energy band profile and MOSFET gate tunneling current

Two SiO_2/Si interface structures,which are described by the double bonded model(DBM) and the bridge oxygen model(BOM),have been theoretically studied via first-principle calculations.First-principle simulations demonstrate that the width of the transition region for the interface structure described by DBM is larger than that for the interface structure described by BOM.Such a difference will result in a difference in the gate leakage current. Tunneling current calculation demonstrates that the SiO_2/Si...     

基于第一性原理研究S替代对CdSxSe1-x的晶体结构和电子结构的影响

基于第一性原理,采用平面波赝势方法,计算并分析了CdSxSe1-x的晶体结构和电子结构及不同含量的S含量对CdSxSe1-x合金体系性质的影响。计算结果表明,由S部分或全部取代Se后,所形成CdSxSe1-x三元合金晶体的晶格常数随着S含量的增加呈线性减小趋势,除S和Se的比例为1∶1外,其他比例的合金晶体所属晶系没有变化,禁带宽度随着S含量的增加逐渐增加;随着S含量的增加,态密度的峰值逐渐向高能量方向偏移;通过对S替代后体系的差分电荷密度分析发现,S元素的替代后,整个体系的电荷进行了重新分布。