| 高介电氧化钽薄膜制备与介电性能分析 |
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| 引用本文： | 曲铭浩,胡跃辉,冯景华,谢耀江,王立富.高介电氧化钽薄膜制备与介电性能分析[J].陶瓷学报,2009,30(2):182-185. |
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| 作者姓名： | 曲铭浩 胡跃辉 冯景华 谢耀江 王立富 |
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| 作者单位： | 景德镇陶瓷学院,景德镇,333001 |
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| 基金项目： | 江西省教育厅科技计划项目 |
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| 摘 要： | 在较低衬底温度下,通过磁控溅射得到的非晶态Ta2O5薄膜,在氧气氛750℃条件下进行化学热退火,得到晶化的Ta2O5薄膜,其相对介电常数为34.3,漏电流密度小于10-7A/cm2.电容量测试时,为了较好地消除高温退火时产生的SiO2的介质层对电容测试值的影响,用不同厚度氧化钽薄膜为介质层做成金属-绝缘体-金属(MIM)结构的电容器,对这些电容器的电容测试数据,进行sigmoidal拟合,得到极限电容,从而计算出Ta2O5薄膜的介电常数.
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| 关 键 词： | 氧化钽薄膜 介电常数 漏电流密度 |
PREPARATION AND DIELECTRIC PROPERTIES ANALYSIS OF HIGH DIELECTRIC Ta2O5 THIN FILMS |
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| Qu Minghao,Hu Yuehui,Feng Jinghua,Xie Yaojiang,Wang Lifu.PREPARATION AND DIELECTRIC PROPERTIES ANALYSIS OF HIGH DIELECTRIC Ta2O5 THIN FILMS[J].Journal of Ceramics,2009,30(2):182-185. |
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| Authors: | Qu Minghao Hu Yuehui Feng Jinghua Xie Yaojiang Wang Lifu |
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