共沉淀法制备Bi3.25La0.75Ti3O12纳米粉体

用硝酸铋、硝酸镧和钛酸四丁酯为原料，硝酸、无水乙醇和去离子水为溶剂，氨水为沉淀剂，采用共沉淀法合成了单相铋层状钙钛矿结构Bi3.25La0．75Ti3O12(BLT)纳米粉体。用DTA／TG和XRD研究了BLT前驱体的热行为和晶相转化过程，用场致发射扫描电子显微镜观察了BLT粉体的颗粒形貌和大小的变化。结果表明：共沉淀前驱体溶液的配制过程中，硝酸铋水解生成的硝酸氧铋不利于层状钙钛矿结构BLT相的合成。利用浓度较高的硝酸作溶剂，可以防止硝酸铋的水解，采用氨基共沉淀法直接合成出了单一相的BLT纳米粉体，在煅烧过程中，未出现Bi2Ti2O3焦绿石相。700℃煅烧2h合成的BLT粉体颗粒不大于100nm，颗粒间结合疏松，具有良好的分散性。     

溶剂对溶剂热合成CdS纳米晶体的形貌控制

以溶剂热法在不同溶剂里的160℃下反应12 h制备不同形貌的CdS纳米晶粒,分别选用水(H2O)、二甲基甲酰胺(DMF)、乙醇胺(an)和乙二胺(en)为溶剂来控制纳米CdS的形貌和尺寸.对样品的结构和性能进行表征,重点分析了溶剂的物理性质和结构特征对CdS纳米粒子晶体结构、形貌和尺寸的影响,不同溶剂的作用机制不同,可通过选择合适的反应溶剂来控制纳米粒子的形貌和尺寸,以制备满足不同应用需要的纳米结构,尤其是性能独特的一维纳米结构.     

HPC修饰纳米二氧化钛薄膜的微观结构和光学性能

用羟基纤维素(HPC)作为添加剂,用溶胶-凝胶法制备了二氧化钛薄膜.用扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)观察不同HPC含量的二氧化钛薄膜的微观结构,研究HPC对膜的微观结构的影响机理.用X射线衍射谱(XRD)分析不同薄膜样品的晶格常数.用吸收光谱观察薄膜光吸收端随HPC含量的变化.发现HPC的加入阻碍二氧化钛晶粒生长和减小膜厚两方面导致了二氧化钛晶格畸变,进而引起薄膜光吸收端的蓝移.     

溶胶-凝胶法制备巨介电常数材料CaCu3Ti4O12

通过溶胶-凝胶法制备CaCu3Ti4O12干凝胶,再经700～900℃,6～10h预烧和950～1 100℃,16～20h烧结,成功制备了CaCu3Ti4O12粉体和CaCu3Ti4O12巨介电常数陶瓷材料.用X射线衍射、扫描电镜分别确定了样品的结晶性能和形貌.用阻抗分析仪在10～106Hz范围内测试了陶瓷样品的介电性能.结果表明:粉体的结晶性能与煅烧温度有关,陶瓷介电性能与其晶粒大小有关.相对于传统固相反应合成法制备的粉体和陶瓷,粉体的预烧和陶瓷的烧结温度都有明显降低,烧成温度至少降低100℃.在800℃预烧的CaCu3Ti4O12粉体并在1 100℃温度下烧结制备的陶瓷,其介电常数可达194753.     

超声喷雾热解法制备ZnO薄膜及性能研究

以醋酸锌水溶液为前驱体溶液,使用自制的超声喷雾热解系统在玻璃基板上制备得到了ZnO薄膜.经X射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)分析得到ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌.测试结果表明,ZnO薄膜为六角纤锌矿结构,在450～500℃下制备的薄膜显示出良好的结晶性能,并且沿(002)晶面择优取向生长,薄膜具有优良的均匀性和致密性.同时,制备得到的薄膜在可见光区也表现出80%以上的高透过率.     

原位复合钛酸铅/镍(铅)铁氧体复相粉体的制备研究

利用sol-gel法并通过原位复合方法制备了具有铁电性能的PbTiO3和具有铁磁性能的NiFe2O4和PbF12O19多相复合体系陶瓷粉体。利用XRD、SEM对多相复合体系的物相结构和形貌等进行研究。结果表明，在700℃以上则形成铁电（PbTiO3）/（NiFe2O4和PbF12O19）三相复合体系。热处理温度对多相复合体系晶相的形成和生长产生关键性作用，多相复合共存体系中形成的晶相多以固溶体存在，各固溶晶相的晶格常数随固溶量的不同而不同。     

基板温度对SnO2:Sb薄膜结构和性能的影响

以单丁基三氯化锡(MBTC)和 SbCl3 为反应原料,采用常压化学气相沉积法(APCVD 法)在不同的基板温度下制备 Sb 掺杂 SnO2 薄膜,用 XRD、SEM表征了薄膜的结构和形貌,通过测量薄膜的方块电阻、载流子浓度、霍尔(Hall)系数、紫外可见光谱等性质,详细研究了基板温度对薄膜结构和光电性能的影响。实验表明 550℃以上制备的样品为多晶薄膜,并保持四方相金红石型结构;在 650℃下沉积的薄膜具有最低的方块电阻值,为 72Ω/□;在可见光区域薄膜透射率和反射率随着基板温度的提高均有所下降。     

电子束蒸发制备氧化钨、氧化镍薄膜的电致变色性能

电致变色(EC)材料在外加电压作用下能可逆地改变其光学性能.其中氧化钨与氧化镍是典型的电致变色用材料.本文用电子束蒸发的方法在ITO玻璃基片上制备了此两种薄膜,研究了热处理工艺对薄膜结构与电致变色性能的影响.电致变色性能由电化学方法测试.封装的半固态智能窗器件具有很好的电致变色性能.     

HFPECVD法沉积BN薄膜及其生长机理的研究

本文介绍了用HFPECVD(hot filament plasma enhanced chemical vapor deposition)法制备BN薄膜.通过红外吸收谱和x射线衍射图谱分析确定,射频功率和反应气体(N2)气流量显著影响薄膜中立方相BN(c-BN)的相对含量.当射频功率小于200W时,薄膜中立方相的相对含量随它的增加而增大;而当射频功率大于200W时,则随它增加而减小.当N2气流量增加时,薄膜生长速率增加,但立方相的相对含量却减少.最后通过对不同沉积时间样品的红外吸收谱的分析对BN薄膜的生长机理进行了探讨.     

常压化学气相沉积方法制备非晶硅薄膜及其光致发光性能研究

使用改进的常压化学气相沉积(APCVD)系统制备了非晶硅薄膜,测量了样品的光致发光特性,使用Raman光谱和X射线光电子能谱(XPS)谱测量了薄膜的微结构特征.样品在523 nm出现发光峰,Raman光谱和XPS谱表明制备的薄膜结构中存在富氧相和富硅相的分相现象,分析认为相界面的存在是产生发光的原因.Raman光谱分峰结果表明薄膜中存在纳米晶粒.