激光直写系统中的对准技术应用研究

基于ＩＳＩ－２８０２型激光直写系统原有基片的多图形对准方法，针对衍射光学元件（ＤＯＥ）图形的特点，通过设计合理的对准标记、修改对准识别文件和实验，产生了一套适于ＤＯＥ图形套刻的对准方案。其对准误差小，达到了系统规定指标。并实验研制出了１６位相台阶的ＤＯＥ，取得了良好的效果。     

制作石英二元衍射光学元件工艺研究

介绍在微电子加工工艺设备的基础上研究制作８位相台阶衍射光学元件（ＤＯＥ）的工艺方法。对光刻曝光、反应离子刻蚀（ＲＩＥ）等关键工艺进行了实验，得到有实用价值的工艺参数和数据。     

浅谈地下室的渗漏及防治

主要通过对地下室防水概念的理解,讨论了防水设计在实践中存在的主要问题,并提供了一些解决方法的建议,供工程设计者在实际工程计算时参考。     

高功率半导体激光器微光学光束整形技术

基于微光学光束变换系统方法,采用双微棱镜列阵、同轴“之“字形整形方法、反射棱镜阵列法等技术对准直光束进行折叠及光参数积匹配变换,实现光束的完全消像散;利用自行研制的大数值孔径连续非球面微透镜列阵、整形器件等核心微光学器件,实现了准直、聚焦和光纤输出等各种功能。形成了系统的半导体激光器光束整形变换技术,准直后光束发散角达到理论极限;成功获得高效率单芯径光纤耦合半导体激光器泵浦源。     

完全禁带二维光子晶体的研究

利用平面波展开法,对存在完全禁带的正三角排列的气柱型二维光子晶体和蜂窝状排列的介质柱型二维光子晶体进行了研究,分析了柱的半径和介质折射率对完全禁带大小的影响,结果表明,正三角排列气柱型比蜂窝状排列介质柱型具有更大的最大带隙率,而且最大带隙率还可以通过介质折射率的改变来优化;蜂窝状排列介质柱型二维光子晶体最容易加工的结构刚好适合常见材料硅或砷化镓,具有更大的实用价值.     

光刻胶烘培特性研究

通过研究光刻胶厚度与烘培过程中光敏混合物(PAC)浓度分布的关系,对光刻胶前烘模型进行了修正,得出了光刻胶内 PAC 相对浓度与光刻胶厚度、烘培温度和烘培时间之间的函数关系。设计了求解光刻胶激活能 E0和 Arrhenius 系数 Ar的实验方案,并以 AZ50XT 正型紫外光刻胶为例开展了实验研究。结果表明,对不同厚度的光刻胶,可以通过调整烘培温度或烘培时间达到所需要的 PAC 浓度。     

部分相干激光匀束器的设计及应用

传统激光匀柬器的设计是假设输人场为完全相干的，但对于准分子激光器等输出为部分相干场的光束匀滑并不适用。利用部分相干场的传输及衍射理论．开展了这一类激光器匀滑的方法研究。推导出部分相干场与完全相干场下激光匀束器的目标像面的关系式，总结出这一类器件的设计方法。仿真结果表明，上述方法设计的匀束器在全相干场下像面出现激烈的振荡，但在部分相干场下得到了理想的平滑输出强度分布。介绍了部分相干激光匀束器在新一代光刻机照明系统、材料加工、激光医疗中的应用前景。     

用反应离子刻蚀技术制作二元光学元件

介绍了利用反应离子刻蚀技术制作二元光学元件的原理和方法，给出了制作结果。     

根据信道特性优化OCDMA码片波形

提出一种根据信道特性优化码片波形的方法.该方法将全光信道视为滤波器,用回转椭球函数为基元函数展开表达滤波器的透过率函数,以功率谱密度(PSD)均匀为条件旨在取得最小干扰.采用Lagrange乘子法,求取用回转椭球波函数线性叠加表达的码片最优波形的解析表达.给出了系统模型及推导步骤,用K-L展开讨论其适用范围.     

基于工业以太网的265m^2烧结机自动控制系统

从系统网络结构、网络特点和控制功能等方面介绍了工业以太网在银前烧结生产中的应用方案和实现经验。