MOS器件多晶硅栅量子效应的解析模型

根据载流子分布曲线近似,通过求解泊松方程,对多晶硅中的量子效应进行建摸,得出了一个基于物理的解析模型,该模型仅仅通过两个拟合参数可以将多个分散的状态模型简化为一个统一的模型.利用该模型对阈值电压进行了计算,其结果与数值模拟结果相吻合,证明了该模型的正确性和准确性.     

基于MCS—51的脱机扫描仪控制器

本文提出一种基于MCS－51的能脱机使用并控制多种手持式扫描仪的控制器的设计方法。该电路适用于各种常见的100-400DPI的手持式扫描仪，可完成对扫描仪的各种扫描控制，如30秒关机、拖动速率的判断、分辨率及灰度判断等，并且用RS232C与PC机进行通讯，完成对扫描图象数据的进一步显示、分析和处理，便于携带，便于进行现场的图象文字扫描处理。     

硅／硅直接键合SDB硅片的减薄研究

研究了硅／硅直接键合ＳＤＢ硅片的精密机械／化学抛光减薄方法，进行了实验，分析了减薄后工作硅膜的平整性和膜厚的均匀性等重要技术指标，讨论了影响这些技术指标的因素。     

非均匀掺杂衬底MOST阈值电压的解析模型

用数值方法与解析方法相结合，导出了非均匀掺杂衬底ＭＯＳＴ阈值电压的解析模型。该模型在形式上类似于ＳＰＩＣＥ程序中的ＭＯＳＴ模型，但是所有参数都用数值方法处理过，因此是一个概念清晰、计算量小的高精度模型。该模型可用于电路分析程序。     

基于Contourlet变换的指纹图像增强

提出通过变换域进行指纹图像增强,对指纹图像进行多尺度多方向的Contourlet变换,通过估计噪声方差水平,对Contourlet变换域系数进行处理,保护边缘特征系数,抑制噪声系数,反变换重建达到去除噪声、增强图像的目的。实验结果表明算法效果良好。     

视频杂波的特点及测量方法

叙述了视频杂波的特点及对重现图像的影响，分析了在视频杂波测量中，如何限制被测杂波的频带，以及视频杂波功率谱的分布对图像的影响和人眼主观视觉特性，并引入视频杂波加权的概念。介绍了各种杂波的测量方法，重点叙述两种视频随机杂波的测量方法和应用范围。     

用阱作高阻漂移区的LDMOS导通电阻的解析模型

分析了一个用阱作为耐高压漂移区的LDMOS的导通电阻,提出了带有场极板的高阻漂移区导通电阻的计算公式,改进了双扩散沟道导通电阻的计算公式.针对一个LDMOS的例子做了计算,并将其与相同参数情况下用MEDICI软件模拟的结果作了对比.结果表明两者相差仅5％,这说明所得公式可用于该类型LDMOS的分析和设计.     

开关功率变换器中的间歇现象--理论分析

鉴于间歇分谐波与间歇混沌的产生可以从电路耦合滤波的角度进行合理的解释,则可以此为基础,用参数域上的分叉来映射时间域上的分叉,从而使得可以用一般的特征值分析方法(针对参数分叉)来实现变换器中间歇现象的分析(针对时间分叉),特征值、分叉图及最大Lyapunov指数均表明得到的研究结果与仿真及实验是完全一致的,这样便从理论上证明了变换器中间歇现象的产生是由于电路中耦合了寄生干扰信号这一设想.     

一种新的数值CV方法

本文分析了以往数值ＣＶ方法不收敛的原因及改进方法，提出了一种新的逐点反求多次循环的数值ＣＶ方法，它是根据测量ＣＶ数据用数值模拟反求杂质浓度分布的方法。实验证明此方法切实可行。     

硅片背面激光损伤的吸杂效果

本文介绍了硅片背面激光损伤吸杂实验,用金相显微镜观察证实了高温退火后激光损伤的热稳定性,研究了激光损伤对氧化层错(OSF)和载流子寿命的影响,用中子活化分析法测出了吸杂效果。