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对AZ31镁合金在400℃条件下的轧制工艺进行了研究,在不同压下量、不同道次条件下分别进行了轧制实验,并对轧制后AZ31板材的组织和力学性能进行了研究。实验结果表明:在400℃条件下,以小变形量轧制,每道次压下量为1mm时,较好的加工工艺条件为轧制到第8道次,累积变形量50%;每道次轧制压下量为2mm时,较好的加工工艺条件为轧制到第2道次,累积变形量为25%;AZ31镁合金在大变形量下轧制易产生裂纹,裂纹的产生可能是由于随着累积变形量增加,内应力激增,在难变形的硬取向晶粒区或第二相处产生应力集中,萌生裂纹。裂纹尖端扩展经过的区域变形量较大,因而裂纹两侧存在再结晶细晶区域。 相似文献
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玫瑰花瓣的真空冷冻干燥试验 总被引:1,自引:0,他引:1
在玫瑰花瓣红色色素理化性质和干燥过程中玫瑰花瓣变色机理研究的基础上,进行了玫瑰花瓣干燥前的预处理及预冻试验,考察了不同预处理方式和预冻方式对玫瑰花瓣冷冻干燥的影响,然后用真空冷冻干燥机进行了玫瑰花瓣的真空冷冻干燥试验,筛选得到了真空冷冻玫瑰花瓣的较优工艺:用20%氯化镁+5 g柠檬酸组成的溶液处理5 h,再放入1∶1的乙醇+正丁醇溶液中处理1 h,冰箱慢冻4 h,液氮速冻5 min,最后真空冷冻6 h,即可获得花色花形较好的玫瑰花瓣. 相似文献
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随着互联网的快速发展,越来越多的大学生被形形色色的虚拟社区所吸引。创建一个有利于大学生活动的虚拟社区,即校园虚拟社区十分必要。本文提出了构建校园虚拟社区的要点,并对校园虚拟社区的功能模块设计给出了建议。 相似文献
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使用高温固相烧结法制备不同化学剂量比的CuAlO2陶瓷,研究CuxAlO2(0.92≤x≤1.0)中Cu、Al摩尔比的相对变化对其结构和导电性能的影响.结果表明:CuxAlO2(0.92≤x≤1.0)陶瓷片的结构和密度随着x值的增大,样品的结晶性逐渐变好,密度也逐渐增大,在x为0.98时,得到密度最大(5.02 g/cm3)且结晶良好的纯相CuAlO2;样品的光学带隙均约为3.44 eV;随着x值的增加,室温电导率先增大然后减小,在x为0.98时得到最大电导率为8.03×10-3 S/cm;电导率随温度的升高而显著增大,且曲线在100~300 K之间很好地符合Arrhenius关系,x为0.98时激活能最低,仅为0.085 eV;在所研究的成分范围内,CuAlO2陶瓷的导电能力主要取决于陶瓷片的致密度. 相似文献
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使用多晶CuAlO2陶瓷靶,利用射频磁控溅射法沉积Cu-Al-O薄膜.傅立叶变换红外光谱显示薄膜中存在与CuAlO2相关的Cu-O,Al-O和O-Cu-O键.在可见光范围内Cu-Al-O薄膜具有较好的透过性,衬底温度为400℃~500℃时薄膜透过率在60%~70%之间,计算拟合得到Cu-Al-O薄膜的直接和间接带隙能分别为3.52 eV和1.83 eV左右,与多晶CuAlO2薄膜结果一致.在近室温区薄膜符合半导体热激活导电机制,其电导率随衬底温度的升高先增大后减小,500℃沉积的薄膜导电性较好,室温电导率达到2.36×10-3 S·cm-1,这可能源于Cu-Al-O薄膜中与CuAlO2相关的键合形成情况的改善. 相似文献
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P型透明导电氧化物LaCuOS的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
透明导电氧化物半导体的出现开拓了光电子器件研究的新领域,但是缺少性能良好的P型材料就限制了透明导电氧化物的利用空间。LaCuOS由于其结构、电学和光学等方面具有许多的优点,成为近年来P型半导体的研究热点。介绍了P型LaCuOS薄膜的基本性质,综述了不同的制备工艺并对其光电学与应用方面进行了研究总结。 相似文献
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简单介绍了等离子体的基本概念及其热等离子体废物处理技术的基本原理,从几个方面总结介绍了固体废物等离子体处理技术的应用与研究。与常规处理方法相比较,采用热等离子体特种废物处理技术其先进性和优越性得到进一步显现,成为特种废物处理领域最有发展前途,最引人关注的高科技处理技术之一。文章还简单介绍了作者在实验室热等离子体技术工作中的一些实验结果以及核工业西南物理研究院在引进、吸收、消化、发展国外等离子体炬和在研制等离子体炬新型电源方面所做的一些工作。 相似文献