毫米波半导体器件与其外延材料的发展

本文回顾了近年来飞速发展的毫米波半导体器件（如ＨＥＭＴ、ＨＢＴ、Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ、ＩＭＰＡＴＴ等）及相应外延材料的研究进展．     

用于硅双漂移雪崩二极管的n＋／np多层外延材料

硅双漂移雪崩二极管由于具有较高的输出功率和转换效率,是颇有发展前景的微波半导体功率器件。由于器件的性能主要取决于多层外延材料的掺杂分布,即每层浓度、厚度的精确控制及过渡区的宽度,而大功率器件又要求外延层缺陷密度尽可能的低,因     

高功率非对称大光腔半导体激光器的研制

研制了高功率非对称大光腔半导体激光器。脉冲阈值电流为4-5A,在工作电流为4倍阈值时,激光器单面输出峰值功率为10-12W,其灾变功率大于20W;得到了对称的远场光强分布;器件工作寿命大于1000小时。     

分别限制异质结激光器的特性研究

通过理论及实验研究了结构参数对分别限制异质结激光器的输出功率、阈值及束发散的影响,得到了最佳的设计参数。     

不同缓冲层对GaAs基In_(0.3)Ga_(0.7)As材料特性的影响

采用组分跳变和低温大失配缓冲层技术在GaAs衬底上外延了In0.3Ga0.7As材料。测试结果表明,采用组分跳变缓冲层生长的In0.3Ga0.7As主要依靠逐层间产生失配位错来释放应力,并导致表面形成纵横交错的Cross-hatch形貌;而采用低温大失配缓冲层技术则主要通过在低温缓冲层中形成大量缺陷来充分释放应力,并在后续外延的In0.3Ga0.7As表面没有与失配位错相关的Cross-hatch形貌出现。此外,仅需50nm厚的低温大失配缓冲层即可促使In0.3Ga0.7As中的应力完全释放,这种超薄缓冲层技术在工业批产中显得更为经济。     

硅外延中自稀释现象的研究

本文采用附面层模型,对硅外延中的自稀释现象作了理论分析,分析了生长速率、气体流速及外延生长温度等因素对自稀释的影响.提出了克服自稀释现象的几种方法.     

850 nm有源区无铝高功率SCH-SQW激光器

设计并制作了条宽 10 0 μm ,腔长 1mm的有源区无铝高功率SCH SQW激光器 ,室温连续输出功率达 1W ,阈值电流密度为 46 0A/cm2 ,外微分量子效率为 0 6 8W/A ,激射波长为 849nm(腔面未镀膜 )。     

MPLS技术在唐山有线电视综合信息网数据平台中的设计与应用

MPLS技术是一项具有多协议支持的技术，它综合利用了网络核心的交换技术和网络边缘的IP路由技术各自的优点，它将标记分配给多协议的数据桢以便在基于我展品信元的网络中传输。它能够提供现有传统IP路由技术所不能支持的要求保障QoS的业务，通过MPLS技术，我们可以提供各种新兴的增值业务，有效的实施流量工程和计费管理措施，扩展和完善更高等级的基础服务。     

唐山数据广播系统集成方案

本文介绍了唐山有线电视网络数字电视业务发展现状,并就最新开展的数据广播系统的原理和应用进行了讨论.简要介绍了目前正在编辑的信息页面.     

X波段硅里德型双漂移崩越二极管外延材料

采用全外延工艺，研制了Ｘ波段里德型双漂移崩越二极管所需πｐｎγＮ￣＋多层外延材料，分析了各过渡区的形成机理及减小其宽度的方法，实现了陡峭的杂质浓度分布。