顶空-毛细管气相色谱法测定水中三卤甲烷

采用顶空 毛细管气相色谱法分析测定水中三卤甲烷（THM）,样品在50 ℃静态顶空条件下平衡40 min,经HP-5毛细管色谱柱进行分离,采用气相色谱-电子捕获检测器分析,外标法定量三氯甲烷、一溴二氯甲烷、二溴一氯甲烷、三溴甲烷,对THM的回收率为96.0％～98.3％,相对标准偏差为1.2％～2.0％,检出限为0.008～0.07 μg/L。所建立的方法简便、灵敏、准确,具有良好的精密度与准确度,可用于测定水中THM。     

一种用于高速高精度A/D转换器的时钟自举电路

设计了一种双电容结构时钟自举电路,分析了电路工作原理,用Cadence Spectre仿真器和0.35μm CMOS PDK进行电路前仿真和后仿真.仿真结果表明,设计的双电容结构时钟自举电路能使采样电路线性度达到110dB以上,该电路已用于16位A/D转换器的设计并流片.经测试,采用该结构的16位A/D转换器的SFDR为96.25dB(FS),信噪比为76.45dB(FS).     

装饰装修工程质量通病防治

建筑装饰装修应满足人们对舒适、美观、温馨、功能与个性等的要求。为保证建筑装饰装修工程质量。对以下质量通病提出防治措施。     

传统吉祥纹样在现代婚庆家纺中的应用

选择传统吉祥纹样作为研究对象,调查分析吉祥纹样在现代婚庆家纺中应用的现状,总结行业中存在的问题,提出解决办法,以推动传统文化的继承创新发展和现代婚庆纺织品行业的发展。     

国潮插画元素在潮牌服装设计中的应用

随着我国文化自信的进一步增强,近年来国潮风格逐渐崛起,中国的传统艺术以其深厚的文化底蕴与极其丰富的造型元素为服装设计提供了大量的灵感,并取得了显著的商业效果.文章通过探讨国潮插画元素与国潮品牌服装设计之间的联系,分析其关联性与设计方式,阐述国潮插画在服装设计中的应用现状,以促进国潮品牌的创新设计,为其提供理论依据,满足大众对服装个性化的市场需求.     

利用3S技术进行土壤侵蚀调查和动态监测

以河北省为例,就如何应用3S(RS、GIS、GPS)技术开展土壤侵蚀调查和动态监测进行了探讨,研究总结出了调查监测的程序和方法,建立了河北省各种侵蚀类型、侵蚀强度等级的影像判读解译标志,提出了调查监测的质量保证体系,并就调查监测过程中遇到的有关问题进行了讨论。     

探讨单侧下回风局部百级洁净区的影响因素

本文运用CFD技术以疫苗车间接毒无菌室为例,探讨了干扰采用FFU单侧下回风形式的局部百级洁净区流场的各种因素和影响程度,这对类似局部百级洁净区的优化设计具有较重要的理论意义与工程应用价值。     

庄海8Es-H5井钻井设计与施工

针对庄海8Es-H5井在钻井过程中遇到井眼净化困难、机械钻速低、泥岩段长遇水膨胀易缩颈、钻压传递困难以及大位移井的摩阻和扭矩等问题,介绍了该井部分顺利完钻的成功做法及相关关键技术。采用高效能钻井液和合理地运用倒划眼等措施可顺利解决井眼净化困难的问题。优选高效能钻头,选用与地层相配伍的钻头型号,可使全井段的机械钻速保持较高水平。在钻进过程中,坚持钻完每根立柱的划眼和循环钻井液,特别是机械钻速高、井眼尺寸大和岩屑产生量多的井段,可保证携砂要求及接立柱的安全。同时要加强净化设备的使用,严格控制钻井液含砂量和固相含量。加强钻井液的性能维护,提高携砂能力,充分清理井眼,防止沉砂,提高润滑性。     

盐穴储气库完井设计考虑因素及技术发展

盐穴储气库是我国重要的储气库类型,在我国南方地区具有广阔的建设空间,目前江苏省金坛市运行了国内第一座盐穴型储气库。上千万立方米天然气被高压储存在人工溶成的盐穴内,作为注(采)天然气唯一通道的注采井,其气密封性能是保证储气库安全运行的重要因素之一。为确保天然气的安全储存,根据国内盐穴储气库建设实际,吸收国外盐穴储气库的成熟设计理念,重点论述了在盐穴储气库完井阶段如何保证注采井的气密封性能,得出了盐穴注采井完井设计时需要考虑的重要因素,同时展望了盐穴储气库完井新技术,对今后国内盐穴储气库的完井设计具有指导作用。     

深亚微米MOS晶体管匹配特性总剂量辐照效应研究

Based on 0.18 μm MOS transistors, for the first time, the total dose effects on the matching properties of deep submicron MOS transistors are studied. The experimental results show that the total dose radiation magnifies the mismatch among identically designed MOS transistors. In our experiments, as the radiation total dose rises to 200 krad, the threshold voltage and drain current mismatch percentages of NMOS transistors increase from 0.55% and 1.4% before radiation to 17.4% and 13.5% after radiation, respectively. PMOS transistors seem to be resistant to radiation damage. For all the range of radiation total dose, the threshold voltage and drain current mismatch percentages of PMOS transistors keep under 0.5% and 2.72%, respectively.