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介绍了Ti0.75V0.24和Ti0.51V0.49两种合金及其氢化物的结构确定方法。研究了它们的吸氢性能,测得了吸氢的P-C-T曲线。该曲线分成两个主要区段:当H原子数与Ti—V原子数之和的比值小于1.0时,为氢气的固溶区,并近似遵从Sievert(希乌尔)定律;当该比值大于1.0后,有的曲线出现吸氢坪台区。分别计算了在固溶区和坪台区吸氢的热力学参数。 相似文献
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在金属氢化物热力学和动力学参数测试系统上分别对表面覆盖Pd膜的钛膜和表面有阳极氧化层的钛膜进行了吸附和解吸氘特性的研究,吸附氘气的研究包括恒温吸氘和变温吸氘。其研究结果表明:初始吸附氘气的速率随氧化层厚度的增加而变慢,吸附氘气达到平衡的时间越长;在相同的升温速率和相同的初始氘气压力下,明显吸附氘气的温度随氧化层厚度的增加而升高;阳极氧化层降低了热解吸反应的速率,提高了热解吸主峰位对应的温度;氧化层越厚的试样,其热解吸主峰位所对应的温度越高;钛膜和氘化钛膜表面阳极氧化层具有一定的阻氘性能,且阳极氧化层越厚,其阻氘性能越强。 相似文献
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处在H2气氛围下的氧化铝陶瓷受电子辐照时表面电导率会发生变化,这在某些应用中是非常重要的。本采用X射线光电子谱仪对阳极氧化法制备的氧化铝薄膜(厚度60nm)作了模拟研究。结果表明,原制备的样品存在有氧化铝和氢氧化铝2种化学状态,然而,经H2气氛围下荷能电子(5keV)辐照后,部分氢氧化铝态转变为氧化铝态。同时,样品表面的C污染将降低约1个数量组。经上述处理后,氧化铝样品的绝缘性能不会退化。 相似文献
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处在H2气氛围下的氧化铝陶瓷受电子辐照时表面电导率会发生变化,这在某些应用中是非常重要的.本文采用X射线光电子谱仪对阳极氧化法制备的氧化铝薄膜(厚度60nm)作了模拟研究.结果表明,原制备的样品存在有氧化铝和氢氧化铝2种化学状态,然而,经H2气氛围下荷能电子(5keV)辐照后,部分氢氧化铝态转变为氧化铝态.同时,样品表面的C污染将降低约1个数量级.经上述处理后,氧化铝样品的绝缘性能不会退化. 相似文献
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采用直流磁控溅射方法,通过分别改变衬底温度及He分压来制备不同氦含量的钛膜。利用PBS、XRD、TEM及AFM分别对钛膜中的He含量、平均晶粒尺寸及膜的表面形貌进行分析。结果表明:在不同温度范围内,温度变化对所制备钛膜中He含量的影响明显不同;He含量与晶粒尺寸直接相关,氦原子进入钛膜后,抑制了晶粒的长大;随着钛膜中He与Ti的原子个数比由1.0%增加到11.9%,TEM测得的平均晶粒尺寸由约35nm减小到约4nm;选择合适的He分压,能够制备出He含量较高的氦钛膜。 相似文献
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