一种基于ARM和Linux的超高频读写器设计

射频识别技术(RFID)是最近几年来发展最快的非接触自动识别技术,无论在理论上,还是在实际应用都非常理想.尤其是超高频(UHF) RFID技术,它具有读取距离远、识别速度快、识别多标签能力强等优点,广泛应用于高速公路不停车收费、物流管理、肉食品安全方面的货源跟踪、门禁考勤管理、机密文件管理等领域.文章以嵌入式技术为研究背景,结合软硬件开发平台,给出了一种基于ARM和Linux的超高频读写器设计思路.     

工程造价在项目管理中的应用探讨

工程造价的控制是贯穿项目管理全过程的重要组成方面,工程造价和项目管理之间是相辅相成的,合理进行工程造价控制,是加强项目管理的重要组成方面。从项目管理的各个阶段出发,阐述了工程造价的合理应用对项目管理的重要作用。     

唐代琵琶文化在《琵琶行》中的体现

白居易的《琵琶行》因其对琵琶的深入描写,引起了音乐人士对＂唐代琵琶＂的广泛关注,倘若对《琵琶行》诗文句句斟酌和剖析,呈现眼前的正是浓郁的＂唐代琵琶文化＂：广度上的流传普及;深度上的技艺高超;情感上的浓郁表现;演奏方式上的＂拨弹＂盛行和琵琶的较高地位等。     

802.1x认证技术分析及其在校园网中的应用

本文首先介绍了IEEE 802．1x认证协议的开发背景。然后重点对IEEE802．1x认证协议进行了技术分析。最后提出了IEEE802．1X协议在校园网建设中的应用建议。     

高功率850 nm宽光谱大光腔超辐射发光二极管

超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能。为提高半导体超辐射发光管的光谱宽度,采用非均匀阱宽多量子阱(MQW)材料拓宽超辐射器件的输出光谱。优化设计器件的波导结构,利用大光腔结构设计出高功率、低发散角850 nm超辐射发光二极管。采用直波导吸收区而后在器件的出光腔面上镀制抗反射膜的方法制作超辐射发光二极管。器件在140 mA时器件半峰全宽(FWHM)可以达到26 nm,室温下连续输出功率达到7 mW。器件的垂直发散角为28°,水平发散角为10°。由于器件具有比较小的发散角,与光纤耦合时具有比较高的耦合效率,单模保偏光纤耦合输出功率达到1.5 mW。     

基于FWO法与CR法的中蒙边境森林草原交错区沟塘草甸羊草热解动力学分析

以内蒙古自治区阿尔山市内沟塘草甸为研究区域,选取典型草本羊草为研究对象,运用热重分析法以通氧速率10、20、30 mL/min,在升温速率分别为40、80 ℃/min的条件下进行热失重行为研究。使用TG-DTG曲线分析样品的热解过程,利用Coats-Redfern（CR）积分法和Flynn-Wall-Ozawa（FWO）积分法对样品的快速热解阶段进行动力学分析,得出在不同氧气浓度下样品的热解活化能和指前因子并求得相应参数。结果表明羊草热解过程分为：失水阶段、快速热解阶段、炭化阶段。其中快速热解阶段为350～450 ℃,此阶段中升温速率越快,温度滞后现象越明显;通氧速率越快,温度超前现象越明显。热解过程及动力学参数分析表明,Flynn-Wall-Ozawa法更适用于羊草热解过程,引发火灾危险程度的通氧速率为：30 mL/min＞20 mL/min＞10 mL/min。     

蓝宝石衬底上透明Mg_xZn_(1-x)O薄膜的制备及表征

采用射频磁控溅射法在Al_2O_3(001)衬底上制备了高Mg含量的Mg_xZn_(1-x)O薄膜,研究了Mg_xZn_(1-x)O薄膜的结构和光学性能。结果表明:Al_2O_3(001)衬底上Mg_xZn_(1-x)O薄膜的组分为Mg_(0.47)Zn_(0.53)O,薄膜呈六方纤锌矿结构,薄膜沿c轴方向取向生长,且c轴方向晶格增大0.0029 nm。薄膜的吸收边峰值位于292nm,对应的禁带宽度为4.24ev。薄膜平均粒径约为10～20nm,在深紫外-可见光激发下的荧光发射峰分别位于320nm和400nm附近。     

一种降低半导体激光器接触电阻的有效方法

区域接触的好坏，对高功率半导体激光器至关重要。降低接触电阻，有利于降低阈值，提高效率和延长寿命。为此，我们做了大量的实验，找到了降低区域接触电阻的最佳工艺条件，获得了小于０．０６欧姆的最低电阻。     

850 nm有源区无铝高功率SCH-SQW激光器

设计并制作了条宽 10 0 μm ,腔长 1mm的有源区无铝高功率SCH SQW激光器 ,室温连续输出功率达 1W ,阈值电流密度为 46 0A/cm2 ,外微分量子效率为 0 6 8W/A ,激射波长为 849nm(腔面未镀膜 )。