| 硅深刻蚀中掩蔽层材料刻蚀选择比的研究 |
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| 引用本文： | 蔡长龙,马睿,刘卫国,刘欢,周顺.硅深刻蚀中掩蔽层材料刻蚀选择比的研究[J].半导体光电,2009,30(2):211-214. |
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| 作者姓名： | 蔡长龙 马睿 刘卫国 刘欢 周顺 |
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| 作者单位： | 西安工业大学,光电微系统研究所,西安,710032;西安工业大学,光电微系统研究所,西安,710032;西安工业大学,光电微系统研究所,西安,710032;西安工业大学,光电微系统研究所,西安,710032;西安工业大学,光电微系统研究所,西安,710032 |
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| 基金项目： | 西安-应用材料创新基金研究项目 |
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| 摘 要： | 基于硅的高深宽比微细结构是先进微器件的关键结构之一,在其加工工艺中,具有高选择比的掩蔽层材料是该结构实现的重要保证.研究了在感应耦合等离子体刻蚀过程中射频功率和气体流量对不同材料刻蚀性能的影响,获得了在SF6等离子体中Si,SiO2,MgO以及Al等材料的刻蚀速率,同时获得了在该等离子体中Si相对SiO2,MgO以及Al的选择比.通过比较研究,得到了硅深刻蚀中最佳的掩蔽层材料及刻蚀工艺参数.
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| 关 键 词： | 等离子体刻蚀 掩蔽层材料 刻蚀速率 选择比 |
Study on Etch Selectivity Ratio of Masking Materials in Silicon Deep Etching |
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| CAI Chang-long,MA Rui,LIU Wei-guo,LIU Huan,ZHOU Shun.Study on Etch Selectivity Ratio of Masking Materials in Silicon Deep Etching[J].Semiconductor Optoelectronics,2009,30(2):211-214. |
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| Authors: | CAI Chang-long MA Rui LIU Wei-guo LIU Huan ZHOU Shun |
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