| 双束质子辐照降低快速晶闸管通态压降的研究 |
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| 引用本文： | 何维,林理彬,朱佳政,卢勇,陈军.双束质子辐照降低快速晶闸管通态压降的研究[J].半导体技术,1999(6). |
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| 作者姓名： | 何维 林理彬 朱佳政 卢勇 陈军 |
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| 作者单位： | 1. 四川大学物理系,教育部"辐射物理及技术"开放实验室,成都,610064
2. 中国原子能科学研究院核物理研究所,北京,102413 |
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| 摘 要： | 在分析晶闸管通态压降产生的机理的基础上， 从协调开关时间与通态压降关系入手提出了采用双束质子辐照晶闸管。对ＫＫ２００Ａ 半成品晶闸管进行能量３．５ＭｅＶ 和５．０ＭｅＶ 注量为２．５×１０１１ｐ／ｃｍ ２ 的单束质子辐照晶闸管所得的晶闸管的电学参数与先用５．０ＭｅＶ 后用３．５ＭｅＶ 能量注量都为２．５×１０１１ｐ／ｃｍ ２ 的双束质子辐照的晶闸管所得的电学参数进行了对比， 发现双束质子辐照不仅能有效地缩短晶闸管的开关时间， 而且在降低快速晶闸管的通态压降方面比单束质子辐照的晶闸管优越
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| 关 键 词： | 晶闸管 双束质子辐照 通态压降 开关时间 |
Research of Dual Energy Proton Irradiation to Reduce Thyristors Voltage Drop in the On-State |
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| He Wei,Lin Libin,Zhu Jiazheng,Lu Yong,Chen Jun.Research of Dual Energy Proton Irradiation to Reduce Thyristors Voltage Drop in the On-State[J].Semiconductor Technology,1999(6). |
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| Authors: | He Wei Lin Libin Zhu Jiazheng Lu Yong Chen Jun |
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| Keywords: | Thyristor Dual proton On-state voltage drop Switching fime |
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