无水硫酸镁催化剂在2,5-二氯硝基苯生产中的应用

介绍了以对二氯苯和浓硝酸为原料、无水硫酸镁为催化剂制取2,5-二氯硝基苯的工艺过程;分析了催化剂用量和催化剂循环利用对产物选择性的影响,确定了适宜的催化剂用量和催化剂酸化条件。     

p型ZnO和ZnO同质p-n结的研究进展

ZnO基注入式发光二极管和激光器件的研究目前仍处于初级阶段．即p型ZnO和ZnOp-n结的制备与特性研究。由于ZnO薄膜中存在较强的自补偿机制，使得很难有效地施行p型元素的掺杂。本文介绍了目前国际上通用的掺杂方法．对不同方法制备的p型ZnO和ZnOp-n结的特点进行了比较分析，并讨论了目前生长高质量的突变型ZnOp-n结所面临的问题。     

Cu(In,Ga)3Se5薄膜的结构及其缺陷研究

讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜结构的影响.Ga含量的增加引起晶格扭曲系数η近似按抛物线形式增加,而其晶格常数a与c呈线性减小趋势,同时(112),(220)/(204)等主衍射峰的位置和强度呈现显著的改变.而样品厚度的改变会导致薄膜中存在不同的内应力,最终对薄膜的结构产生了显著影响.     

用磁控溅射法制备的Ag-MgF2的复合薄膜的研究

采用RF磁控溅射方法制备了Ag-MgF2复合薄膜.通过XRD测量,发现当退火温度在300～500℃时,Ag以晶态形式镶嵌在非晶态介质中;当退火温度低于300℃时候,Ag以非晶态形式存在.在分层镀Ag和MgF2薄膜后,经过热处理使Ag颗粒扩散在MgF2介质中,通过AFM观察,对复合薄膜形貌进行了分析:如果先镀MgF2薄膜,再镀Ag薄膜,发现Ag颗粒主要分布在薄膜的表面,并且富集形成较大的颗粒,表现出块体Ag的吸收特性.而先镀Ag薄膜,然后再镀MgF2薄膜,经过热处理,可以形成Ag颗粒均匀镶嵌在介质中形成的复合薄膜.同时对样品的吸收特性也进行了研究.     

对二氯苯硝化过程中抑制副产物的研究

分析对二氯苯硝化后物料不易快速分层的原因,结合2,5-二氯硝基苯的生产情况提出解决方案.     

微-纳米复合结构ZnO薄膜的制备及其浸润性的研究

采用水浴法,在ITO玻璃表面生长出具有微-纳复合结构的ZnO薄膜,分别用高分辨扫描电镜(SEM)和接触角测量仪对其表面形貌和表面的浸润性进行了表征。实验结果表明,随着HF使用量的增加,ZnO薄膜的微观结构由球形逐渐过渡到花瓣状,使用三甲基氯硅烷修饰后,其表面接触角由(70±0.5)°逐渐增大到(141.5±0.5)°,同时也对氢氟酸(HF)对ZnO生长的调控机理进行了探讨。     

周期顺序蒸发工艺生长的Cu(In,Ga)Se_2薄膜结构

采用新颖的周期顺序蒸发和真空硒化退火工艺生长出p型CuIn0 7Ga0 3 Se2 薄膜.通过XPS谱、Raman谱、XRD谱分析了预生长层以及硒化后的CuIn0 7Ga0 3 Se2 薄膜,对四元化合物Cu(In ,Ga)Se2 的Raman谱进行了讨论,并观察到Ga对A1模式峰位的移动影响,同时发现薄膜倾向于沿(112 )晶面生长,薄膜贫Cu会加剧(2 2 0 ) / (2 0 4)表面自发分解成{ 112 }小晶面.研究表明,薄膜具有良好的电学特性和结构特性.     

周期顺序蒸发工艺生长的Cu(In,Ga)Se2薄膜结构

采用新颖的周期顺序蒸发和真空硒化退火工艺生长出p型CuIn0.7Ga0.3Se2薄膜.通过XPS谱、Raman谱、XRD谱分析了预生长层以及硒化后的CuIn0.7Ga0.3Se2薄膜,对四元化合物Cu(In,Ga)Se2的Raman谱进行了讨论,并观察到Ga对A1模式峰位的移动影响,同时发现薄膜倾向于沿(112)晶面生长,薄膜贫Cu会加剧(220)/(204)表面自发分解成{112}小晶面.研究表明,薄膜具有良好的电学特性和结构特性.     

纳米ZnO的研究及其进展

纳米ZnO的许多优异性能使其成为人们研究的热点并得到广泛的应用。随着ZnO颗粒尺度的不断减小，其量子限域效应越来越明显，观察到电荷载流子，声子，光子的局域化效应；表面、界面态对其性质影响逐渐明显，通过表面修饰和置入多孔及束管等束缚结构，可有效增强ZnO紫外（一个量级）或可见光区（1－2个量级）的发射强度；并使ZnO的电导率，磁化率有很大提高，纳米ZnO与其他材料的复合体系能得到一些新的功能材料。纳米ZnO的自组织行为，使人们可以获得许多形态各异，特殊用途的纳米材料及器件。本文综述了近年来纳米ZnO的研究新动态。     

退火对大剂量Al离子注入GaN发光特性的影响

首次报道了用不同浓度的Al离子注入于蓝宝石衬底上的GaN薄膜（注入能量为500keV、注入浓度为10^14-10^15cm^-2），在做了不同温度和不同时间的快速热退火处理以及常规热退火处理后，在12K下用He-Cd激光（325nm）激发得到其发射谱。结果显示，经大剂量Al注入后的样品，其光致发光谱中3.45eV的带边激子发光以及2．9－3．3eV的4个声子伴随峰消失，此表明大剂量Al注入对GaN的晶体结构造成严重的损伤，以致本征发光消失。经10^14cm^-2剂量Al注入后的样品，在N2气氛中退火处理后，2．2eV缺陷发光峰得到了一定程度的恢复。而且，经常规退火处理后，此发射峰比快速退火处理的样品发射峰恢复得更好（其积分光强高3倍）。相似的结果亦显示于10^15cm^-2浓度的Al注入的样品。2.2eV黄色荧光源于GaN的缺陷(如Ga空位VGa)，或VGa-H2,或VGa-ON复合体），其能级位于价带顶以上约1.1eV处。荧光发射可以来自“导带－缺陷能级”的跃迁，也可能来自浅施主（如N位O，能有位于导带下－10meV）至上述缺陷能级之间的跃迁。I－V测量显示，Al的注入区成为－10^12Ω.cm^-1高阻膜，这表明Al的注入可能产生了某种深的电子陷阱，由于电子陷阱可俘获导带电子，导致发光猝灭，而退火可使与黄色荧光相关的缺陷得到部分恢复，因而2.2eV发射峰有所恢复。