高压静电场诱导下介孔WO_3粉体的制备及表征

利用溶胶-凝胶与分子模板法相结合,在高压静电场诱导分子模板作用下,成功制备了孔洞分布均匀的介孔WO3粉体。利用粉末X射线衍射仪、N2吸附-脱附比表面及孔径分析仪、傅立叶变换红外光谱仪(FT-IR)等测试手段,通过对样品的晶态结构、孔洞结构参数、透射光谱特性及化学键态结构的对比,详细研究了外加电场的作用时间对分子模板及WO3粉体材料微观结构的影响。实验结果表明,在2 kV/cm的电场强度下处理2 h所制得的粉体WO3有更发达的比表面积和气体通道。     

H＋离子浓度对WO3粉体化学键及晶体微观结构的影响

分别在不同H＋离子浓度的酸性环境下,采用溶胶-凝胶法制备纳米多孔WO3粉体。利用粉末X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、傅立叶变换红外光谱仪（FT-IR）等分析手段对不同条件下制备的粉末样品晶体结构、微观形貌、透射光谱特性及化学健态结构进行对比研究。结果表明,在其它制备条件相同的情况下,强酸环境可以有效增加溶胶-凝胶的反应速度,而且有利于形成WO3材料的非晶化,可得到呈现交联网状的纳米级多孔结构。     

表面处理对阳极氧化铝模板光发射性质的影响

阳极氧化铝模板是一种得到广泛研究和应用的重要模板物质。针对阳极氧化铝模板的光致发光起源问题进行了探讨,主要研究了表面因素是否对阳极氧化铝的发光有影响,以及如何影响的问题。利用二次阳极氧化法制备了阳极氧化铝模板,之后利用氩离子轰击氧化铝模板的表面,在室温下测定了氩离子处理后的氧化铝模板的发光特性,研究了氩离子轰击前后氧化铝模板的光致发光性质变化和氩离子轰击对氧化铝模板光发射性能的影响。结果表明,表面因素对阳极氧化铝模板的发光有重要影响。     

ZnO∶Tb透明导电薄膜的制备及其特性研究

用RF磁控反应共溅射法在Si( 111)衬底上制备出了铽 (Tb)掺杂的ZnO透明导电薄膜。研究了溅射中Tb掺杂量对ZnO薄膜的结构、电学和光学特性的影响。结果表明 ,在最佳沉积条件下我们制备出了具有良好c轴取向 ,电阻率降低到 9.3 4× 10 - 4Ω·cm ,且可见光段 ( 4 0 0～80 0nm)平均透过率大于 80 %的ZnO∶Tb新型透明导电材料。     

表面处理对阳极氧化铝模板光发射性质的影响

阳极氧化铝模板是一种得到广泛研究和应用的重要模板物质。针对阳极氧化铝模板的光致发光起源问题进行了探讨，主要研究了表面因素是否对阳极氧化铝的发光有影响，以及如何影响的问题。利用二次阳极氧化法制备了阳极氧化铝模板，之后利用氩离子轰击氧化铝模板的表面，在室温下测定了氩离子处理后的氧化铝模板的发光特性，研究了氩离子轰击前后氧化...     

低介电常数硅基薄膜后处理的研究进展

综述了近年来国际上低介电常数纳米多孔SiOx薄膜材料的发展状况,重点论述了其后处理原理及工艺、材料结构特点及存在的缺陷,分类指出了后处理方法对材料改性的影响及存在的问题,同时提出了未来的研究方向和发展前景。     

超低介电常数纳米多孔SiO2薄膜制备技术进展

纳米多孔SiO2薄膜具有超低的介电常数，作为绝缘介质在超大规模集成电路互连系统有着巨大的应用潜力。文中概述了纳米多孔SiO2薄膜的孔隙度与介电常数的关系，指出所有模型均位于串联和并联模型之间，介电常数均随孔隙度的增加而下降。说明了多孔SiO2薄膜按孔隙度不同主要分气凝胶和干凝胶两类。介绍了从溶液前驱物中合成的原理，绘出了制备纳米多孔SiO2薄膜的一般流程。详细总结了用气凝胶／干凝胶法和模板法制备纳米多孔SiO2薄膜的技术进展。探讨了旋转涂覆制备多孔SiO2薄膜的弱点及改进办法，指明了超低介电常数纳米多孔SiO2薄膜制备技术的发展方向。     

分子模板法制备纳米多孔SiO2薄膜

报道了用分子模板法制备纳米有序多孔SiO2薄膜。用扫描电子显微镜(SEM)观察改性前后薄膜的表面形貌，发现改性后薄膜孔洞大小均匀，排列有序，孔径在200nm左右。付立叶红外变换光谱(FTIR)研究表明，改性后薄膜内存在大量的一CH3键，增强了薄膜的憎水性，可以有效抑制孔洞塌缩。用椭圆偏振光测试仪测量并计算了薄膜的介电常数和膜厚，并且研究了热处理温度对二者的影响，发现当热处理温度为350℃时薄膜厚度约为400nm，此时介电常数有最低值1．66。     

气敏材料纳米多孔WO3制备关键技术研究

归纳和总结了制备应用于气敏传感器的纳米多孔WO3薄膜的关键技术,论述了降低材料工作温度和提高灵敏度的多种途径,分析了其各自的利弊,重点介绍了溶胶-凝胶法制备的原理和方法,总结了其应用于制备传感器材料时所面临的问题,并展望了该方向的研究前景.