连续时间Sigma Delta ADC设计和非理想因素分析

文章设计了一个用于物联网模拟基带的、低压、低功耗、宽带、连续时间Sigma Delta ADC,特别是对各种非理想因素（时钟抖动,环路延时,运放有限增益和带宽,比较器offset,DAC失配等）,基于matlab和simulink等工具进行了系统级仿真并得到各种非理想因素对系统性能的影响。电路架构采用3阶3bit前馈加反馈结构,电源电压1.2V,输入信号带宽为16MHz,过采样率为16,采样频率为512MHz。测试结果显示,SNR为60dB,SNDR为59.3dB,总功耗为22mW。     

MF生料均化库的充气控制方式及应用

MF均化库是Multi-Flow．Silo（多股流库）的简称，是德国伯力鸠斯公司70年代开发的重力连续式生料均化库，由于系统简单、电耗低、单库均化系数可达5～8，因而在世界各地水泥行业得到广泛应用。经多年生产和开发研究，现已形成国产多股流库（中18m、中15m、中12m和中10m）系列产品，配套于4000t／d-300t／d生产线。     

一种低功耗低电流失配可编程电荷泵

基于0.13 μm CMOS工艺,实现了一种适用于超宽带EOC-Tuner频率合成器的低功耗可编程电荷泵。通过延迟调节单元基本消除了电荷泵控制信号的延迟失配,采用辅助管降低电荷共享的影响,采用误差放大器实现电流精确匹配。后仿结果表明,电荷泵的标准电流为10~160 μA,电流变化步长为10 μA;当输出电流为160 μA时,电流失配低于0.6%,基本消除了电流失配;在0.3~1.2 V输出电压范围内,电流波动为6.4%,避免了沟道长度调制效应的不良影响;延迟失配和电荷共享导致的电流过冲低于20%;当锁相环环路锁定且电源电压为1.5 V时,电荷泵和鉴频鉴相器仅消耗电流197 μA。流片测试结果表明,锁相环输出信号频率为675 MHz时,电荷泵产生的参考杂散约为－64.81 dBc。     

水泥厂SNCR脱硝技术简述

水泥生产过程排出的大量废气中含有有害气体NOx,世界各国都十分重视对NOx的控制和治理。我国工业和信息化部于2010年11月16日发布第127号公告．其中水泥行业准人条件的第五项“环境保护”,明确规定：新建或改扩建水泥（熟料）生产线项目须配置脱除NOx效率不低于60％的烟气脱硝装置。SNCR是目前国际上应用于水泥厂脱硝最有效、应用最多的一项技术．国内还没有实际应用的报道。笔者已申报合肥水泥研究设计院脱硝工作项目,拟研究开发SNCR系统成套装置．现对SNCR技术做简要叙述。     

256MHz采样71dB动态范围连续时间ΣΔADC设计

宽带连续时间ΣΔ型数模转换器大量用于无线通信领域.设计了采用三阶4bit连续时间调制器架构.为降低时钟抖动的影响,采用不归零数模转换器反馈脉冲,通过引入半个时钟周期延时来改善环路异步问题,以补偿环路延时对性能的影响.还从电路、算法和版图方面来降低反馈数模转换器失配的影响.由于米勒补偿增加了电容而增大功耗,因此这里采用前馈补偿技术,设计了一款低功耗、高速的运算放大器.最后基于0.13μm工艺,在256MHz采样频率、1.2V电源电压下,在8MHz带宽内信噪失真比达到62.5dB和71dB动态范围,功耗为15mW.     

基于EPC Gen2防碰撞机制的研究与优化

RFID系统必须解决多个标签同时接入阅读器发生碰撞的问题.文中针对EPC Gen2算法中Q值调整算法和多标签读取机制的不足,在不改变原有命令格式和不增加命令的条件下提出优化方案,通过对多种方案的分析比较提出改进的多标签响应机制.     

无线植入式连续眼内压检测微系统发展与展望

植入式眼压检测微系统是一种植入到眼内进行眼内压连续检测并通过电磁波传输到体外的微系统。根据该系统近些年的研究进展对该系统进行综述,介绍了该系统常采用的LC振荡结构和SoC结构的原理和发展历程,并对其主要技术指标和制作工艺以及存在问题进行论述;结合生物电磁效应、MEMS技术和集成电路技术等,综合分析了SoC系统的天线、电路系统和压力传感器等关键技术的发展现状、存在的问题和突破方向;对生物兼容性材料和植入位置等应用层面进行总结和展望;最后根据对该系统存在问题的总结,对该系统的发展趋势进行展望。     

一种应用于CHPAV2.0的高速EoC Tuner芯片

设计了一种用于C-HomePlug AV (CHPAV) 2.0标准同轴以太网系统的低中频宽带射频收发器芯片。该芯片支持的射频频率范围为0.3~1.3 GHz,中频最高支持300 MHz带宽。芯片集成双LNA和双PA,提供灵活的增益配置,并有利于噪声与线性度的折中优化。同时,集成了整数分频频率合成器和数字控制接口。芯片采用TSMC 0.13 μm CMOS工艺实现。仿真结果表明,接收链路最大增益为40 dB,发射功率最高达10 dBm,在3.3 V电源供电下,接收和发射模式的最大功耗分别为64 mA和118 mA。     

一种高性能CMOS晶体振荡电路的设计

本文对晶体振荡器的线性和非线性理论给出一般性的理论描述。它建立在高Q值的谐振电路基础上。常见的是三点振荡器，包括Pierce振荡器以及单端口振荡器。通过对电路的阻抗进行根轨迹分析，则能更清晰地了解电路的非线性性能。通过无损耗假设，可得到起振的基本条件以及频率牵引度、临界阻抗及启动时间等表达式。作为在RF设计中的一个应用电路，本文给出一种应用在接收器芯片中的高性能CMOS晶体振荡器设计，该芯片用0．25μm CMOS工艺实现，仿真结果与系统要求一致。