IC缺陷轮廓多分形特征研究

IC真实缺陷轮廓曲线的形状特征对集成电路成品率预报及故障分析有重要影响。该文提出缺陷轮廓曲线具有多分形特征,以某一真实缺陷为例,用小波变换模极大(WTMM)的方法估计了其轮廓曲线参数方程的多分形谱,该结果为硅片表面缺陷的精细表征及其计算机模拟作了有益探索。     

一种有效的电路容错结构及其成品率分析

本文提出了一种有效的电路容错结构,给出了一种重组算法.按照这种重组算法,对该结构的成品率进行了分析,并给出了其成品率的表达式.最后,通过电路设计和分析说明了该容错结构的有效性.     

一种采用Replica控制PVT波动不敏感电荷传输电路的10位250MSPS电荷域流水线模数转换器

本文提供了一种低功耗电荷域10位250Msps电荷域流水线模数转换器（ADC）。通过采用基于BBD的电荷域流水线技术实现,使得ADC具有超低功耗;通过采用一种Replica控制PVT波动不敏感BCT电路,在不降低电荷传输速度的条件下抑制了PVT波动敏感性。采用0.18um CMOS工艺,在没有采用共模控制和误差校准技术的条件下,所实现的10位电荷域ADC在250MHz全速采样时对于9.9MHz正弦输入信号转换得到的无杂散动态范围（SFDR）为64.74dB,信噪失真比（SNDR）为56.9dB,有效位数（ENOB）达9.1比特,最大微分线性度（DNL）为 0.5/-0.5 LSB,最大积分线性度（INL）为 0.8/-0.85 LSB,并且在1.8V电源条件下整个电路功耗仅为45mW,整个ADC有源芯片面积为1.2×1.3 mm2。     

fT=140GHz,fmax=200GHz的超高速InP DHBT

InP/InGaAs/InP DHBT具有频带宽、电流驱动能力强、线性好、相位噪声低和阈值电压一致性好等优点成为研究热点。通过优化外延材料结构设计和采用四元InGaAsP缓变层消除集电结电流阻塞效应;改进发射极-基极自对准工艺和集电区台面侧向腐蚀工艺,降低Rb和Cbc乘积;优化PI钝化工艺和空气桥互联等工艺,实现了发射极面积为2μm×10μm的自对准InP/InGaAs/InP DHBT器件,其直流增益β约为25,击穿电压BVCEO≥7 V@10μA,在VCE=4 V,Ic=10 mA下,截止频率fT=140 GHz,最高振荡频率fmax=200 GHz,优于同一外延片上的非自对准InP DHB器件,该器件将可应用于高速光通信和微波毫米波通信。     

Breakdown voltage and current collapse of F-plasma treated AIGaN/GaN HEMTs

The breakdown and the current collapse characteristics of high electron mobility transistors （HEMTs） with a low power F-plasma treatment process are investigated. With the increase of F-plasma treatment time, the saturation current decreases, and the threshold voltage shifts to the positive slightly. Through analysis of the Schottky characteristics of the devices with different F-plasma treatment times, it was found that an optimal F-plasma treatment time of 120 s obviously reduced the gate reverse leakage current and improved the breakdown voltage of the devices, but longer F-plasma treatment time than 120 s did not reduce gate reverse leakage current due to plasma damage. The current collapse characteristics of the HEMTs with F-plasma treatment were evaluated by dual pulse measurement at different bias voltages and no obvious deterioration of current collapse were found after low power F-plasma treatment.     

IC可制造性设计基础与统计最优化方法

根据集成电路(IC)可制造性设计的概念,综合考虑电路制造的参数成品率极大,最优容差设计,调整设计和制造费用极小化问题,提出了建立在不可微规划框架上的统计最优化方法统一模型。该模型可包含目前确定性统计最优化的基本类型,为统计最优化的进一步发展开辟了新径。     

IC制造中真实缺陷轮廓模型的比较

本文对现有的ＩＣ制造中真实缺陷轮廓的建模方法进行了比较，得到了一些有意义的结果，该结果为进行有效的集成电路（ＩＣ）成品率预报及故障分析提供了有益的借鉴。     

超深亚微米P^＋栅PMOSFET中NBTI效应及其机理研究

本文深入研究了P^ 栅PMOSFET中的NBTI效应，首先通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化，基于这些实验结果提出了一种可能的NBTI效应发生机制：即由水分子参与的Si—SiO2界面处的电化学反应．最后从工艺的角度给出了减小和抑制NBTI效应的方法．     

非晶硅(a-Si)复合钝化层对改善低频噪声的作用

本文研究了由辉光放电(GD)方法制备的氢化非晶硅(a-Si:H)钝化膜对于降低集成电路低频噪声的作用。提出了一种较佳化的a-Si:H/SiN复合钝化层结构。实验表明,当频率f<10~3Hz时,采用复合钝化层的电路其等效输入噪声电压减少约一个数量级。同时对该复合钝化膜进行了可靠性试验。     

超深亚微米PMOSFET器件的NBTI效应

研究了超深亚微米PMOS器件中的NBTI(负偏置温度不稳定性)效应,通过实验得到了NBTI效应对PMOSFET器件阈值电压漂移的影响,并得到了在NBTI效应下求解器件阈值电压漂移的经验公式.分析了影响NBTI效应的主要因素:器件栅长、硼穿通效应和栅氧氮化以及其对器件寿命退化的作用.给出了如何从工艺上抑制NBTI效应的方法.