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101.
提出了一种新的方法对短沟道SOI MOSFETs亚阈区的二维表面势的解析模型进行了改进,即摄动法.由于在短沟道SOI MOSFETs中不仅需要计及不可动的电离杂质,而且需要考虑自由载流子的数量和分布的影响.利用摄动法求解非线性泊松方程可以得到短沟道SOI MOSFETs二维的表面势解析模型.通过与二维数值模拟器MEDICI模拟结果比较,证明了在亚阈区改进模型所得的结果比只计及不可动的电离杂质的SOI MOSFETs模型所得的结果吻合更好. 相似文献
102.
103.
金离子注入二氧化锆薄膜的单极电阻转变特性研究 总被引:1,自引:1,他引:0
The resistive switching characteristics of Au+-implanted ZrO2 films are investigated. The Au/Cr/Au+ -implanted-ZrO2/n+-Si sandwiched structure exhibits reproducible unipolar resistive switching behavior. After 200 write-read-erase-read cycles, the resistance ratio between the high and low resistance states is more than 180 at a readout bias of 0.7 V. Additionally, the Au/Cr/Au+-implanted-ZrO2/n+-Si structure shows good retention characteristics and nearly 100% device yield. The unipolar resistive switching behavior is due to changes in the film conductivity related to the formation and rupture of conducting filamentary paths, which consist of implanted Au ions. 相似文献
104.
光电编码器LED光源的准直 总被引:2,自引:1,他引:1
由于发光二极管(LED)光束的准直度对光电编码器性能影响很大,研究了LED光束的准直特性.分析了光源辐射角对光栅光通量的影响;运用图像旋转理论和频域分析方法,导出了莫尔条纹透光特性函数式,揭示了光源准直度参数对莫尔条纹函数特性的影响.获得了与光束准直度相关的不同透光缝宽度下的莫尔条纹仿真波形,分析了光源准直特性指标对莫尔条纹对比度以及光栅间隙的影响.理论计算结果表明,当透光缝宽度减小5 μm时,莫尔条纹图像的对比度下降17.66%,实验结果与理论仿真波形吻合,表明文中提出的莫尔条纹函数式可为高精度和高可靠性编码器没计和生产提供参考. 相似文献
105.
高压功率LDMOS的场极板击穿电压分析 总被引:1,自引:0,他引:1
提高 LDMOS的一个关键步骤是加场极板以降低其表面击穿电压。文中分析了加场极板后的 LDMOS击穿电压模式 ,指出了场极板的分压作用和场极板边界的影响 ,得到了其击穿电压的计算公式并用实验验证了公式的正确性 相似文献
106.
电荷俘获存储器中俘获层的研究进展 总被引:1,自引:1,他引:0
随着45nm和32nm技术节点的来临,传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。指出采用高k材料代替Si3N4作为俘获层已成为目前微电子材料研究的热点和趋势;着重对电荷俘获存储器的俘获层,包括对Si3N4掺O的无定形氧氮化硅(α-SiOxNy)俘获层、高k介质材料俘获层、植入纳米晶材料的俘获层及其叠层结构的研究现状和存在的问题进行了综述和分析,并对其进一步的研究趋势进行了展望。 相似文献
107.
108.
109.
提出了一种以酞菁锌(ZnPc)掺杂多壁碳纳米管(MWCNTs)作为声表面波(SAW)传感器的敏感材料用于室温下检测二氧化氮(NO2).通过超声振荡等方法将研磨的MWCNTs和ZnPc分散于N,N-二甲基中,然后运用微量移液器滴涂到SAW器件的敏感区.我们对ZnPc/MWCNTs薄膜用扫描式电子显微镜(SEM)进行了表面形态表征.实验结果表明,基于MWCNTs的ZnPc SAW器件能在常温下检测最低浓度为10-6的NO2.在3个月内对器件的灵敏度、稳定性、选择性也进行了评估. 相似文献
110.