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41.
《四川食品与发酵》2019,(2):85-89
针对加工肉制品基质复杂,采用固相萃取的样品前处理方式,建立二极管阵列高效液相色谱法梯度洗脱同时测定加工肉制品中的防腐剂和抗氧化剂。采用Xtimate C18(4.6 mm×250 mm,5μm)色谱柱分离,以甲醇-0.02 mol/L乙酸铵溶液为流动相梯度洗脱,标准曲线法定量。防腐剂、抗氧化剂的线性范围为0-10.0 mg/L,相关系数均大于0.995,检出限(LOD)为0.05-0.40 mg/kg。在3种加标水平下的平均加标回收率为85.1%~98.5%,相对标准偏差为1.2%-5.3%(n=6)。该方法准确、灵敏度高、重现性好,适用于加工肉制品中11种防腐剂和抗氧化剂的测定。 相似文献
42.
基于二体碰撞近似理论(BCA),应用分子动力学(MD)和动力学蒙特卡罗(KMC)方法相结合的多尺度模拟方法,研究了单粒子位移损伤(SPDD)缺陷及电流的演化过程。研究结果表明,SPDD事件中引起的缺陷在106 s内分为3个阶段:阶段Ⅰ(1×10-11 s≤t<2×10-3 s)以点缺陷成团为主;阶段Ⅱ(2×10-3 s ≤t<2×102 s)中以缺陷团内部的间隙原子和空位复合反应为主;阶段Ⅲ(t≥2×102 s)中以小缺陷团发射间隙原子和空位为主。提出一种计算粒子在硅二极管中引起的SPDD电流的方法,推导了多种缺陷存在时引起的二极管反向电流增加的计算公式。基于KMC模拟的位移损伤缺陷演化结果,计算了光电二极管的SPDD电流密度及归一化退火因子。结果表明,KMC模拟计算的退火因子与文献实验测量结果相一致,建立的多尺度模拟方法可预估硅器件的SPDD电流。 相似文献
43.
报道了一种具有高正向电流密度和高反向击穿场强的垂直型金刚石肖特基势垒二极管器件。采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在高掺p~+单晶金刚石衬底上外延了一层275 nm厚的低掺p~-金刚石漂移层,并通过在样品背面和正面分别制备欧姆和肖特基接触电极完成了器件的研制。欧姆接触比接触电阻率低至1.73×10~(-5)Ω·cm~2,肖特基接触理想因子1.87,势垒高度1.08 eV。器件在正向-10 V电压时的电流密度达到了22 000 A/cm~2,比导通电阻0.45 mΩ·cm~2,整流比1×10~(10)以上。器件反向击穿电压110 V,击穿场强达到了4 MV/cm。 相似文献
45.
Raju Baddi 《电子设计技术》2012,19(8):61
在用高于常见的电源电压(如24V)设计逻辑电路时,可以结合使用标准逻辑系列与一只稳压器,通过电平转换器做接口。另外,如果逻辑并不太复杂,速度也不是非常高,可以用分立元件建立门控电路,直接用当前电压运行。分立元件的AND、OR和NOT功能都相对简单明确,但XOR和XNOR功能通常需要多个AND、OR和NOT基础功能的组合。 相似文献
46.
47.
使用轴向寿命控制(CAl-controlled axial lifetime)技术,SEMIKRON将他的第4代续流二极管从1200V扩展到了650V和1700V电压等级。一种创新的终端结构提供了对于极端环境,如湿度影响的高稳定性。此外,这种终端结构使器件能够稳定地工作到175°C。增强型CAL4二极管还对低频及高频等级分别进行了优化,以便获得较好开关特性和较低损耗的最佳折衷。 相似文献
48.
50.