灵敏辐射变色薄膜γ射线辐照研究

研制一种在低剂量射线辐照下能产生明显颜色变化的灵敏辐射变色薄膜,经γ射线辐照后,由粉红色变为蓝色,在5-50 Gy辐照剂量内,其主吸收峰的吸光度与吸收剂量成良好线性关系.该薄膜体系中的协同剂有明显增敏效果,调整协同剂浓度来调节变色膜的响应区间及响应灵敏度.此辐射变色薄膜有良好的批内均匀性(与平均值偏差<3%)和较好的批间均匀性(与平均值偏差<5%),可作为辐射变色薄膜剂量计探测γ射线吸收剂量.     

α-Al_2O_3-Si界面电子结构的研究

本文用DV-SCC-X_a方法计算了α-Al_2O_3晶体及Si界面的电子结构,给出了对真实界面的模拟计算方法,讨论了界面模型和计算结果,得出了与实验相符的Al_2O_3-Si界面的定量结果,如电导率、能隙、态密度等.     

高压低温制备硅材料的性能研究

研究了用高压低温法制备的硅材料的性能。进行了不同的温度条件下制备陶瓷硅材料的实验研究．获得了最佳的制备条件。用XRD分析了材料的物相；阿基米德法测量了制备材料的密度；对材料的电阻率和硬度进行了测量。结果表明：用高压低温方法可以制备出无氧化相存在的陶瓷硅材料，其最佳的烧结温度为600℃；样品具有较好的机械强度和硬度，获得了适于制备多晶硅薄膜的衬底材料。     

60/102/204混合细胞自动机的可逆性分析

细胞自动机的理论研究主要包括细胞自动机的分析和综合两个方面,而细胞自动机的可逆性分析则是细胞自动机分析中的核心问题。60/102/204混合细胞自动机作为一类重要的细胞自动机,利用矩阵分析方法将其状态转移表示为矩阵方程,从而分析其可逆性、可逆细胞自动机的数目和可逆细胞自动机的构造。60/102/204混合细胞自动机可逆性分析对于其在密码学、通信和测试等领域的应用具有重要意义。     

高剂量Ge离子注入直接形成nc-Ge的研究

报道了分别采用剂量为1e1 6 ,1e1 7,5e 1 7和1e1 8cm- 2的高剂量Ge离子注入,不需退火即可在Si O2中直接形成Ge纳米晶的新现象.采用掠入射X射线衍射和激光喇曼谱等实验手段对样品进行了物相分析.结果表明,高剂量Ge离子注入可在SiO2 薄膜中直接形成Ge纳米晶(nc- Ge) ;非晶态Ge向晶态Ge发生相变的阈值剂量约为1e1 7cm- 2 ,离子注入直接形成的nc- Ge内部具有较大压应力,随着注入剂量的提高,nc- Ge的尺寸和含量均有提高.对纳米晶形成机理的研究认为,在Ge离子注入剂量达到阈值,此时膜中Ge非晶态团簇浓度达到饱和甚至过饱和,新入射的     

用AlNH_4（SO_4）_2·12H_2O及MgSO_4·7H_2O制备镁铝

以ＡＩＮＨ＿４（ＳＯ＿４）＿２·１２Ｈ＿２Ｏ和ＭｇＳＯ＿４·７Ｈ＿２Ｏ为原料，用焙烧法制得ＭｇＡｌ＿２Ｏ＿４尖晶石微粉。用ＸＲＤ，ＳＥＭ，ＴＧ／ＤＴＡ等手段分析了实验结果，表明该粉纯度高，分散性好，颗粒细小均匀。用该超微粉制得了光学质量完好的尖晶石单晶体。同时研究了反应过程中的相变情况及保温过程工艺参数与相成份、晶形变化的相互关系。     

Mn：MgAl2O4单晶体的生长及光谱特性研究

用改进的焰熔装置培育了Ｍｎ：ＭｇＡｌ２Ｏ４尖晶石单晶体，运用扫描电镜，ｘ射线衍射，分光光度计分析测试了Ｍｎ：ＭｇＡｌ２Ｏ４的晶体质量，理化特性，光谱特性。结果表明：掺锰尖晶石是很有希望的绿光波段激光材料。同时赋色良好的晶体也是优秀的人造饰品材料。     

GaAs光电导探测器

研究了一种双微带结构的GaAs光电导探测器的性能,测量了本征GaAs探测器和经过1．6MeV电子辐照的探测器的x脉冲响应,并对其响应时间,后沿下降时间,半高宽（FWHM）进行对比研究,结果显示经电子辐照后的探测器的性能得到了明显的提高。     

用大角度伴随粒子法测量聚变中子产额及其校对实验

描述了用大角度（178.2°）伴随α粒子方法测量绝对D-T 聚变中子产额及其校对实验。为此,设计和加工了一套三叉管校对靶室,α粒子探测器分别置于与D∧ 束成90°、135°和178.2°的方向上,测量和比较了三个方向的α粒子谱和绝对中子产额。分析了实验误差来源,并对实验结果进行了讨论。     

双束质子辐照降低快速晶闸管通态压降的研究

在分析晶闸管通态压降产生的机理的基础上, 从协调开关时间与通态压降关系入手提出了采用双束质子辐照晶闸管。对ＫＫ２００Ａ 半成品晶闸管进行能量３．５ＭｅＶ 和５．０ＭｅＶ 注量为２．５×１０１１ｐ／ｃｍ ２ 的单束质子辐照晶闸管所得的晶闸管的电学参数与先用５．０ＭｅＶ 后用３．５ＭｅＶ 能量注量都为２．５×１０１１ｐ／ｃｍ ２ 的双束质子辐照的晶闸管所得的电学参数进行了对比, 发现双束质子辐照不仅能有效地缩短晶闸管的开关时间, 而且在降低快速晶闸管的通态压降方面比单束质子辐照的晶闸管优越