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介绍了数字PID参数通用整定方法--最优化法和工程整定方法,大部分是理论与实际相结合的经验总结,可供分散控制系统的调试人员和维护人员参考、借鉴。 相似文献
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采用微波等离子体化学气相沉积的方法,以H2和八甲基环四硅氧烷(D4)为原料,在H2(Ⅱ):H2(Ⅰ,为带动D4的载气)的流量比23:l,P=5332.88Pa,Ts=850℃左右的工艺条件下,制备了含有金刚石及一定量SiO2和SiC的复相薄膜。初步的实验结果表明,金刚石相可在该复相薄膜上继续生长,进而形成高质量的金刚石薄膜。同时,与在Al2O3衬底上直接沉积的金刚石涂层相比,采用上述复相薄膜作为过渡层可明显地提高金刚石涂层对于Al2O3陶瓷衬底的附着力。 相似文献
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微/纳米复合多层金刚石自支撑膜的制备及应力研究 总被引:1,自引:0,他引:1
利用大功率DC Arc Plasma Jet CVD装置,采用Ar-H2-CH4混合气体为气源,通过优化工艺参数,在多晶钼衬底上制备出了多层复合金刚石自支撑膜.利用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、激光拉曼谱(Raman)对膜体进行表征,结果显示,多层膜体的组织结构体现了微米金刚石与纳米金刚石的典型特征;复合金刚石自支撑膜具有光滑的表面,微米层与纳米层间呈相互嵌套式的界面;此外,利用激光拉曼谱分析了多层膜中的内应力状态,研究发现,多层膜中各层膜体具有不同的内应力状态,内应力沿膜体生长方向有明显变化,呈现出从压应力到拉应力的变化过程. 相似文献
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目的 研究在电子回旋共振等离子体辅助法生长GaN 时的离子密度对其质量的影响.方法 用朗缪尔探针测量离子密度,用X 射线双晶衍射及霍尔测量分析GaN的质量与性能. 结果离子密度越高,薄膜的质量与性能就越好. 当生长GaN 时的离子密度为2-0 ×1011 cm - 3 时,所得GaN 晶膜的氮镓量比接近于1 ,本底电子密度为3-7 ×1018 cm - 3 ,X 射线双晶衍射回摆曲线的半高宽为16 arcmin . 结论 提高离子密度能明显提高GaN 的质量与性能 相似文献
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从鲁南化肥厂几年来生产实际和技改经验出发,分析了水煤浆加压气化工艺在国产化进程中仪表优化配置的原因及过程,对这一新工艺在我国大,中,小氮肥厂具有一定的指导意义。 相似文献