排序方式: 共有38条查询结果,搜索用时 62 毫秒
1.
2.
使用多晶CuAlO2陶瓷靶,利用射频磁控溅射法沉积Cu-Al-O薄膜.傅立叶变换红外光谱显示薄膜中存在与CuAlO2相关的Cu-O,Al-O和O-Cu-O键.在可见光范围内Cu-Al-O薄膜具有较好的透过性,衬底温度为400℃~500℃时薄膜透过率在60%~70%之间,计算拟合得到Cu-Al-O薄膜的直接和间接带隙能分别为3.52 eV和1.83 eV左右,与多晶CuAlO2薄膜结果一致.在近室温区薄膜符合半导体热激活导电机制,其电导率随衬底温度的升高先增大后减小,500℃沉积的薄膜导电性较好,室温电导率达到2.36×10-3 S·cm-1,这可能源于Cu-Al-O薄膜中与CuAlO2相关的键合形成情况的改善. 相似文献
3.
4.
5.
6.
7.
随着半导体微细加工技术的发展,预计硅SOC的集成度可达万亿个晶体管,单个晶体管的尺寸将达到10nm范围内。因此从理论上研究纳米尺寸器件的性能和特性对发展超大规模集成电路尤为重要。综述了纳米级MOSFET器件数值模拟的量子模型,以及在该模型下用到的几种载流子输运模型,并结合模拟结果对这一模型作了评价。 相似文献
8.
采用RF反应溅射法在Si(111)、玻璃衬底上制备了具有良好C轴承向的多晶ZnO薄膜。用XRD分析了沉积条件(衬底温度、工作气体中的氧与氩气压比和衬底种类)对样品结构的影响,发现(1)薄膜的取向性随着衬底温或高而增强,超过400℃后薄膜质量开始变差;(2)工作气体中氧与氩气压比(Po2/PAr)为2:3时,薄膜取向性最好;(3)薄膜晶粒尺寸11-34nm,相同沉积条件下,单晶硅衬底样品(002)衍 相似文献
9.
制备条件对反应溅射制备的a—SIC:H膜结构和特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
通过红外透射谱,可见-紫外透射反射谱和电导率的测量,研究制备条件(射频功率P和CH4流量比rc)对反应溅射法制备的a-Sic:H膜的结构和特性的影响。结果发现,当P=320W,rc=3.41%时,膜的质量较好:带尾较窄,膜中C成四配位,SiC键数目较多,Eopt〉2eV。对实验结果作了初步讨论。 相似文献
10.