In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM光电探测器光电响应速度研究

本文通过分析In_(0.53)Ga_(0.47)As材料的电子漂移速度与电场的非线性关系,研究了In_(0.53)Ga_(0.47)As金属-半导体-金属光电探测器(MSM-PD)的光电响应与指状电极间距离、光吸收层杂质浓度及工作电压之间的关系。研究结果表明、光电响应速度存在最佳值。用计算机辅助分析得到的In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM-PD的光电响应时间与偏置电压的关系与实验器件实测结果相一致。研究结果为设计高速响应In_(0.53)Ga_(0.47)As MSM-PD及建立器件光电响应模型提供了依据。     

极低暗电流InGaAs MSM-PD的光电特性研究

本文首次采用双重肖特基势垒增强层技术，制作了InGaAsMSMS－PD光电探测器．实际结构表明：具有15nm的P－InP和100nmInP双重势垒增强层的器件极大地减小了暗电流，器件的暗电流均小于10nA，响应度为0．83A／W，FWHM为70ps，证明这是一种减小MSM－PD暗电流的有效设计方法．     

AlGaAs/GaAs异质结2-DEG的栅控特性和最挂掺杂

本文对MISS(金属-绝缘层-AlGaAs-GaAs)和MES(金属-AlGaAs-GaAs)结构异质结中二维电子气的栅控特性做了系统的理论分析.由此,给出与器件性质密切相关的平带电压和异质结各参量间的关系.值得指出,为了制造适宜于LSI中应用的增强型PET,应对AlGaAs进行最佳掺杂,而不用通常的均匀掺杂.文中也给出了这一最佳掺杂条件.     

用光注入电流衰减测量绝缘膜中陷阱的俘获截面

MOS结构中光注入时外电路电流特性与绝缘膜中陷阱俘获截面密切相关.本文给出了外电路电流的时间衰减关系.借此,可以方便地测量陷阱的俘获截面.该方法可以应用于非硅衬底的金属-绝缘膜-金属(MIM)结构中.     

GaAs DCFL电路研究

给出了对ＤＣＦＬ电路单元的研究，包括电路设计和用先进的Ｐ埋层自对准栅工艺制作电路的实验结果。表明它可以适用于大规模ＧａＡｓＤＣＦＬ电路的设计和制造。     

关于MOSFET饱和区有效迁移率减小的讨论

用精确的和多种近似的MOSFEI电流特性公式处理同一试样上测得的输出特性的转移特性,结果表明用近似公式I_(Dsat)=Z/L/2μ_(?)C_(8x)(V_G-V_r)~2算出的迁移率值比精确公式算得的伍小了30％左右,这种有效迁移率的减小是因为推导电流公式时忽略了衬底体电荷。处理线性区数据求迁移率的公式μ_(?)=gm/Z/LC_(cx)V_D可由精确公式直接导出,因此用这一公式算出的迁移率值与精确公式算得的值同样正确。     

Si离子注入GaAs的红外快速退火

研究了适用于GaAs离子注入材料的石墨红外快速热退火方法,对Si~+注入GaAs材料进行950℃,6秒快速退火。从测得的电学特性,DLTS和GaAs MESFET的研究结果表明,红外快速热退火工艺可获得高质量的有源层以及抑制电子陷阱EL2的外扩散。     

2千兆赫GaAs分频器设计

本文介绍了我国自行研制成功的GaAs 2千兆赫二分频分频器的设计。其试验电路测试结果表明该设计方法的可行性。     

具有势垒增强层的MSM光电探测器特性的模拟

无势垒增强型的金属－半导体－金属光电探测器（ＭＳＭ－ＰＤ）已有过理论分析，而对具有完全晶格匹配势垒增强层的ＭＳＭ－ＰＤ则缺乏理论分析，文章将具有安全晶格匹配势垒增强层的ＭＳＭＰＤ简化的为一维模型，并通过理论分析，得出了它的暗电流特性，其结果与实验的相符。     

P埋层GaAs MESFET研究

本文采用在半绝缘GaAs衬底中离子注入Be,于沟道有源层下引入P型埋层技术,制成P埋层GaAs MESPET(PB-GaAs MESFET).实验结果表明,PB-GaAs MESFET不仅使衬底上器件夹断电压的均匀性大为改善,而且使跨导增加,背栅效应减小.文中给出了PB-GaAsMESFET理论特性的计算和工艺设计.