论水电站坝顶门机轨道梁施工技术

本文主要论述了某水电站坝顶门机轨道梁的施工技术.在保证工程质量的前提下,优化施工技术方案,能够提前完成施工任务.文章通过对预应力混凝土梁的预制场地布置和安装措施分析研究,总结出了水电站坝顶门机轨道梁优越的施工技术.类似工程可参考借鉴.     

超超临界直流炉协调控制策略设计与应用

论文在分析超超临界机组控制特点及借鉴以往调试经验的基础上,设计一套较完善的协调控制策略,在某电厂 660 MW超超临界机组上得到应用.协调控制系统投运后运行稳定,在450 MW～660 MW之间进行负荷扰动试验,试验结果表明该协调系统的调节品质符合部颁标准,能够满足机组运行和电网的要求,为大型超超临界机组协调控制系统的设计及新建大型火电机组纳入电网AGC控制提供借鉴.     

PZT薄膜电滞回线测试的数值补偿研究

通过Sawyer-Tower测试电路研究了铁电薄膜的电滞回线,发现薄膜漏电阻以及示波器输入电阻和电容的影响可能会使所测量的电滞回线发生形状扭曲或者使测量结果出现较大偏差,通过数值补偿方法重建了电荷平衡方程,并编制了相应的软件补偿程序。通过对溶胶-凝胶制备的PZT铁电薄膜的电滞回线测试表明,运用该数值补偿方法可以有效补偿薄膜漏电阻以及示波器输入电阻和电容对测试结果的影响,满足PZT铁电薄膜制备技术以及微机电系统中器件设计对薄膜性能测试的要求。     

辐射力天平法测量相控阵超声换能器的声功率

超声换能器相控阵已用于聚焦超声治疗的研究和应用已有20多年历史,但其声功率P的测量仍缺乏方便有效简易的测量方法。文章旨在提出一种基于凸球面吸收靶的辐射力天平（Radiation Force Balance,RFB）方法,测量其声功率。理论推导了这种RFB在各种阵元组合下的比值r=P/cF（c为水中声速,F为阵的声束轴方向的总辐射力）。论述了测量各种组合的发射声功率的实施方法和测量程序。为实际的测量系统设计和应用建立了良好的工作基础。     

基于MATLAB Web Server的移动通信在线实验平台设计

采用MATLAB Web Server技术实现了移动通信系统所必须的差错控制、数字调制、扩频等技术的远程仿真实验模型。该系统可以让学生实现相互学习与交流,有助于学生掌握移动通信技术的实现原理和该课程的远程教学。     

802．11n技术历程和特点介绍

无线局域网技术是新世纪无线通信领域最有发展前景的技术之一。经过近几年的发展,无线局域技术已经日渐成熟,应用日趋广泛,较低的价格和成熟的产品推动着无线局域网技术从小范围应用进入主流应用。该文介绍了无线局域网技术的发展历程和各种无线网络的特点。着重介绍IEEE802．11n技术,包括IEEE802．11n发展现状、优点和应用发展前景。在今后的网络中,随着无线技术的不断发展,无线网络应用必将越来越广泛。     

CORS系统的技术特点及应用现状

阐述了连续运行卫星定位服务综合系统（CORS）的总体结构设计及其功能,从CORS系统的优势、建立CORS系统的必要性,以及CORS系统为测绘工作提供的便利等方面进行了论述,对CORS系统的推广应用有一定现实意义。     

Mg2Si热电材料与Cu/Ni复合电极的接头界面及性能

为保证热连接过程中热电材料与导流电极之间实现良好连接,同时形成有效的阻隔界面防止界面元素扩散致使材料性能下降,本研究以Cu片作电极,引入中间层Ni箔作扩散阻挡层,采用电场激活压力辅助烧结(FAPAS)法,在合成高纯硅化镁(Mg_2Si)热电材料的同时,同步制得Cu/Ni/Mg_2Si热电接头。利用SEM、EDS以及XRD对接头界面的微观相组成、元素扩散特征以及新相生长规律进行了探讨,并且采用热震试验和四探针法对接头分别进行了力学性能和电传输性能的测试。结果表明,合成的Mg_2Si纯度高,高温热膨胀性能稳定;Ni层能有效阻隔界面元素扩散,与Mg_2Si实现良好的冶金结合,连接界面新相层的生成次序依次为Mg_2Si Ni3和Mg2Ni。Cu/Ni/Mg_2Si具有较好的热膨胀匹配性能,连接界面在持续60次的热震循环后依然保持完整。随着时效时间延长,界面扩散层增厚,接触电阻有所增大,与t~(1/2)具有近线性关系,且700℃下未时效的接头获得最小接触电阻率112μ?·cm~2。     

基于激光多普勒技术的PZT薄膜压电性能测试研究

应用基于激光多普勒技术的微小形变分析方法,并引入数字锁相技术,成功实现了PZT(Pb(Zr,Ti)O₃)铁电薄膜的压电性能测试。对商用压电陶瓷在小信号激励下的压电性能测试表明,数字锁相技术的引入能有效抑制系统噪声,并提高激光多普勒系统的位移检测分辨率,使其达到皮米量级。此外,研究了用溶胶-凝胶技术和溶胶-电雾化技术制备得到的PZT薄膜的电压-位移曲线和压电位移"蝴蝶线",实验结果表明:在5 V直流偏置下测得两种方法制备得到的PZT薄膜的d₃₃压电系数分别为218.7 pC/N和215.8 pC/N,相应的标准偏差分别为12.7和28.6。