双层绝缘层材料的有机薄膜晶体管的制备及其结构性能研究

研究制备了包含双层绝缘栅的聚合物薄膜场效应晶体管(PTFT),采用介电常数比较高的Ta2O5和介电常数较低的聚丙烯腈(PAN)作为双层绝缘层,MEM-PPV作为有源层,并对器件做了晶体管电学特性方面的分析,测试结果表明器件具有较高的开关电流比和较高的迁移率,器件的场迁移率为2.0×10-2cm2/Vs,开关电流比超过103,比绝缘层为单层Ta2O5的晶体管器件的迁移率高了4倍,开关电流比高了一个数量级。     

退火真空度与氧化钒薄膜物相的相关性

以高纯五氧化二钒(V2O5)粉末(纯度≥99.99%,质量分数)为原料,用真空蒸发工艺制备出氧化钒薄膜,并测试其在真空退火前、后的X射线光电子能谱、X射线衍射谱及电阻-温度关系曲线.结果显示:低真空退火对氧化钒薄膜的还原性比高真空退火的强.但是,在高真空退火下得到的氧化钒薄膜的晶粒尺寸要比在低真空下退火的大.随退火温度升高,高真空下退火制备的薄膜经历了从VO2(B)到V02(B)与V6O13混合,再到V6O13的转变过程,B表示薄膜无热致相变特性.低真空下退火制备的薄膜经历了从VO2(B)到VO2(A)的转变,A表示薄膜有热致相变特性.这些薄膜的电学性质也有很大不同.     

Er2O3高介电常数薄膜的结构和介电性能的研究

采用射频磁控反应溅射技术,在不同的Ar：O2条件下制备Er2O3薄膜,然后把样品分别在600、700和800℃退火60min,研究分析了Ar：O2比例和退火温度对样品的结构和介电性能的影响。结果表明：600℃以上退火处理后,Er203薄膜从非晶态转变为多晶,使薄膜的介电常数和击穿场强明显增加,漏电流密度减小,但不同的退火温度对这些性能的影响不大,退火温度的提高会在Si和Er2O3薄膜的界面形成类SiO2过渡层。但Ar：O2比对薄膜的结晶性能和介电性能影响不大,但工作气体中较少的Ar会导致在Si和Er2O3薄膜的界面形成类Si02过渡层。     

环氧树脂基柔性MIM电容的制备与性能研究

柔性衬底因其独特的挠曲性和延展性,能够代替传统的刚性材料来制备柔性高密度MIM电容。利用原子层沉积技术,以SU-8紫外固化的环氧树脂为衬底,制备了柔性Ta2O5 MIM电容,并对制备的器件进行了电学性能的表征。结果表明:电容器件获得了较高的电容密度,为5.1 fF/μm^2。与Si基制备的Ta2O5 MIM电容相比,环氧树脂基能够获得较低的漏电流密度和较小的电容电压系数,漏电流密度4.5×10^-6 A/cm^2,电容电压系数为975×10^-6/V^2。     

添加Sb_2O_5,ZnO和玻璃对(Zr_(0.7)Sn_(0.3))Ti_4陶瓷高频介电性能的影响

用氧化物混合方法制备了主晶相为 (Zr0 .7Sn0 .3)TiO4的高频陶瓷材料。添加Sb2 O5,ZnO和玻璃有效降低了陶瓷的烧成温度和介质损耗。添加 0 .5 %Sb2 O5(摩尔分数 ) ,1.5 %ZnO(质量分数 )和 3.0 %玻璃 (质量分数 )的陶瓷组成在 115 0℃烧结 ,在测试频率 1MHz下的介电性能为 :介电常数ε≈ 38,损耗角正切tanδ=0 .6× 10 - 4 ,介电常数温度系数αε=0± 30× 10 - 6 /℃ ,体电阻率 ρv≥ 10 1 3Ω·cm。用此种陶瓷材料可在中温烧结制成多层陶瓷电容器 (multilayerceramiccapacitor,MLCC)     

