| CdS量子点/CdTe纳米棒光电极制备及其光电性能研究 |
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| 引用本文： | 罗炳威,刘大博,邓元,罗飞,田野,周海涛,陈冬生.CdS量子点/CdTe纳米棒光电极制备及其光电性能研究[J].稀有金属材料与工程,2018,47(10):3173-3178. |
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| 作者姓名： | 罗炳威 刘大博 邓元 罗飞 田野 周海涛 陈冬生 |
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| 作者单位： | 北京航空材料研究院,北京航空材料研究院,北京航空航天大学 材料科学与工程学院,北京航空材料研究院,北京航空材料研究院,北京航空材料研究院,北京航空材料研究院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学(51602299、51302255)、国家自然科学基金重点项目 (61534001)、国家基础研究重点发展计划(2012CB933200) |
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| 摘 要： | 本文利用化学沉积法和射频溅射法成功实现了CdS量子点/CdTe纳米棒复合光电极的制备。通过X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见吸收光谱(UV-vis)和电化学工作站分别对获得的光电极进行了结构、形貌和光电性能的表征；结果表明,所获得的光电极由CdS量子点和CdTe一维纳米棒组成,其中CdTe纳米棒沿着(111)择优方向定向生长。在不同CdS量子点厚度的光电极的电化学表征结果中,我们发现了由CdS的压电效应引起的新颖的热释电现象,并在25 cycle CdS QDs的光电极测试中获得了最好的结果,开路电压为0.49 V,短路电流为71.09 μA,其I-t曲线的开光比为6。我们在研究过程中还发现了热释电引起的电流反向现象,这一特性对于未来提高光电器件的性能具有重要的意义。
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| 关 键 词： | CdS CdTe 量子点 纳米棒 光电性能 |
| 收稿时间： | 2016/12/26 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2017/5/2 0:00:00 |
The photoelectrode of CdS QDs/CdTe NRAs preparation and the photoelectric property |
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| Luo Bingwei,Lui Dabo,Deng Yuan,Luo Fei,Tian Ye,Zhou Haitao and Chen Dongsheng.The photoelectrode of CdS QDs/CdTe NRAs preparation and the photoelectric property[J].Rare Metal Materials and Engineering,2018,47(10):3173-3178. |
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| Authors: | Luo Bingwei Lui Dabo Deng Yuan Luo Fei Tian Ye Zhou Haitao and Chen Dongsheng |
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| Affiliation: | Beijing Institute of Aeronautical Materials,Beijing Institute of Aeronautical Materials,School of Materials Science and Engineering,Beihang University,Beijing Institute of Aeronautical Materials,Beijing Institute of Aeronautical Materials,Beijing Institute of Aeronautical Materials,Beijing Institute of Aeronautical Materials |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CdTe CdS nanodots nanorod photoelectric property |
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