Si和GaAs衬底上生成WN_x薄膜(英文)

WNx films with different composition are formed on Si(100) and GaAs (100) by the reactive rf sputtering in a mixed nitrogen-argon gas to study the influence of various conditions upon WNx film,- one of the most promising materials for self-aligned GaAs MESFET. With the increase of the partial pressure ratio of nitrogen gas or the decrease of sputtering pressure, the deposition rate of WNx film decreases and the atomic percentage of N in the film increaces until it is saturated. Annealing at high temperature in flowing H2 gas induces the decreace of atomic percentage of N in WNx film. After annealing at 900℃ for 30 minites in flowing N2 gas, WNx film formed at lower sputtering pressure is found to have W and W2N, and to have W, WN and/or W2N phase at a higher sputtering pressure. AES analysis shows no conspicuous diffusion after annealing. The electrical resisti vity of WNx film decreases by about 75% as compared with that of as-sputtered film.     

具有势垒增强层的MSM光电探测器暗电流的计算

将具有完全晶格匹配势垒增强层的MSM－PD简化为一维模型，并通过理论分析，得出了它的暗电流特性，进一步得到器件暗电流与势垒增强层的关系。     

平面交叉指状电极间电场分布

研究了具有金属－半导体－金属结构的探测器内部电场与其几何尺寸的关系，并求出使探测器内部电场的均匀性，稳定性达到最佳的几何条件。     

MOS集成电路及其发展状况

一、MOS集成电路的发展过程及其特点 半导体场效应器件的发展历史远比双极晶体管为早（双极晶体管于四十年代末出现）,大约在二十年代后期,人们就发现了“场效应”,并在三十年代初期出现了应用场效应原理工作的原始的场效应器件。     

用电导法测定Si-SiO_2低界面态密度和俘获截面

<正> 本文用国产仪器完成了电导法的测量装置,对氯化氢氧化的硅样品测量结果表明,能够可靠地获得界面态密度几乘 10~9cm~(-2)·eV~(-1)的测量数据和相应的俘获截面. 已知,N型衬底MOS电容中界面态的等效并联电导G_p为:     

双面Schottky势垒型GaAs粒子探测器特性

双面肖特基势垒型GaAs粒子探测器由半绝缘砷化镓材料制成,器件结构为金属-半导体-金属结构,该探测器能经受能量为1.5MeV、剂量高达1000kGy的电子、500kGy的γ射线、β粒子、X射线等粒子的辐照测试,辐照后器件击穿曲线坚挺,反向漏电流最低为0.48μA.器件的另一特征是其反向漏电流与X射线的照射量呈线性关系.该探测器在241Am(Ea＝5.48MeV)a粒子辐照下,其最大的电荷收集率和能量分辩率分别为45%和7%.在由90Sr(Eβ=2.27MeV)发出的β粒子辐照下,探测器有最小的电离粒子谱.该探测器对光照也有明显的响应.     

GaAs微条粒子探测器的辐照特性

设计了一种能经受高能粒子辐照的GaAs微条粒子探测器.该探测器结构采用金属-半导体-金属结构,其主要几何尺寸是:微条长度为17mm,宽度分别为20、50、100、200、300μm.该探测器在经受电子、中子、γ射线、X射线等高能粒子辐照后,表面金属光亮无损,反向击穿电压最高可达180V,在反偏电压80V时,反向暗电流密度低达31nA/mm2.探测器的最小条宽为20μm.     

GaAs IC逻辑门静态特性的分析

<正> GaAs数字电路具有高速数据处理能力,在高速、低耗VLSI中占有重要地位.由于单级逻辑门为其基本单元,敌研究它的特性有重要意义.已报道的设计方法中,采用等效电路模拟其电路参数.本文直接从器件的 Shockley模型出发,考虑到漏、源电阻(包     

半绝缘GaAs材料中的Si、Be双重离子注入

GaAs集成电路要求FET有一致的夹断特性,而半绝缘GaAs衬底的质量对Si全离子注入的MESFET有着重大影响。这是由于高阻衬底中的Cr在离子注入和高温退火后的再分布,注入后载流子分布出现翘尾,使部分器件呈现出异常输出特性,表现为夹断电压偏高,小电流时跨导偏低,难以获得均匀的夹断电压。在N型有源层之下,用离子注入工艺形成一个隐埋的P型层,可以大大改善夹断电压的均匀性。已有报道,通过在沟道层和衬底之间引入一P型层,亚微米栅GaAs MSFET的短沟道效应有效地被抑制了,背栅效应对于GaAs集成电路无疑是有害的,模拟计算也表明,使用近补偿的衬底材料或缓冲层可使背栅沟道电容减至最小。     

GaAs粒子探测器的能谱特性

阐述了具有 M- S- M结构的 Ga As粒子探测器在α、β粒子、光子、X射线辐照下 ,在室温时测得的能谱特性。对2 41 Am 5.48Me V的α粒子 ,其电荷收集率 (CCE)和能量分辨率 (FWHM)的最好结果分别为 45%和 7%。对 5 7Co 1 2 2 ke V的 X射线能量分辨率约为 30 %。该探测器对 90 Sr2 .2 7Me V的β粒子有最小的电离粒子谱。探测器在累积照射量为 1 3 k Gy的光子 1 3 7Cs(662 ke V)辐照下 ,辐照前后的电荷收集率无明显变化。诸多实验结果表明 ,该探测器具有较强的抗辐射能力