CuO和V2O5掺杂对ZnNb2O6陶瓷介电性能的影响

采用传统的固相反应法制备了CuO和V2O5掺杂的ZnNb2O6介质陶瓷.通过X射线衍射,扫描电镜以及电感-电容-电阻测试仪等测试手段对其烧结特性,晶体结构,微观形貌和介电性能进行研究.结果表明:CuO和V2O5掺杂能降低ZnNb2O6陶瓷的烧结温度,影响相结构,改变微观形貌并优化介电性能.掺杂质量分数为0.25%CuO和0.25%V2O5的ZnNb2O6陶瓷样品在1 025℃烧结后,在100 MHz下具有较好的综合介电性能:介电常数εr=35,介电损耗tanδ=0.000 21,频率温度系数τf=-44.41×10-6/℃.     

钛酸锶钡基高压陶瓷电容器材料的研究

钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3)材料既具有钛酸钡(BaTiO3)的高介电常数和低介质损耗,又具有钛酸锶(SrTiO3)结构稳定的特点,是非常理想的高压陶瓷电容器材料.本论文采用常规陶瓷电容器制备工艺,利用正交设计实验法研究了配方对Ba1-xSrxTiO3基高压陶瓷电容器介电性能的影响,得到了影响该系统陶瓷介电性能的主次因素以及各因素水平影响其性能的趋势,并讨论了Bi2O3·3TiO2、CaZrO3、Nb2O5和MgO改性添加物对材料性能的影响.通过正交实验得到了综合性能较好的钛酸锶钡基陶瓷配方,结果表明,在Ba1-xSrxTiO,(当x=0.4时)中加入8%Bi2O3·3TiO2、6%CaZrO3、0.6%Nb2O5和0.5%MgO时,其介电常数ε为3785、介质损耗tgδ为23×10-4、耐压强度Eb为11 kV/mm;而在Ba1-xSrxTiO3(当x=0.4时)中加入8%Bi2O3·3TiO2、10%CaZrO3、0.2%Nb2O5和1%MgO时,其ε为3416、tgδ为30×10-1、Eb为13.5 kV/mm.     

SrBi_2Ta_2O_9薄膜的制备和铁电性能研究

用一种新的低温过程制备了SrBi2Ta2O9铁电薄膜。在Sol-Gel方法中用Pt/Ti/SiO2/Si作衬底,研究了薄膜的结构和电特性。SrBi2Ta2O9薄膜在淀积Pt上电极之前和之后都要退火,第一次退火在760乇氧压下600℃时退火30分钟,在第二次退火后薄膜结晶良好。     

n型氧化亚铜薄膜的制备及其光电化学特性

采用三电极系统在硫酸铜-乳酸体系中电化学沉积法制备Cu2O薄膜,控制电沉积溶液的温度和pH得到n型Cu2O薄膜,并通过光电流(I-t)测试、莫特-肖特基(M-s)曲线测试薄膜的光电性能。结果表明当pH值为8.5～10时,成功地制备出了n型Cu2O薄膜,且当电解液的pH值为8.5,温度为60℃时,n型Cu2O薄膜光电性能最佳。对Cu2O薄膜进行退火处理,有助于改善氧化亚铜薄膜的光电性能。在此基础上,我们对n型Cu2O薄膜进行不同离子掺杂。离子的掺杂能继续提高Cu2O薄膜的光电性能。其中当Cl-为40 mM条件下,Cu2O薄膜的光电化学性能最佳。     

添加Sb2O5,ZnO和玻璃对(Zr0.7Sn0.3)TiO4陶瓷高频介电性能的影响

用氧化物混合方法制备了主晶相为(Zr0.7Sn0.3)TiO4的高频陶瓷材料.添加Sb2O5,ZnO和玻璃有效降低了陶瓷的烧成温度和介质损耗.添加0.5%Sb2O5(摩尔分数),1.5%ZnO(质量分数)和3.0%玻璃(质量分数)的陶瓷组成在1 150℃烧结,在测试频率l MHz下的介电性能为:介电常数ε≈38,损耗角正切tanδ＝0.6×10-4,介电常数温度系数αe＝0±30×10-6/℃,体电阻率pv≥1013Ω.cm.用此种陶瓷材料可在中温烧结制成多层陶瓷电容器(multilayer ceramic capacitor,MLCC).     

