小型预制桩基础承载特性数值模拟研究

本文建立硬化土本构模型,针对江苏省软土地区的土质条件选取数值计算参数,通过PLAXIS 2D软件对小型预制桩在的单桩水平受荷及竖向受荷进行数值模拟,得到桩身弯矩沿桩长的分布以及荷载-位移曲线,分析小型预制桩基础桩身弯矩的分布特点,并探求其在水平及竖向荷载作用下的承载特性,进而能够为小型预制桩基础工程设计以及计算方面提供一定的参考依据。     

气敏器件用SnO2薄膜材料

采用溶胶-凝胶法以SnCl     

非晶-微晶混合相硅应变计传感器材料的研制

<正> 目前生产中广泛使用的应变计传感器(应变片)有金属应变计和单晶半导体应变计。金属应变计的温度特性、线性都较好,但灵敏系数K小,通常K=2～4,利用半导体压阻效应的半导体应变计虽然灵敏系数较大,很容易得到K=50～150。但其温度特性和线性都较差,     

快速退火BF+注入非晶硅薄膜的显微分析

将具有能量９２ｋｅ Ｖ、剂量１×１０１５／ｃｍ ２ 的 Ｂ Ｆ＋ 注入由 Ｐ Ｅ Ｃ Ｖ Ｄ 方法制备的ａ Ｓｉ∶ Ｈ 薄膜中,然后用功率为 ６０ Ｗ 、束斑直径 ０２ｃｍ 的 Ｃ Ｗ Ｃ Ｏ２ 激光器进行 １０ｓ 快速退火。再用扫描电子显微镜（ Ｓ Ｅ Ｍ）进行显微形貌观察。分析结果指出：由于 Ｂ Ｆ＋ 的注入,使ａ Ｓｉ∶ Ｈ 薄膜中产生了多重结构缺陷,其表面轮廓是类似矩形和方形的图形;发现退火中的晶化是从这些缺陷的棱边开始。最后对晶化过程和机理进行了讨论。     

气敏器件用SnO_2薄膜材料

采用溶胶－凝胶法以ＳｎＣｌ２·Ｈ２Ｏ和ＺｒＯＣｌ２·８Ｈ２Ｏ为原料,制备出性能优良的纳米ＳｎＯ２薄膜材料。用Ｘ射线衍射仪分析了晶相,ＴＥＭ分析了微观结构。研究了掺杂、处理温度等对其性能的影响。在此基础上制作了ＳｎＯ２薄膜气敏器件,并检测了其气敏特性。     

硅表面内铵盐型碳菁膜及光电特性

通过硅氧碳键（ Ｓｉ－ Ｏ－ Ｃ） 将两个内铵盐型碳菁染料在硅表面化学成膜,利用表面增强喇曼光谱（ Ｓ Ｅ Ｒ Ｓ） 和 Ｘ 射线光电子能谱（ Ｘ Ｐ Ｓ） 确证其结构,并测定了键合染料膜硅片的光谱响应和表面光电压。结果表明染料可使硅敏化,且成膜硅片具有光生伏特效应     

单晶锗表面键合光敏染料及其电流-电压曲线的测定

将两种若丹菁染料直接键合在抛光的单晶锗表面,对键合有若丹菁的锗片进行了激光Raman光谱及XPS谱分析,结果表明,两种染料通过锗氧键共价键合于锗表面。键合有染料的n-型锗片的In(Pt)/染料／n-Ge器件具有整流作用,应用染料分子的半波电位计算所得的染料分子能级,较好地解释了染料敏化的机理。     

快速退火BF+注入非晶硅薄膜的显微分析

BF⁺ with 92keV and 1×10¹⁵/cm² was implanted into a-Si∶H film prepar ed by PECVD,then implanted sample has been rapid annealed using CWCO₂ Laser wi th output of 60W and spot size 0.2cm in diameter at 10s time.Microscopic topogr aphies analysis with SEM indicate thatUnder our annealing condition,the profile s of multi-structure defects in a-Si∶H film produced by BF⁺ implanting are some shapes of rectangle-like and square-like.Crystallization started from the edges of multi-structure defects.Crystallized procedure and the mechanism have been discussed.     

快速热退火多晶硅薄膜压阻特性研究

本文首先系统的研究了用 LPCVD工艺在温度为 625℃、气相硼硅原子比分别为 1.6 × 10~(-3)和2.0×10~(-3)时淀积的、其后又分别经900℃、1050℃、1150℃ 10秒钟快速热退火(RTA)处理的多晶硅薄膜压阻特性.然后,基于上述结果,着重研究了气相硼硅原子比分别为 1.6×10~(-3)、2.0 × 10~(-3)、4.0 ×10~(-3)和5.0 × 10~(-3)时淀积,其后只经1150℃ 10秒钟快速热退火处理的多晶硅薄膜压阻特性.在上述淀积条件下,与900℃ 30分钟常规热退火(FA)相比较,得到了快速热退火的最佳条件.