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线形同轴耦合式微波等离子体CVD法是在硬质合金微型钻头(微钻)表面沉积金刚石涂层的最佳方法之一.本文首先研究了酸碱两步预处理后微钻表面的形貌和成分,然后研究了微钻工作表面金刚石的沉积情况,最后重点研究了正偏压对微钻不同位置金刚石生长的影响.结果表明,在微钻上施加50 V正偏压时,金刚石薄膜具有最佳的形貌和较好的均匀性. 相似文献
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CVD(化学气相沉积)金刚石大单晶生长是CVD金刚石膜研究领域在过去十余年中所取得的重大技术进展之一,在一系列高新技术领域有极其重要的应用前景。针对CVD金刚石大单晶的制备和应用进行了综述。首先对CVD金刚石大单晶生长技术进行了概括性的描述,然后对CVD金刚石单晶制备方法进行详细介绍和评述。并对CVD大单晶在高性能辐射(粒子)探测器、金刚石高温半导体器件、高压物理试验、超精密加工以及在首饰钻戒等方面的应用现状与前景进行了介绍与评述。最后针对CVD高仿钻戒与天然钻戒的鉴别进行了评述,并提出了新的建议。 相似文献
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脉冲偏压下沉积的立方氮化硼膜的断面结构研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用自行研制的磁增强活性反应离子镀系统 ,在脉冲偏压条件下成功地合成了高品质立方氮化硼 (c BN)薄膜。用傅立叶变换红外谱 (FTIR)分析沉积膜的相结构 ,用透射电镜 (TEM)及高分辨率透射电镜 (HRTEM)分析膜的断面结构。FTIR结果表明 :c BN的纯度强烈地受基片负偏压的影响 ,当基片负偏压为 15 5V ,c BN膜的纯度高达 90 %以上。TEM及HRTEM对膜的断面结构分析表明 ,在膜与基片的界面处存在很薄的非晶氮化硼和六方氮化硼 (h BN)层 ,h BN(0 0 0 2 )晶面垂直于基片表面 ,在界面层之上生长着单相c BN层 相似文献
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金刚石膜涂层硬质合金工具研究进展(下) 总被引:4,自引:0,他引:4
金刚石膜涂层硬质合金工具切削性能。图7所示为我们采用渗硼预处理平HCEDCA技术沉积的金刚石膜涂层YG6硬质合金铣刀在切削A1-12%Si合金时与未涂层硬质台金刀片切削寿命(fw=0.25mm)的对比,可见金刚石膜涂层工具的切削寿命提高在20倍以上。在实际切削叫金刚石膜涂层刀具采用于切削,而未涂层刀具由于切削瘤浦刀太严重,因此在切削时采用了润滑剂。 相似文献
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采用微波等离子体化学气相沉积的方法,以H2和八甲基环四硅氧烷(D4)为原料,在H2(Ⅱ):H2(Ⅰ,为带动D4的载气)的流量比23:l,P=5332.88Pa,Ts=850℃左右的工艺条件下,制备了含有金刚石及一定量SiO2和SiC的复相薄膜。初步的实验结果表明,金刚石相可在该复相薄膜上继续生长,进而形成高质量的金刚石薄膜。同时,与在Al2O3衬底上直接沉积的金刚石涂层相比,采用上述复相薄膜作为过渡层可明显地提高金刚石涂层对于Al2O3陶瓷衬底的附着力。 相似文献
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真空渗硼预处理在CVD金刚石-硬质合金涂层工具中的应用 总被引:4,自引:0,他引:4
采用固体粉末真空渗硼工艺,研究了硬质合金工具表面真空渗硼预处理对金刚石涂层附着力的影响,研究结果表明,硬质合金工具通过固定粉末真空渗硼处理,表面生成具有较高稳定性的以CoWB、CoB为主的渗层,经过长时间的金刚石涂层后,硬质合金工具表面出现Co3B和W2Co21B6相,没有单质Co相出现,克服了金刚石沉积中硬质合金表面钴的不利影响,使标志金刚石涂层附着力的压痕测试的临界载荷达到了1500N,并且有着较好的重现性。 相似文献
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微/纳米复合多层金刚石自支撑膜的制备及应力研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用大功率DC Arc Plasma Jet CVD装置,采用Ar-H2-CH4混合气体为气源,通过优化工艺参数,在多晶钼衬底上制备出了多层复合金刚石自支撑膜.利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、激光拉曼谱(Raman)对膜体进行表征,结果显示,多层膜体的组织结构体现了微米金刚石与纳米金刚石的典型特征;复合金刚石自支撑膜具有光滑的表面,微米层与纳米层间呈相互嵌套式的界面;此外,利用激光拉曼谱分析了多层膜中的内应力状态,研究发现,多层膜中各层膜体具有不同的内应力状态,内应力沿膜体生长方向有明显变化,呈现出从压应力到拉应力的变化过程. 相似文献