低介电常数微波介质陶瓷的研究进展

介绍了四种典型的相对介电常数在10-15之间的低介微波介质陶瓷系列(Al2O3系、Mg4Nb2O9系、Mg5(Nb,Ta)4O15系、R2BacuO5系)的晶体结构和微波介电性能,并指出其目前存在的普遍问题和解决的方法.     

微波介质陶瓷的界面特性及其对介电性能的影响

详细地总结了界面的偏析、扩散和润湿性对微波介电性能的影响机理。并评述了粉末的初始状态、烧结工艺、添加剂(掺杂)和烧结方法等因素对材料界面特性的影响，进而影响到材料介电性能的研究进展。最后指出了在微波介质陶瓷界面研究领域面临的问题及今后的发展方向。     

ZST微波陶瓷在贴片式介质滤波器上的应用研究

研究了ZST系微波陶瓷的组成对介电性能的影响。并介绍了用掺入玻璃的ZST系微波陶瓷材料制作贴片式介质滤波器的方法；分析了影响滤波器尺寸的主要因素。通过对制造的滤波器测试结果表明：其尺寸和电性能满足设计要求。     

高温介电强度试验器

本文介绍HC—7型高温介电强度试验器的性能、结构特点、控制电路和应用概况.     

RELATION BETWEEN CHEMICAL COMPOSITION AND DIELECTRIC PROPERTIES OF CERAMIC MATERIALS WITH LOW DIELECTRIC LOSSES*

A number of steatite ceramics were prepared under carefully controlled conditions, and their dielectric losses and direct-current resistances were measured at elevated temperatures. It was found that variations of the ratio of talc to kaolin within certain limits had little effect on the dielectric properties. These properties, however, were changed to a considerable extent by varying the amounts, proportions, and kinds of alkaline earth oxides added as fluxes. The data indicate also that the conditions in a ceramic favorable to a high specific resistance are not necessarily those favorable to a low dielectric loss.     

高介电常数微波介质陶瓷及其低温烧结的研究进展

高介电常数微波介质材料是实现现代微波通信器件要求的微型化、集成化发展趋势的重要材料,针对多层结构设计的器件要求,需要微波介质陶瓷能与高电导率电极实现低温共烧。本文综述了近年来高介电常数微波介质陶瓷及其低温烧结研究的最新进展,指出进一步提高陶瓷的介电常数和研究新型低温烧结助剂是今后发展的趋势。     

AlN陶瓷的介电性能

着重探讨了ＡｌＮ陶瓷的极化机理,应用基本的电介质物理理论,结合ＡｌＮ陶瓷的组成特点,研究了ＡｌＮ陶瓷介电性能随测量温度、测量频率变化而变化的温度特性和频率特性,结果表明：ＡｌＮ陶瓷的主要极化机理及空间电荷极化;经典的极化理论适用于ＡｌＮ陶瓷;ＡｌＮ陶瓷因介电性能较好,导热率较高崦有望成为比Ａｌ２Ｏ３陶瘊性能更加优良的基板材料。     

PZN－PT－PMN电致伸缩陶瓷的介电性质

对（１－ｘ－ｙ）ＰＺＮ－ｘＰＴ－ｙＰＭＮ（０＜ｘ＜０．１，０＜ｙ＜１）陶瓷的电致伸缩与介电特性进行了系统的研究。利用ＸＲＤ定性分析了在相同工艺条件下，组成及Ｋ~＋，Ｌａ~（３＋），Ｙ~（３＋），Ｗ~（６＋）等掺杂离子对微观结构、电致伸缩及介电性质的影响。分析表明：施主、受主离子掺杂对钙钛矿相的生成有不同的作用，掺杂后的材料介电常数均减小；而电致伸缩系数增大，其中适当掺Ｋ~＋和过量ＭｇＯ可使应变量得到提高；而过量ＺｎＯ使应变量减小。ＰＺＮ－ＰＴ－ＰＭＮ的应变性质和温度特性均优于ＰＺＮ，三元系的电致伸缩特性与各组成含量有关，其中铁电相含量的增大是应变量增大的原因。