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1.
真空渗硼预处理在CVD金刚石-硬质合金涂层工具中的应用   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用固体粉末真空渗硼工艺,研究了硬质合金工具表面真空渗硼预处理对金刚石涂层附着力的影响,研究结果表明,硬质合金工具通过固定粉末真空渗硼处理,表面生成具有较高稳定性的以CoWB、CoB为主的渗层,经过长时间的金刚石涂层后,硬质合金工具表面出现Co3B和W2Co21B6相,没有单质Co相出现,克服了金刚石沉积中硬质合金表面钴的不利影响,使标志金刚石涂层附着力的压痕测试的临界载荷达到了1500N,并且有着较好的重现性。  相似文献   
2.
硬质合金金刚石涂层工具基体前处理有效方法探讨   总被引:4,自引:0,他引:4  
利用两种溶液浸蚀硬质合金表面,分别选择性刻蚀WC和Co.这不仅强粗化了硬质合金表面,而且,还能抑制CO在金刚石沉积过程中的负作用,从,而,提高了金刚石薄膜的质量和涂层的附着力。  相似文献   
3.
脉冲偏压下沉积的立方氮化硼膜的断面结构研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用自行研制的磁增强活性反应离子镀系统 ,在脉冲偏压条件下成功地合成了高品质立方氮化硼 (c BN)薄膜。用傅立叶变换红外谱 (FTIR)分析沉积膜的相结构 ,用透射电镜 (TEM)及高分辨率透射电镜 (HRTEM)分析膜的断面结构。FTIR结果表明 :c BN的纯度强烈地受基片负偏压的影响 ,当基片负偏压为 15 5V ,c BN膜的纯度高达 90 %以上。TEM及HRTEM对膜的断面结构分析表明 ,在膜与基片的界面处存在很薄的非晶氮化硼和六方氮化硼 (h BN)层 ,h BN(0 0 0 2 )晶面垂直于基片表面 ,在界面层之上生长着单相c BN层  相似文献   
4.
CVD金刚石膜的抛光技术   总被引:2,自引:0,他引:2  
高的表面粗糙和厚度的不均匀性影响了CVD金而石膜的应用,而抛光可以减少这些缺点,近年来,发展了近多CVD金刚石膜的抛光技术,崦且不同的抛光技术都有其优缺点,本文总结了CVD金刚石膜的各种抛光技术及其特点,并提高出了一种新的抛光技术。  相似文献   
5.
利用三点弯曲测量CVD金刚石膜的断裂强度的方法 ,研究试样尺寸、抛光及加载方式对金刚石膜的断裂强度的影响。试样尺寸在一定范围内 ,试样大小、抛光与否对金刚石膜的断裂强度的影响不大 ;而 10mm× 2mm的试样对测量金刚石膜断裂强度具有意义。加载方式对金刚石膜的断裂强度影响较大 ,当金刚石膜形核面处于张应力时得到的断裂强度值要高于生长面处于张应力时得到的值 ,棱边加载方式得到断裂强度值处于两者之间 ,更具有代表性。  相似文献   
6.
采用自行研制的强电流直流伸展电弧等离子体CVD设备对真空渗硼预处理的YG6刀片进行了金刚石涂层沉积,并对放于有效沉积区域不同位置沉积出的金刚石涂层刀片以及刀片自身不同位置之表面涂层的形貌、厚度、质量进行了分析、研究。结果表明:(1)、硬质合金工具强电流直流伸展弧等离子体CVD金刚石涂层的组织、形貌、厚度、质量都是均匀一致的。(2)、利用强电流直流伸展电弧等离子体CVD设备可进行硬质合金金刚石涂层的批量沉积。  相似文献   
7.
铸铁-硬质合金复合铸造的机理   总被引:4,自引:0,他引:4  
张恒大  刘子安 《铸造》2000,49(6):334-335
介绍了铸铁—硬质合金的复合铸造试验。通过对过渡区的形貌结构和成分分析探讨了铸铁—硬质合金的复合机制。发现在复合过程中 ,由于界面作用和扩散反应及新相的产生 ,发生了铸件—硬质合金的冶金复合  相似文献   
8.
TC4钛合金轮圈热旋成形技术研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对TC4钛合金轮圈的结构特点,设计了钛合金轮圈热旋的模具结构,研究了TC4钛合金的热变形特性,分析了钛合金热旋翻边过程成形缺陷的产生原因,最终获得了钛合金轮圈的合理热旋工艺.研究表明,采用分瓣组合模具是成形钛合金车轮合理的模具结构方案,热旋工艺参数对钛合金轮圈的成形质量有显著的影响.TC4钛合金轮圈的适宜翻边温度为600~700℃,采用略小于坯料壁厚的间隙(小于坯料壁厚的10%左右)及较小的进给比(f≈0.1 mm/r)可有效防止翻边起皱和开裂.直边较短的轮圈采用直线轨迹可一道次翻边成形.  相似文献   
9.
脉冲偏压下沉积的立方氮化硼膜的断面结构研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用自行研制的磁增强活性反应离子镀系统,在脉冲偏压条件下成功地合成了高品质立方氮化硼(c-BN)薄膜。用傅立叶变换红外谱(FTIR)分析沉积膜的相结构,用透射电镜(TEM)及高分辨率透射电镜(HRTEM)分析膜的断面结构。FTIR结果表明:c-BN的纯度强烈地受基片负偏压 的影响,当基片负偏压为155V,c-BN膜的纯度高达90%以上,TEM及HRTEM对膜的断面结构分析表明,在膜与基片的界面处存在很薄的非晶氮化硼和六万氮化硼(h-BN)层,h-BN(0002)晶面垂直于基片段面,在界面层之上生长着单相c-BN层。  相似文献   
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