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31.
作为汽车电子行业的领先半导体解决方案供应商,英飞凌亚太区战略商务项目部和汽车电子工程师精英团队集体出席了第二届英飞凌汽车电子开发者大会,本届大会已于近日在上海成功落幕。笔者有幸在本次大会上向英飞凌科技(中国)有限公司中国区汽车电子业务负责人兼高级总监徐辉和英飞凌科技(中国)有限公司中国区市场部汽车电子业务总监杜曦了解了更多关于英飞凌的现状与发展。  相似文献   
32.
正6月24日,由工业和信息化部、发展改革委、科技部、财政部等部门编制的《国家集成电路产业发展推进纲要》正式发布,实施细则也将相继出台。投资基金、推广应用、打造产业链等系列政策对集成电路产业的扶持力度堪称近十年之最,力度远超"18号文件"和4号文,将成就集成电路产业新的"黄金十年"。就《纲要》的内容与解读,本刊编辑采访了工业和信息化部软件与集成电路促进中心主任邱善勤。  相似文献   
33.
用电共沉积方法制备InGaAs薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
用电共沉积方法制备出4种InGaAs薄膜,用能谱析仪分析了薄膜成分,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率。结果表明,InxGa1-xAs薄膜为多晶结构,晶粒尺寸约为0.25μm,晶粒细致、均匀,其V-I特性是线性的,随着Ga含量的减少,发光波长增大。InGaAs薄膜的发射光波长为1.3-1.5μm。  相似文献   
34.
基于硅各向异性腐蚀的平面沟道无阀微泵研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
依据扩散口/喷嘴理论,设计了不同几何尺寸无阀微泵的扩散口/喷嘴光刻掩模版图,采用硅平面工艺、各向异性腐蚀及削角补偿等技术,制作出了多种无阀微泵.对无阀微泵泵压及流量进行了实验研究,结果表明泵压与流量均呈现反比关系;扩散口/喷嘴的张角为8°时微泵效率最高;扩散口/喷嘴长度为2500μm、扩散口/喷嘴的窄口宽度为150μm、腐蚀深度为150μm时,无阀微泵的最大泵压和流量分别为14.9kPa和558μL/min.  相似文献   
35.
掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜应变系数的影响   总被引:11,自引:0,他引:11  
为有效利用多晶硅纳米薄膜研制MEMS压阻器件,本文对LPCVD多晶硅纳米薄膜应变系数与掺硼浓度的关系进行了研究,并利用扫描电镜和X射线衍射实验分析了薄膜的结构特点.结果表明:在重掺杂情况下,纳米薄膜的应变系数明显大于相同掺杂浓度下单晶硅的应变系数,而且掺杂浓度在2.5×1020cm-3左右时,应变系数具有随掺杂浓度升高而增大的趋势.对这种实验结果依据隧道效应原理进行了理论解释,提出了多晶硅压阻特性的修正模型.  相似文献   
36.
提出一种新型压力传感器自检测方法--相变热驱动法.在压力传感器的密封腔中填充相变物质,利用相变物质气化后所产生的巨大压力实现自检测功能.通过控制压力腔中相变物质的填充量与加热电阻的加热功率,可以实现不同量程压力传感器的自检测.基于相变热驱动法研制了一种单晶硅大量程自检测压力传感器,传感器为硅-玻璃-硅三层结构,通过静电键合与热键合技术制备.测试结果显示,自检测电压输出为满量程输出的6.8%,综合精度高于2.1‰.  相似文献   
37.
利用ANSYS软件对毛细管电泳芯片微沟道内样品流动情况进行模拟,获得了不同进样模式下微沟道的结构与流体流速之间的关系,对芯片整体结构参数进行设计:毛细管微沟道最终尺寸为宽度16μm,深度10μm,有效分离长度为3.5cm的圆角转弯形沟道.采用激光诱导荧光原理进行实验测试,建立测试系统,对两段不同长度的DNA片段实现了基线分离, 研究结果为毛细管电泳芯片的进一步应用奠定了基础.  相似文献   
38.
利用电共沉积技术,在简单盐和带有络合剂的盐酸溶液中,制备了AlxGa1-xAs三元化合物薄膜。用能谱分析仪测量了薄膜成分,分析结果表明,该膜为符合化学计量比的三元化合物AlxGa1-xAs半导体材料,用分光光度计对膜进行测量,在较宽光波波段获得一定的透射率。  相似文献   
39.
从技术及应用方面,对芯片实验室在近几年内的研究现状和发展趋势予以综述.介绍了芯片实验室的加工技术、基底材料的选择以及常用的几种检测手段,并详细阐述了该技术在临床分析、环境监测、核酸和蛋白质分析以及细胞和离子的检测中的应用.  相似文献   
40.
全球领先的半导体测试设备供应商爱德万测试自1972年跨足半导体测试领域,目前已成为全球电子产业晶圆测试与分类解决方案领导者。爱德万测试一直以创新的实力领导业界发展,并坚持品质与可靠性至上的原则。为更好的服务全球客户,爱德万测试分别在日本、美国、德国设置研发中心,同时,在欧洲、新加坡、韩国、台湾地区及中国大陆均设有分公司,爱德万测试也非常看好并重视中国大陆半导体市场,亦在苏州、北京、成都、西安、大连等地设置  相似文献   
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