提高多元胞结构半导体放电管浪涌能力的研究

讨论了半导体放电管能量损耗对其浪涌能力的影响.结果表明减小长基区宽度可以明显地降低器件的开通和通态能量损耗,从而有效提高器件的浪涌能力.     

半导体放电管多元胞结构模型

在半导体放电管的版面设计上提出了多元胞结构版图 .对多元胞结构“短路模型”进行了理论分析和实验验证 ,结果表明合理设计多元胞版图尺寸和 P基区薄层电阻可以改善器件的转折导通特性和提高器件的抗雷电浪涌能力 ,从而为简化半导体放电管生产工艺提供了依据     

基于RSD的可重复脉冲电源

提出了一种运用谐振原理的可重复RSD脉冲电源。分析电路的工作特性并对其重要元件磁开关进行了重点设计。给出了实验结果，并提出了几种改进电路参数的方法。     

半导体脉冲功率开关RSD的开通电压特性研究

RSD(Reversely Switched Dynistor)是一种晶闸管与晶体管相间排列的多元胞结构高速大功率半导体开关器件，该器件采用控制等离子体层触发的开通模式。文章从理论上推导出其最大开通电压，并研完了该电压与器件结构参数之间的关系，给出了降低器件功耗的方法。     

预充电荷对RSD开通特性的影响

RSD(Reversely Switched Dynistots)是一种晶闸管与晶体管相间排列的多元胞结构半导体开关器件；采用控制等离子体层触发的开通模式。从理论上分析了预充电荷对RSD开通特性的影响。给出了RSD的开通条件，实验结果与理论分析相符。最后，提出了几种改善RSD开通特性的方法。     

新型低损耗快速薄发射极晶闸管关断时间和通态压降的分析

本文利用非对称ｐｉｎ二极管模型，对新型多晶硅接触薄发射极晶闸管关断时间和通态压降之间的折衷关系进行了较为详细的理论分析和实验研究，并与常规结构进行了比较，数值计算和实验结果表明，在合适的薄发射区厚度和杂质总量下，不但关断时间较常规结构缩短约１．５倍的因子，而且通态压降也低于常规结构；更有意义的是，当ｎＢ基区少子寿命减小到合适值时，关断时间进一步缩短到常晶闸管的１／２．５～１／３，而通态特性没有恶化。     

聚酰亚胺与硅片粘附牢度的研究

本文针对聚酰胺与硅片粘附性问题进行了实验和考察,提出了一种新的提高其粘附牢度的方法,此方法就是通过使用简单方便的液相钝化方法,先在硅片表面上生长一层薄膜,再在生长的薄膜上用聚酰农副业 胺进行保护.     

大功率脉冲电源用超高速半导体开关RSD

新近开发出了用于大功率脉冲电源技术的新型超高速开关RSD，本文介绍了该器件的结构、开通机理、特性及测试实验结果。设计电流20KA、60KA、300KA，开通时间数十纳秒、断态重复峰值电压20～30KV的RSD堆已在实验室制出并在湖北襄樊仪表元件厂合作试生产。