氢等离子体处理钝化层对高效晶硅异质结太阳电池性能的影响

研究不同时间氢等离子体处理（HPT）氢化非晶硅a-Si:H（i）钝化层对高效晶硅异质结太阳电池（效率>23％）性能的影响。发现适当时间的HPT可改善钝化效果提升电池性能,但过长时间的HPT可导致薄膜钝化效果变差,有效少数载流子寿命降低。分析认为HPT时间过长,H原子进入到a-Si:H（i）薄膜层中,导致薄膜内部SiH₂增多,微结构因子（R）增大,薄膜质量变差。并且,适当时间的HPT改善太阳电池性能的幅度有限,而过长时间的HPT导致电池性能下降却很明显。因此,针对高效率的晶硅异质结太阳电池,应对钝化层沉积之后的HPT工艺进行谨慎控制。     

Simulation analysis of the effects of a back surface field on a p-a-Si:H/n-c-Si/n+-a-Si:H heterojunction solar cell

In order to investigate the effects of a back surface field（BSF） on the performance of a p-doped amorphous silicon（p-a-Si：H）/n-doped crystalline silicon（n-c-Si） solar cell,a heterojunction solar cell with a p-a-Si：H/n-c-Si/n^＋-a-Si：H structure was designed.An n^＋-a-Si：H film was deposited on the back of an n-c-Si wafer as the BSF.The photovoltaic performance of p-a-Si：H/n-c-Si/n^＋-a-Si：H solar cells were simulated.It was shown that the BSF of the p-a-Si：H/n-c-Si/n^＋-a-Si：H solar cells could effectively inhibit the decrease of the cell performance caused by interface states.     

高介电氧化钽薄膜制备与介电性能分析

在较低衬底温度下,通过磁控溅射得到的非晶态Ta2O5薄膜,在氧气氛750℃条件下进行化学热退火,得到晶化的Ta2O5薄膜,其相对介电常数为34.3,漏电流密度小于10-7A/cm2.电容量测试时,为了较好地消除高温退火时产生的SiO2的介质层对电容测试值的影响,用不同厚度氧化钽薄膜为介质层做成金属-绝缘体-金属(MIM)结构的电容器,对这些电容器的电容测试数据,进行sigmoidal拟合,得到极限电容,从而计算出Ta2O5薄膜的介电常数.     

用HW—MWECR CVD系统沉积大面积均匀氢化非晶硅薄膜的研究

通过紫外-可见透射谱技术,计算得到薄膜各个位置的拟合厚度值,研究了a-si:H薄膜的厚度均匀性;通过对紫外-可见透射谱的分析和对红外吸收谱峰宽度的分析,研究了a-Si:H薄膜的结构均匀性.研究发现对于单磁场线圈MWECR CVD系统,ECR区的不均匀性和沉积室的磁场梯度的不均匀,是影响a-Si:H薄膜均匀性的主要原因.通过改进矩形耦合波导和热丝辅助及减小磁场线圈电流的方法,采用HW-MWECR CVD 系统,在直径为6cm的衬底上沉积了厚度不均匀性<3.5%的a-Si:H薄膜.