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退火时间对ZnO:Al薄膜性能的影Ω响
引用本文:袁兆林,祖小涛,薛书文,李绪平,向霞,王毕艺,田东彬,邓宏,毛飞燕.退火时间对ZnO:Al薄膜性能的影Ω响[J].半导体光电,2008,29(4).
作者姓名:袁兆林  祖小涛  薛书文  李绪平  向霞  王毕艺  田东彬  邓宏  毛飞燕
作者单位:[1]电子科技大学物理电子学院,四川成都610054 [2]中国科学院国际材料物理中心,辽宁沈阳110015 [3]电子科技大学微电子与固体电子学院,四川成都610054
摘    要:采用溶胶-凝胶法在石英玻璃衬底上制备了Al/Zn原子比为0.1%的ZnO:Al薄膜,在500℃的氩气中进行了1~5h不同时间退火处理,利用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)、透射光谱和四探针法研究了退火时间对薄膜性能的影响。结果显示,退火1h时,样品出现了C轴择优取向,深能级发射(DLE)提高,可见光区光学透过率约为80%,电阻率仅为4×10^-2Ω·cm。更长时间退火后,随着退火时间增加,薄膜结晶质量逐渐变差,电阻率逐渐增大。

关 键 词:溶胶-凝胶法  ZnO:Al薄膜  光致发光  退火时间  透过率
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