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采用RF磁控溅射方法制备了Ag-MgF2复合薄膜.通过XRD测量,发现当退火温度在300~500℃时,Ag以晶态形式镶嵌在非晶态介质中;当退火温度低于300℃时候,Ag以非晶态形式存在.在分层镀Ag和MgF2薄膜后,经过热处理使Ag颗粒扩散在MgF2介质中,通过AFM观察,对复合薄膜形貌进行了分析:如果先镀MgF2薄膜,再镀Ag薄膜,发现Ag颗粒主要分布在薄膜的表面,并且富集形成较大的颗粒,表现出块体Ag的吸收特性.而先镀Ag薄膜,然后再镀MgF2薄膜,经过热处理,可以形成Ag颗粒均匀镶嵌在介质中形成的复合薄膜.同时对样品的吸收特性也进行了研究. 相似文献
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由Sheik-Bahe于1989年提出的Z-scan技术已经成为在非线性光学和材料科学领域里的一项非常有用的测量方法,它能简单而灵敏地测量非线性光折射率和吸收率.本文概要地讨论了Z-scan技术并介绍了它的最新进展,其中着重讨论了高斯分解法对此项技术的理论研究. 相似文献
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周期顺序蒸发工艺生长的Cu(In,Ga)Se_2薄膜结构 总被引:4,自引:1,他引:3
采用新颖的周期顺序蒸发和真空硒化退火工艺生长出p型CuIn0 7Ga0 3 Se2 薄膜.通过XPS谱、Raman谱、XRD谱分析了预生长层以及硒化后的CuIn0 7Ga0 3 Se2 薄膜,对四元化合物Cu(In ,Ga)Se2 的Raman谱进行了讨论,并观察到Ga对A1模式峰位的移动影响,同时发现薄膜倾向于沿(112 )晶面生长,薄膜贫Cu会加剧(2 2 0 ) / (2 0 4)表面自发分解成{ 112 }小晶面.研究表明,薄膜具有良好的电学特性和结构特性. 相似文献
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退火对大剂量Al离子注入GaN发光特性的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
首次报道了用不同浓度的Al离子注入于蓝宝石衬底上的GaN薄膜(注入能量为500keV、注入浓度为10^14-10^15cm^-2),在做了不同温度和不同时间的快速热退火处理以及常规热退火处理后,在12K下用He-Cd激光(325nm)激发得到其发射谱。结果显示,经大剂量Al注入后的样品,其光致发光谱中3.45eV的带边激子发光以及2.9-3.3eV的4个声子伴随峰消失,此表明大剂量Al注入对GaN的晶体结构造成严重的损伤,以致本征发光消失。经10^14cm^-2剂量Al注入后的样品,在N2气氛中退火处理后,2.2eV缺陷发光峰得到了一定程度的恢复。而且,经常规退火处理后,此发射峰比快速退火处理的样品发射峰恢复得更好(其积分光强高3倍)。相似的结果亦显示于10^15cm^-2浓度的Al注入的样品。2.2eV黄色荧光源于GaN的缺陷(如Ga空位VGa),或VGa-H2,或VGa-ON复合体),其能级位于价带顶以上约1.1eV处。荧光发射可以来自“导带-缺陷能级”的跃迁,也可能来自浅施主(如N位O,能有位于导带下-10meV)至上述缺陷能级之间的跃迁。I-V测量显示,Al的注入区成为-10^12Ω.cm^-1高阻膜,这表明Al的注入可能产生了某种深的电子陷阱,由于电子陷阱可俘获导带电子,导致发光猝灭,而退火可使与黄色荧光相关的缺陷得到部分恢复,因而2.2eV发射峰有所恢复。 相似文献