硅深刻蚀技术中钝化工艺的研究

穿透硅通孔技术是实现3D集成封装的关键技术之一,而交替复合深刻蚀技术是实现穿透硅通孔的重要方式。本文分别采用CF4、C4F8和O2研究交替复合深刻蚀中的钝化工艺,用X射线能谱测试仪分析了不同气体在硅表面产生的钝化薄膜,为硅深刻蚀技术的实现奠定了基础。     

用厨房垃圾的乳酸发酵液合成丙交酯的研究

以营养丰富的厨房垃圾为原料,通过接种乳酸菌发酵,得到了乳酸含量为31.47g?L?1的厨房垃圾发酵液;用电渗析法从厨房垃圾发酵液中提取乳酸,将电渗析分离液经减压脱水浓缩至乳酸含量为70%~80%(wt),作为合成丙交酯的原料。选用氧化锌作为解聚剂,分析纯D,L-乳酸作为原料通过正交设计实验确定了生成丙交酯的最佳条件为:预聚温度150℃,预聚时间3h,解聚剂用量为1.0%(wt),解聚温度220℃;在此条件下,以厨房垃圾发酵液提取的乳酸为原料合成丙交酯,其产率为60%。该丙交酯经熔点测定、红外光谱和核磁共振分析的结果表明:用厨房垃圾的乳酸发酵液合成的丙交酯为D,L-丙交酯。本工艺不但可降低丙交酯的生产成本,而且解决了厨房垃圾的环境污染问题。     

硅深刻蚀中掩蔽层材料刻蚀选择比的研究

基于硅的高深宽比微细结构是先进微器件的关键结构之一,在其加工工艺中,具有高选择比的掩蔽层材料是该结构实现的重要保证.研究了在感应耦合等离子体刻蚀过程中射频功率和气体流量对不同材料刻蚀性能的影响,获得了在SF6等离子体中Si,SiO2,MgO以及Al等材料的刻蚀速率,同时获得了在该等离子体中Si相对SiO2,MgO以及Al的选择比.通过比较研究,得到了硅深刻蚀中最佳的掩蔽层材料及刻蚀工艺参数.     

配合物K2[Y^Ⅲ（dtpa）（H2O）]·7H2O的合成及结构研究

介绍了稀土金属离子Y^Ⅲ与氨基多羧酸类配体二乙三胺五乙酸（dtpa）形成的配合物的分子结构。配合物K2[Y^Ⅲ（dtpa）（H2O）]·7H2O中Y^Ⅲ与来自同一个二乙三胺五乙酸的3个氮原子和5个羧基氧原子及一个水分子的氧原子配位,配位数为9,形成单帽四方反棱柱体结构。     

计量的自闭与发展

计量,是科技的先行、经济的支撑、公平的基石,素有科学、严谨、规范的职业要求。然而,对于一些要求片面的、肤浅的认识也在一定程度上禁锢了计量的发展。避开错误认知,面向质量、围绕产业、贴近工程,才能找到计量的正确发展方向。     

不确定度分析在设计0.02级电能表检定装置中的指导作用

本文通过对电能表检定装置不确定度分量的理论分析,围绕准确度提出了几种减小不确定度分量的措施,并且在设计0.02级电能表检定装置的过程中得到实证,验证了不确定度理论对研制计量标准的指导作用。     

Ratfor-Fortran翻译程序

本文主要介绍了结构Fortran语言到Ratfor语言的翻译方法,具体介绍了Fortran语言与Ratfor语言的区别和把Ratfor语言中的控制流语句翻译成Fortran语言的控制流语句的方法.     

基于Qt的TCP网络编程研究与应用

作为一个优秀的跨平台应用程序和UI开发框架,Qt被越来越多地用于应用程序的开发上。而网络程序又是软件开发的主要方面之一。所以本文对如何利用Qt开发TCP网络程序进行了研究,并设计与实现了一个简单的客户端/服务器程序。     

高灵敏度室温锑化铟红外探测器研制

通过对室温工作的光导型锑化铟红外探测器的设计与工艺研究,在理论分析和工艺实验的基础上,优选制造灵敏元的材料,精心设计探测器的光学系统,改进制造工艺,实现对灵敏元精密腐蚀的有效控制等。研制成功的电压响应率达103V/W,黑体探测率达1010cm.Hz1/2.W-1左右,光谱响应范围2~8μm,响应时间≤2×10-8s的高性能、高稳定、高可靠器件。     

现代灌溉发展核心理念及主要措施研究

灌溉是农业生产不可或缺的基础条件,灌溉现代化是农业现代化的重要组成部分。通过总结梳理我国灌溉发展现状及主要问题,提出现代灌溉发展基本原则、核心理念与主要措施,旨在明确新时代现代灌溉发展方向,为灌区现代化改造、保障乡村振兴战略落实落地、促进农业农村现代化建设提供支撑。