硅TCE氧化动力学的研究

本文主要研究在O_2/N_2混合气氛下,三氯乙烯(TCE)热氧化的动力学向题。研究中,采用最小二乘法,将五种函数(包括三种线性回归方程、对数和反对数)对实验数据进行计算机拟合分析,找出TCE氧化生长中氧化层厚度随氧化时间变化所遵循的规律,给出氧化层厚度随氧化时间变化,氧化速率随氧化层厚度变化的曲线,■及氧化速率常数随氧分压变化的计算结果,并就有关向题进行分析。研究结果表明:在氧分压Po_2=0.95atm,温度T=850°～1050℃,以及Po_2=10~(-2)～10~(-1)atm,T=1050℃的条件下,TCE氧化遵循线性一抛物线规律。在Po_2=5×10~(-2)～10~(-1)atm,T=850℃的条件下,TCE氧化遵循抛物线规律,TCE氧化的速率不仅大于普通干氧氧化,而且氧化速率dx/dt随氧化层厚度x的变化率与TCE的相对含量有关。随着TCE含量的减少,氧化速率的变化率趋于增大。与普通干氧氧化相似,TCE氧化的速率常数随氧分压的增大而增大。本文引入TCE氧化的有效扩散系数Deff(它大于普通干氧化的扩散系数D,且受TCE氧化与普通干氧氧化含量的调制)的概念,用于初步解释TCE生长规律的区别。     

POSFET压电传感器结构参数与特性的研究

本文分析了ＰＯＳＦＥＴ压电传感器的结构参数与特性。理论分析表明ＰＶＤＦ薄膜的声学灵敏度与膜的厚度和膜的弹性刚性系数成正比。实验结果显示，ＰＯＳＦＥＴ传感器的输出峰值随扩展栅面积的增加而增大，随沟道长度的减小而增大。ＰＯＳＦＥＴ传感器的灵敏度比之ＰＶＤＦ直接粘贴硅背衬传感结构提高了２０ｄＢ。     

背面敏感SRSF传感器的研究

针对＂传感器中毒＂现象，在正面敏感的扩展电阻硅流量（ＳＲＳＦ）传感器的基础上，提出背面敏感的ＳＲＳＦ传感器，并设计出相应的表面贴装元件（ＳＭＣ）封装形式。理论推导和测试结果表明：背面敏感的ＳＲＳＦ传感器的输出电压与流体流速、流向的关系可表述为：；芯片厚度对灵敏度影响很大，其最佳值为１５０μｍ。在最佳厚度下，背面敏感方式虽然牺牲了ＳＲＳＦ传感器的１０％的灵敏度，但却能有效防止传感器中毒，ＳＭＣ封装形式使背面敏感ＳＲＳＦ传感器的正、反流向对称性大大改善。     

中间退火对薄SiO_2膜电击穿特性的影响

本文研究中间退火处理对薄SiO_2膜电击穿特性和高频电容-电压特性的影响。结果表明,在温度θ=950～1100℃和时间t=0～90分钟范围内,薄SiO_2膜的缺陷密度和固定电荷密度随中间退火温度升高和时间增长而减少。与常规后退火比较,中间退火能更有效地改善干氧氧化膜的电击穿特性,也能改善湿氧氧化膜和TCE氧化膜的电击穿特性。经中间退火处理的干氧氧化膜,其固定电荷密度也稍有降低。     

硅扩展电阻式温度传感器阻温特性的研究

阐述了一种结构特点的硅扩展工元件的温度敏感原理，提出了物理模型?探讨了其工作温区拓宽机理。对器件的结构、材料、工艺参数对阻温特性的影响进行了计算机模拟分析及实验研究。理论分析和实验结果表明：传感器０－３００℃范围内具有正温度系数特性其阻温系数为０．７３％℃。要拓宽硅扩展电阻传感器ＰＴＣ特性区的工作温度范围，必须尽可能减少扩散接触区的体积和晶体的体积?尽可能提高硅掺杂浓度和晶体中载流子寿命，并适当提     

多层半导体结构的共振隧穿性质

应用转移矩阵方法，计算了多层半导体结构的电子透射系数，研究了三元准周期超晶格的电子共振隧穿性质，讨论了不同结构对隧穿性质的影响。结果表明：准周期超晶格结构的自相似性导致了电子透射率谱的自相似性；随着代数的增加，高透射率的区域越来越集中于某一小的能量范围；对应不同的排列结构，电子透射率随能量的分布也不相同，透射率较大的能量位置与系统中占多数的那种势阱的能级相对应。     

可用于＋300℃检测的新型硅扩展电阻温度传感器

提出一种结构新颖的硅扩展电阻温度传感器，这种传感器与硅平面加工技术兼容，易于集成化，当传感器在２ｍＡ的正向偏置电流下，由于少数载流子的不连纽性以及多数载流子的注入，传感器电阻的正温度系数区拓宽到５７３Ｋ以上。本文探讨传感器的图形设计理论和电阻－温度关系，与实验结果吻合。这种ＳＲＴ传感器在温度和流速检测中将得到广泛应用。     

不同封装的扩展电阻温度传感器瞬态热响应模型

研究了扩展电阻温度传感器的封装效应。对扩展电阻传感器封装热阻的测量和瞬态热响应 理论和实验研究。理论结果和实验结果吻合。实验和理论结果表明，管壳的几何形状比封装材料传感器瞬态响应时间的影响更重要。对于要求高灵敏度和快速响应的传感器封装，小型和球型的封装方式总是被推荐。的     

SiO_xN_y和SiO_2膜中的高场电子陷阱的温度依赖性和产生机理

研究了温度从１００～４２３Ｋ范围内在薄氮氧化硅膜和薄二氧化硅膜中的高场电子陷阱的温度依赖性。我们发现；在研究的温度范围内，当温度降低时，薄氮氧化硅膜中的有效高场电子陷饼表面浓度增加，相反，在薄二氧化硅膜中的有效高场电子陷阱表面浓度减少；对于二氧化硅膜，有效的高场电子陷阶能级集中在一个非常窄的能量范围，它的产生率是１．２８３×１０１１／ｃｍ２，激活能是０．１９２ｅＶ。根据实验结果，提出了一个在二氧化硅中的高场电子陷阱的产生模型。     

Π4功率晶体管热阻的测量

一、引言在无线电设备中应用功率晶体管时,往往需要利用晶体管所能获得最大限度的输出功率以及延长管子的使用寿命。为此,在设计功率晶体管时,要求能准确地计算它的热阻;在制造和应用功率晶体管时,要求能准确地测量它的热阻。早几年,许多工作者对小功率晶体管的热阻进行了研究,建立了等效热路,提出了热阻的测量方法。但是,直到目前为止,尚未找到精确测量大功率管热阻的方法,而且