Potential of asymmetrical Si/Ge and Ge/Si based hetero-junction transit time devices over homo-junction counterparts for generation of high power

Static and dynamic properties of both complementary n-Ge/p-Si and p-Ge/n-Si hetero-junction Double-Drift IMPATT diodes have been investigated by an advanced and realistic computer simulation technique, developed by the authors, for operation in the Ka-, V- and W-band frequencies. The results are further compared with corresponding Si and Ge homo-junction devices. The study shows high values of device efficiency, such as 23%, 22% and 21.5%, for n-Ge/p-Si IMPATTs at the Ka, V and W bands, respectively. The peak device negative conductances for n-Si/p-Ge and n-Ge/p-Si hetero-junction devices found to be 50.7 ? 10⁶ S/m² and 71.3 ? 10⁶ S/m², which are ～3-4 times better than their Si and Ge counterparts at the V-band. The computed values of RF power-density for n-Ge/p-Si hetero-junction IMPATTs are 1.0 ? 10⁹, 1.1 ? 10⁹ and 1.4 ? 10⁹ W/m², respectively, for Ka-, V- and W-band operation, which can be observed to be the highest when compared with Si, Ge and n-Si/p-Ge devices. Both of the hetero-junctions, especially the n-Ge/p-Si hetero-junction diode, can thus become a superior RF-power generator over a wide range of frequencies. The present study will help the device engineers to choose a suitable material pair for the development of high-power MM-wave IMPATT for applications in the civil and defense-related arena.     

CMOS数字像素传感器噪声研究

在研究CMOS数字像素传感器(DPS)噪声特性的基础上,利用脉冲宽度调制(PWM)原理建立了关于PWM DPS完善的系统噪声数学模型。相比于传统CMOS图像传感器噪声研究,该模型考虑了系统中各像素单元积分时间不同和像素级模数转换的特点,推导出总噪声表达式。研究表明,低照度时噪声由暗电流散粒噪声主导,光强大时主要来源为光电二极管散粒噪声。模型中光电二极管散粒噪声与光照无关、暗电流散粒噪声与光照有关。研究结果表明针对PWM DPS系统,适当增大节点电容和比较器参考电压、改善比较器失配可有效降低噪声。     

抗辐照SOI256kB只读存储器的ESD设计

ESD设计技术已成为业界提升SOI电路可靠性的一个瓶颈技术。文章介绍了一款具有抗辐照能力、基于SOI／CMOS工艺技术研制的容量为256kB只读存储器电路的ESD设计方案。结合电路特点详细分析了其ESD设计的难点,阐述了从工艺、器件和电路三个方面如何密切配合,进行SOI电路ESD设计的分析思路和解决方法。电路基于0．8...     

科锐1200 V碳化硅肖特基二极管开关损耗锐减50%

科锐公司(CREE)日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200V Z-Rec碳化硅(SiC)肖特基二极管组成,不仅优化了价格和性能,还可提供多种额定电流和封装选择。通过推出种类齐全的碳化硅二极管产品系列,科锐不断将碳化硅功率器件向主流功率应用中推广。     

高压直流数据中心的探索与实践

1高压直流应用背景1.1传统的新挑战数据中心行业一直采用UPS电源系统供电或低压直流系统(48V)供电。随着IDC业务的快速发展,传统的UPS供电模式在安全性、经济性方面凸现出很多问题;为了提高能效,提升可靠性,降低成本以应付高速增长的数据中心服务器规模。我们采用高压     

VE432型箱体提升系统故障分析及改进

本文总结了VE432电控箱体提升系统的提升功能失效、提升开关自动保护、DOWN回路始终有电等在生产中的常见故障,详细地分析了故障原因,从而准确地判断故障电路。对故障电路进行改进后,提高了电控箱体提升系统工作的稳定性,降低了故障率。     

便携式分光测色仪电路设计

为了实现对物体表面颜色的精确测量,介绍了一种基于分光光度法的颜色检测仪器的电路设计.该系统以LPC2478芯片为核心,首先控制脉冲氙灯曝光,实现对被测物体的照明,然后利用S4114-46Q光电二极管阵列对由光学系统分光产生的物体光谱信号进行分时采集,最后通过A/D转换和数据处理得到物体颜色信息,并将检测结果通过LCD显示输出.结果表明,系统功率低于5 W,单次测量时间为2 s,两次测量间隔为3 s;该设计具有测量时间短、体积小、功耗低等优点,适合应用于印染、纺织等需要现场测量的领域.     

厦华XT-7128T彩电保护电路维修技巧(上)

厦华XT-7128T彩电微处理器采用KY88C94,亮度、色度、扫描小信号处理电路采用TA8759AN。该机设有:电源失压、欠压检测保护和行、场输出过压检测保护电路。一、保护电路工作原理厦华XT-7128T彩电(如图1所示)设有两套保护系统:一是依托开/关机电路设计的低电压失压、欠压保护电路。发生故障时,开/关机电路动作,切断主电     

日立CMT2998彩电保护电路维修技巧(四)

(2)测量Q7991控制极各路触发电压,确定故障范围开机后,保护前的瞬间测量Q7991(晶闸管)控制极电压,当测量Q7991的控制极电压为高电平0.7V时,说明Q7991进入保护状态。由于控制极连接的保护电路较多,具体由哪路保护电路触发Q7991,可通过测量控制极各路保护电路触发电压的方法来确定故障范围。     

九阳19BE1/BE5型电磁炉主板电路故障的维修(二)

②维修注意事项:当开关电源模块损坏时,必须断开引脚检查以下器件:绕线电阻R503、D500、D501、D502、D503、D504、R500、R501、ZD500、ZD501、Q500、C502、C520。2.电流检测电路互感器串联在市电电路中,可将电磁炉工作时的电流变化情况如实地转换成交流电压值,通过R100、C100组成RC杂波滤波器,送入由4只二极管组成的全波整流桥。再经电解电容C101滤波,送入