熔石英表面损伤修复点上气泡特征及控制方法的研究

损伤修复点上的气泡是诱导修复点在激光辐照下再次损伤的主要因素,研究了蒸发式和非蒸发式两种损伤修复方式在修复过程中产生的气泡的类型和特征。结果表明,无论哪种修复方式在修复过程中得到的气泡都可以分为球形和非规则椭形气泡两种类型,且气泡的类型与损伤点周围裂纹的形状和尺寸有极大关系。损伤考核结果表明,修复点的损伤阈值会随着气泡数量的增加而呈指数递减趋势变化。讨论了在修复过程中控制和消除气泡的方法和措施,给出优化的处理参数。     

甘油二酯的合成、代谢及应用研究进展

甘油二酯是油脂代谢的中间产物,是一种重要的功能油脂,也是国际公认安全的食品成分。根据脂肪酸酰基与甘油骨架上羟基连接位置不同,甘油二酯分为1,3-甘油二酯、1,2-甘油二酯和2,3-甘油二酯三种异构体,其中1,2-甘油二酯和2,3-甘油二酯互为同分异构体。目前国内外多项研究表明甘油二酯特别是1,3-甘油二酯具有抑制脂肪积累和降低血脂的功能。因此,甘油二酯已被广泛应用于医药、食品、化工等工业领域中,具有良好的商业价值。本文主要介绍了甘油二酯的代谢、合成、检测、应用现状及伴随产生的食用安全性,并讨论了甘油二酯未来的研究方向,以期为甘油二酯的进一步研究提供参考。     

预填充聚苯乙烯控制SiO_2/ZrO_2薄膜膜间渗透

提出预填充方式控制膜间渗透,采用聚苯乙烯(PS)对低折射率SiO2膜内孔隙进行预填充,镀第2层ZrO2后再于甲苯中洗脱,恢复孔隙率以实现膜间防渗透。采用椭偏仪、紫外-可见光分光光度计、原子力显微镜(AFM)和光学显微镜对薄膜进行表征,研究了预填充PS前后的溶胶-凝胶SiO2/ZrO2薄膜膜间渗透与激光辐照损伤。结果表明,单层SiO2填充PS后膜面均方根粗糙度由4.164 nm下降为1.983 nm,折射率由1.1474增加到1.358 3,在甲苯中浸泡15 min后可完全清除PS。PS填充后的SiO2/ZrO2双层膜清洗1 h后,可使填充了PS的SiO2层的平均折射率由1.36降为1.29(未填充区域为1.38),透光率峰值提高(1～2)%。利用Nd:YAG激光器(1.064μm,8.1 ns)对SiO2/ZrO2双层膜进行了损伤阈值的测试,结果表明经PS填充并清洗后损伤阈值降低了8 J/cm2,但两者损伤形貌均为熔融型。     

CO_2激光辐照对熔石英表面形貌与应力分布的影响

采用不同光斑直径的10.6μm CO2激光束对熔石英表面损伤进行辐照处理。实验发现,对于50μm以下的损伤点,单发激光脉冲辐照即可使得激光损伤阈值恢复到基底完好区域的水平,对于在50~300μm之间的损伤点,采用低功率较长时间辐照后逐渐增加功率修复的方式可以彻底消除材料内部更深的裂痕。对不同尺寸光斑辐照后的应力分布研究表明,激光束尺寸、激光功率和激光作用时间是影响材料体内应力分布的主要因素,相比较而言,激光尺寸对应力分布的影响更为明显。对前后表面损伤分析表明,当辐照区域置于入射面时,辐照带来的微小环状凸起会造成后表面环形调制损伤,是损伤的最薄弱环节,当辐照区域置于后表面时,烧蚀主要影响阈值的整体提升。     

型式试验条件对吸尘器谐波电流的影响

分析了IEC谐波电流标准给出的真空吸尘器谐波电流型式试验的测试条件,发现该条件对吸尘器谐波电流测试结果影响很大.阐述了型式试验条件对谐波电流测量影响的Fourier分析理论,并针对非连续可调吸尘器,以及对触发角无法达到90.附近的吸尘器测试谐波电流,给出了提高测试结果合理性的措施.根据使用两种不同测试流程对同一样品谐波电流测试结果的比较和分析,发现非常需要在谐波电流标准中对吸尘器工况控制给出与实际样品更为符合的操作流程.     

