CdS量子点/CdTe纳米棒光电极制备及其光电性能研究

本文利用化学沉积法和射频溅射法成功实现了CdS量子点/CdTe纳米棒复合光电极的制备。通过X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见吸收光谱(UV-vis)和电化学工作站分别对获得的光电极进行了结构、形貌和光电性能的表征;结果表明,所获得的光电极由CdS量子点和CdTe一维纳米棒组成,其中CdTe纳米棒沿着(111)择优方向定向生长。在不同CdS量子点厚度的光电极的电化学表征结果中,我们发现了由CdS的压电效应引起的新颖的热释电现象,并在25 cycle CdS QDs的光电极测试中获得了最好的结果,开路电压为0.49 V,短路电流为71.09 μA,其I-t曲线的开光比为6。我们在研究过程中还发现了热释电引起的电流反向现象,这一特性对于未来提高光电器件的性能具有重要的意义。     

铜对双靶共溅制备热电薄膜输运性能的影响(英文)

采用双靶共溅法制备了铜掺杂的碲化铋锑热电薄膜,铜与碲化铋锑共溅的方法有利于形成沿c轴方向择优生长的碲化铋锑薄膜。结果表明,铜原子均匀的掺杂在碲化铋锑薄膜材料中。由于铜原子有利于提高载流子迁移率,薄膜材料的电导率随着铜掺杂比例的提高得到了极大的提升。当铜靶的溅射功率为20 W时,可以得到最高的电导率,同时功率因子的最佳值可提升到20μW/(cm·K2)。     

基于DD5单晶高温合金制件的时效处理转炉试验

为验证DD5单晶高温合金制件时效处理工艺转入新引进国产真空炉是否满足工艺要求,同时与进口真空炉中完成时效处理后的试样进行对比以确认差异,特开展了时效处理工艺转炉试验。采用DD5单晶高温合金航空发动机涡轮叶片和试棒分别在新引进国产真空炉和进口真空炉中完成时效处理后,分别对叶片的宏观组织、微观组织和表面贫Cr层以及试棒的高温拉伸性能进行了测试与分析。结果表明:在时效处理阶段,国产真空炉与进口真空炉在参数控制能力相当,能够满足DD5单晶合金制件的时效处理要求,可替代进口真空炉完成时效处理。     

两类典型的低温应用红外探测材料研究

红外探测器件是现代军用武器装备目标识别的核心构件,而红外探测材料的性能将直接影响器件的性能水平。综述了两类典型的低温应用红外探测材料研究进展,以红外探测材料研究和应用的尺度为分类标准,分别对微米尺度的窄带隙直接半导体碲镉汞和基于量子效应的四种低维材料进行了介绍,并指出了当前红外探测材料研究存在的问题和发展的方向。     

三元体系Mg2+//Cl-,borate-H2O在323.15 K时相平衡研究

采用等温溶解平衡法研究了三元体系Mg2+//Cl-,borate-H2O在323.15 K时的溶解度及其平衡溶液的物化性质(密度、折光率、pH、电导率).根据实验数据绘制了相应的平衡相图及其物化性质组成图.发现了镁硼酸盐的转化现象,并用n(三氧化二硼)/n(氧化镁)来表示;该体系在323.15 K时相图中有1个共饱点(水氯镁石+镁硼酸盐),2条单变量溶解度曲线(分别对应镁硼酸盐和水氯镁石的溶解度曲线),2个结晶相区(分别为水氯镁石和镁硼酸盐).     

利用碳等离子体热处理方法在钨金属和单晶硅片表面制备站立式石墨烯

利用等离子体热处理方法,分别在W金属和单晶Si基底表面直接制备了站立式石墨烯。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、拉曼光谱(Raman)对获得的样品进行了结构和成分的表征,并用硬度计对样品表面硬度进行了测量。结果表明,在W金属和单晶Si基底表面分别形成了成分为W₂C-WC/石墨烯和SiC/石墨烯的复合层,且均匀的分布在相应的基底上。W₂C-WC/石墨烯复合层制备成功后,金属W的表面硬度为502.95 HV0.01,与纯金属W基底的硬度450.41 HV0.01相比,表面硬度增加52.54 HV0.01,提高了11.6%;SiC/石墨烯复合层制备成功后,SiC/石墨烯表层的硬度为836.76 HV0.025,与单晶Si基底的硬度812.74 HV0.025相比,表面硬度增加24.02 HV0.025,提高了2.95%。