第八届全国化合物半导体和微波光电器件学术会议

第八届全国化合物半导体和微波光电器件学术会议Ｔｈｅ８ｔｈＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｆｔｈｅＣｏｍｐｏｕｎｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＭｉｃｒｏｗａｖｅＯｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅｓｉｎＣｈｉｎａ￥ＣｈｅｎＰｅｉｄｉ；ＷｕＸｉａｎｊｉｎｇ（Ｎａ...     

钢样成分化验分析结果网络传输系统的开发与应用

钢样成分化验分析结果网络传输系统将碳硫分析仪、光谱分析仪和相应的计算机控制系统按以太网络结构组联,形成"炉前分析网络",采用分析网主服务器系统软件和网络分析系统软件实现网络传输。该系统可将炉前钢样化验分析结果实时传输到炉前大屏,具有传输速度快、准确率高的特点,提高了工作效率和产品合格率,降低了生产成本。     

不耦合装药孔壁压力的计算（二）

应用爆轰和气体动力学理论,建立适当模型,分析起爆后药室流场发展全过程,作者编程计算孔壁压力等壁面参数,该程序还可分析药室内其它伴生问题,便于进行爆破机制的研究.本文介绍其理论和方法.     

CMOS兼容近红外Si0.7Ge0.3/Si p-i-n(SOI)光电探测器

报道了一种采用UHV/CVD锗硅工艺和CMOS工艺流程在SOI衬底上制作的横向叉指状Si0.7Ge0.3/Si p-i-n光电探测器.测试结果表明:其工作波长范围为0.7～1.1μm,在峰值响应波长为0.93μm,响应度为0.38A/W.在3.0V的偏压下,其暗电流小于1nA,寄生电容小于1.0pF,上升时间为2.5ns.其良好的光电特性以及与CMOS工艺的兼容性,为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试,在高速光信号探测等应用中有一定的价值.     

我国膜法海水淡化技术现状与发展前景

本文介绍了我国利用膜技术进行海水淡化的进展,以及海岛地下苦咸水淡化的现状.还展望了海水淡化在我国进一步发展的前景.     

硼预淀积对自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响

研究了以不同B2H6流量预淀积硼对UHV/CVD自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响。在适当的生长条件下,得到了尺寸分布很窄的均匀Ge量子点,用AFM对量子点的形貌进行观察,Ge量子点尺寸的涨落小于±3%,量子点的水平尺寸和高度分别为60nm和10nm,密度为8×109cm-2。实验结果表明,通过预淀积硼表面处理,可以得到尺寸分布很窄的量子点,以满足量子点光电器件方面应用的要求。     

阻燃玻璃纤维增强PA6的紫外光稳定性

分别将三聚氰胺氰尿酸盐、十溴二苯乙烷、溴化聚苯乙烯和次磷酸盐作为阻燃剂对尼龙6(PA6)进行阻燃玻璃纤维增强改性,采用热失重分析仪、水平垂直燃烧测定仪、分光测色仪对PA6复合材料的热降解行为、阻燃性能和紫外光老化后色差值(ΔE)进行了分析。结果表明,阻燃剂的引入提升了PA6复合材料的阻燃性能,但是降低了复合材料的热稳定性。阻燃剂类型对PA6复合材料紫外光黄变的影响程度依次是溴化聚苯乙烯>十溴二苯乙烷>三聚氰胺氰尿酸盐、次磷酸盐。通过将紫外光吸收剂和中性受阻胺光稳定剂复配使用可以有效抑制溴化聚苯乙烯阻燃增强PA6材料的紫外光黄变。