纳米TiO2与MMA电子辐射接枝

锐钛矿和金红石型纳米TiO2(A—TiO2和R—TiO2)分别与甲基丙烯酸甲酯(MMA)在空气中进行电子束共辐射接枝聚合，结果表明A—TiO2接枝率(10．5％)高于R—TiO2(6．1％)，被认为是由于A—TiO2具有较高的比表面积造成的。红外光谱测试结果表明，辐射后两种材料分别在1724cm^-1(A)和1725cm^-1(R)位置出现了一个羰基伸缩振动吸收峰。XPS分析进一步证实了羰基的存在。以上结果表明在纳米锐钛矿和金红石TiO2成功接枝上了MMA。     

退火时间对ZnO：Al薄膜性能的影Ω响

采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备了Al／Zn原子比为0．1％的ZnO：Al薄膜,在500℃的氩气中进行了1～5h不同时间退火处理,利用X射线衍射（XRD）、光致发光（PL）、透射光谱和四探针法研究了退火时间对薄膜性能的影响。结果显示,退火1h时,样品出现了C轴择优取向,深能级发射（DLE）提高,可见光区光学透过率约为80％,电阻率仅为4×10^-2Ω·cm。更长时间退火后,随着退火时间增加,薄膜结晶质量逐渐变差,电阻率逐渐增大。     

退火时间对ZnO:Al薄膜性能的影响

采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备了Al/Zn原子比为0.1%的ZnO:Al薄膜,在500℃的氩气中进行了1~5h不同时间退火处理,利用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)、透射光谱和四探针法研究了退火时间对薄膜性能的影响.结果显示,退火1h时,样品出现了c轴择优取向,深能级发射(DLE)提高,可见光区光学透过率约为80%,电阻率仅为4×10-2Ω·cm.更长时间退火后,随着退火时间增加,薄膜结晶质量逐渐变差,电阻率逐渐增大.     

熔石英亚表面缺陷的研究进展

介绍了熔石英亚表面缺陷(SSD)的深度分布与粒径的量化关系及表面粗糙度的量化,以及杂质引起热破坏、裂纹导致电场增强、缺陷导致机械性能弱化3种诱导熔石英损伤的机理.还介绍了氢氟酸(HF)刻蚀和激光预处理2种非常有效的控制熔石英亚表面缺陷的技术,并对熔石英亚表面缺陷研究现状、存在问题和发展趋势进行了简要的总结和展望.     

氨基酸对葡萄糖、半乳糖模型产生呋喃的影响

为研究氨基酸对葡萄糖和半乳糖模型产生呋喃的影响,通过向葡萄糖模型和半乳糖模型中加入不同含量的甘氨酸、丝氨酸、苏氨酸、谷氨酸,模拟密封罐装食品的灭菌条件（121 ℃条件下油浴30 min）,采用顶空气相色谱-质谱（headspace-gas chromatography-mass spectrometry,HS-GC-MS）法检测呋喃的含量。结果表明：低含量（≤5 mg）的甘氨酸、极低含量（1 mg）的丝氨酸、高含量（50 mg）的苏氨酸和谷氨酸的添加能够明显促进葡萄糖模型产生呋喃,而对于半乳糖模型,所有高含量（50 mg）氨基酸的添加都能够导致呋喃的大量产生。苏氨酸对葡萄糖模型产生呋喃的促进作用明显强于其余3 种氨基酸（P＜0.05）;对于半乳糖模型,甘氨酸、苏氨酸对其产生呋喃的促进作用最强,且它们之间无明显差异。