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为了设计一款100 V体硅N-LDMOS器件,通过借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件衬底浓度、漂移区参数、金属场极板长度等与击穿电压、开态电阻之间的关系,最终得到兼容体硅标准低压CMOS工艺的100 V体硅N-LDMOS最佳结构、工艺参数.折衷考虑到了击穿电压、开态电阻这一对矛盾体以满足设计指标.通过模拟曲线可知该高压器件的关态和开态的击穿电压都达到要求,开启电压为1.5 V,而且完全兼容国内体硅标准低压CMOS工艺,可以很好地应用于各种高压功率集成芯片. 相似文献
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CMOS宽带线性可变增益低噪声放大器设计 总被引:1,自引:0,他引:1
文章设计了一种48MHz~860MHz宽带线性可变增益低噪声放大器,该放大器采用信号相加式结构电路、控制信号转换电路和电压并联负反馈技术实现。详细分析了线性增益控制、输入宽带匹配和噪声优化方法。采用TSMC0.18μm RF CMOS工艺对电路进行设计,仿真结果表明,对数增益线性变化范围为-5dB~18dB,最小噪声系数为2.9dB,S11和S22小于-10dB,输入1dB压缩点大于-14.5dBm,在1.8V电源电压下,功耗为45mW。 相似文献
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设计了一种差分输入限幅放大电路,详细分析了电路的结构.根据此差分输入限幅放大电路的结构,结合输入信号的特点,将其工作状态分为4种情况,并通过公式推导证明了它们的工作原理.运用Cadence的仿真工具对电路进行了逻辑仿真验证,仿真结果和理论推导结果一致.最后,提出了绘制此差分输入限幅放大电路版图时的注意事项,且将其应用于某总线驱动器的接收器电路中,并投片成功. 相似文献
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为保证垃圾渗滤液处理工艺出水的达标排放,膜生物反应器(MBR)工艺和纳滤(NF)深度处理工艺均需高效稳定地运行。MBR膜元件性能是保障高效泥水分离、满足NF进水要求的基本要素。试验结果表明,MBR工艺长期运行后,出水COD高于1500 mg/L,膜片表面受到氧化或者物理损伤,且膜元件受到污染,膜性能降低;NF工艺有效截留有机物是保证渗滤液出水达标的另一要素,进水混凝预处理可在MBR膜性能不稳定的情况下实现NF进水水质稳定,从而使渗滤液达标排放。当絮凝剂添加量为2 mL/L时,出水COD为1365.5 mg/L,满足NF进水要求的同时处理成本仅为0.68元/t。在MBR膜元件性能降低时,混凝预处理是保证出水达标排放的紧急补救措施。 相似文献
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以K2S2O8为S源制备S/TiO2催化剂,并通过XRD、SEM和XPS对制备的催化剂进行了表征。结果表明:制备的催化剂呈现出高结晶度和均匀的形貌,S不仅掺入到TiO2的晶格中,而且还以SO42-的形式固定在其表面上。采用制备的S/TiO2光催化降解色素生产废水生物降解出水,结果表明,在最佳参数条件下,经过150 min的模拟太阳光照射后,COD和色度去除率分别可达85.6%和95.7%。 相似文献
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介绍了国有企业常用的物资采购方式有公开招标、邀请招标、竞争性谈判、单一来源采购及询价采购等,从物资采购方式的含义、特征、适用条件及应注意的问题等方面作了一些探讨,以进一步规范国有企业物资采购方式的使用。 相似文献