Al-C-Ni组分的变化对Al-C-Ni与ITO层接触电阻的影响

为克服大尺寸显示面板中反应时间的延迟问题,采用低阻栅线是十分有益的,同样在小尺寸面板上也存在这种相互匹配的过程。然而,由于Al较高的氧化速度,铝合金和ITO材料接触性能并不太好。文章介绍了在室温ITO沉积过程中,通过增加ACX(Al-C-Ni)中Ni含量来减少ACX-ITO接触电阻。经室温ITO沉积后,接触电阻成功地减少到300Ω,而且没有ACX引起的问题出现。     

利用CF4等离子体制作高开口率TFT-LCD

为了获得高的开口率,有必要优化设计参数和工艺容差。通常的过孔刻蚀工艺采用SF6基气体进行刻蚀,但是这种方法在金属和钝化层之间的选择性太小,因此,必须增加过孔的尺寸才行。为了克服上述问题,在本研究中用CF4气体代替SF6气体进行刻蚀,结果在FFS 5 .16(2 .03 in)像素结构中,开口率提高了60 %。     

获得精细通孔图形的光刻技术改进

为了获得更高性能的TFT-LCD面板,在光刻时保证精细的图形成像十分重要,其中,如何制作出尺寸更小的通孔图形是主要的问题之一。本文提供的研究中,我们只简单地改变了一下烘烤工艺,而不需要改变Eop和显影时间,就可以将通孔图形的尺寸减小20 %~25 %。在后续的刻蚀工艺中,通孔的尺寸能显著减小。     

利用等离子增强化学汽相沉积生长初期快速结晶的纳米晶硅

成功地利用传统的等离子增强化学汽相沉积技术制备了纳米晶硅。为了提高生长初期的结晶速度,在PECVD设备和干法刻蚀设备中,利用H2/SF6等离子体对Si Nx薄膜表面进行处理。在制备纳米/微米晶粒结晶硅时常用的氢气稀释条件下,沉积得到了纳米晶硅。利用XRD和TEM观察了氢化纳米晶硅(nc-Si∶H)的微结构,发现实验成功得到了小于10 nm的晶体硅。为了检测结构和电学特性,测试了纳米晶硅薄膜的亮态和暗态电导率。室温下,电导率从非晶硅的10-10S/cm增加到10-5S/cm。     

用Al或Mo/Al/Mo低阻材料改善4-Mask工艺中Al腐蚀的方法

为了减少制造工艺的过程,改进的4-Mask工艺中采用Al基的数据线已得到进一步的完善。但这个工艺仍存在很多问题,主要是为减少工艺过程,而引入干法刻蚀对Al有腐蚀作用。本文应用CF4/O2等离子体处理,很好地阻止了对Al的腐蚀,得到很好的效果,对改进后4-Mask工艺的进一步应用具有非常重要的意义。