未退火Co/n-poly-SiGe肖特基接触不均匀性研究

在n型单晶硅衬底上,用射频磁控溅射法沉积Si1-x Gex薄膜,在850℃下对薄膜进行40min磷扩散,制备出n-poly-Si1-x Gex.俄歇电子谱(AES)测试表明,Si1-xGex薄膜的Ge含量约为18％,即磷扩散后得到n-poly-Si0.82 Ge0.18.随即在n-poly-Si0.82 Ge0.18薄...     

含理想二极管电阻电路的分析

理想二极管是“电子线路”课程中学生第一个接触的非线性理想器件,也是最为简单的非线性器件。含理想二极管电阻电路虽是一类简单的非线性电路,但对于学生理解非线性器件的特性、掌握直流大信号电子电路的分析方法具有引导性的意义。笔者总结了含理想二极管电阻电路的三种分析方法：观察法、预猜验证法和开路电压法,并应用于教学实践中,取得了...     

实用电源（3）

常用开关电源还需要分离元件、IC、功率开关元件和专用整流二极管等器件。其中如常用开关电源控制IC,它的出现大大简化了开关电源的设计制作程序。本文主要介绍常用开关电源需要的如常用开关电源控制IC、     

实用电源（4）

常用开关电源初级大多接市电（50赫兹）,整流器通常采用普通二极管整流。但DC—DC的次级需要专用高频整流二极管等器件。因为整流二极管和功率开关元件是工作在高频电压电流条件下,要求具有高速、快恢复和正向电阻小三种性能的整流二极管。不可使用市电网整流用的普通整流二极管!否则,就会发生意想不到的后果。     

0.1～5GHz梳状谱发生器的设计与实现

梳状谱信号发生器在捷变频雷达、频标发生器等要求激励源同时输出数十个高纯频点中有着普遍的应用,同时在仪器设备中常常是扩展频带的关键器件。阶跃恢复二极管常用于梳状谱发生器及单阶高次的倍频器的设计。这里利用阶跃恢复二极管的强非线性特性,设计一个0.1到5GHz梳状谱发生器,输入信号为100MHz。首先通过理论计算和ADS辅助仿真获得初值,然后通过在真实系统上大量的实验获得最终结果。     

便携式分光测色仪电路设计

为了实现对物体表面颜色的精确测量,介绍了一种基于分光光度法的颜色检测仪器的电路设计.该系统以LPC2478芯片为核心,首先控制脉冲氙灯曝光,实现对被测物体的照明,然后利用S4114-46Q光电二极管阵列对由光学系统分光产生的物体光谱信号进行分时采集,最后通过A/D转换和数据处理得到物体颜色信息,并将检测结果通过LCD显示输出.结果表明,系统功率低于5 W,单次测量时间为2 s,两次测量间隔为3 s;该设计具有测量时间短、体积小、功耗低等优点,适合应用于印染、纺织等需要现场测量的领域.     

CMOS数字像素传感器噪声研究

在研究CMOS数字像素传感器(DPS)噪声特性的基础上,利用脉冲宽度调制(PWM)原理建立了关于PWM DPS完善的系统噪声数学模型。相比于传统CMOS图像传感器噪声研究,该模型考虑了系统中各像素单元积分时间不同和像素级模数转换的特点,推导出总噪声表达式。研究表明,低照度时噪声由暗电流散粒噪声主导,光强大时主要来源为光电二极管散粒噪声。模型中光电二极管散粒噪声与光照无关、暗电流散粒噪声与光照有关。研究结果表明针对PWM DPS系统,适当增大节点电容和比较器参考电压、改善比较器失配可有效降低噪声。     

Potential of asymmetrical Si/Ge and Ge/Si based hetero-junction transit time devices over homo-junction counterparts for generation of high power

Static and dynamic properties of both complementary n-Ge/p-Si and p-Ge/n-Si hetero-junction Double-Drift IMPATT diodes have been investigated by an advanced and realistic computer simulation technique, developed by the authors, for operation in the Ka-, V- and W-band frequencies. The results are further compared with corresponding Si and Ge homo-junction devices. The study shows high values of device efficiency, such as 23%, 22% and 21.5%, for n-Ge/p-Si IMPATTs at the Ka, V and W bands, respectively. The peak device negative conductances for n-Si/p-Ge and n-Ge/p-Si hetero-junction devices found to be 50.7 ? 10⁶ S/m² and 71.3 ? 10⁶ S/m², which are ～3-4 times better than their Si and Ge counterparts at the V-band. The computed values of RF power-density for n-Ge/p-Si hetero-junction IMPATTs are 1.0 ? 10⁹, 1.1 ? 10⁹ and 1.4 ? 10⁹ W/m², respectively, for Ka-, V- and W-band operation, which can be observed to be the highest when compared with Si, Ge and n-Si/p-Ge devices. Both of the hetero-junctions, especially the n-Ge/p-Si hetero-junction diode, can thus become a superior RF-power generator over a wide range of frequencies. The present study will help the device engineers to choose a suitable material pair for the development of high-power MM-wave IMPATT for applications in the civil and defense-related arena.     

抗辐照SOI256kB只读存储器的ESD设计

ESD设计技术已成为业界提升SOI电路可靠性的一个瓶颈技术。文章介绍了一款具有抗辐照能力、基于SOI／CMOS工艺技术研制的容量为256kB只读存储器电路的ESD设计方案。结合电路特点详细分析了其ESD设计的难点,阐述了从工艺、器件和电路三个方面如何密切配合,进行SOI电路ESD设计的分析思路和解决方法。电路基于0．8...     

科锐1200 V碳化硅肖特基二极管开关损耗锐减50%

科锐公司(CREE)日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200V Z-Rec碳化硅(SiC)肖特基二极管组成,不仅优化了价格和性能,还可提供多种额定电流和封装选择。通过推出种类齐全的碳化硅二极管产品系列,科锐不断将碳化硅功率器件向主流功率应用中推广。