铝合金碱性抛光液及其工艺条件

由于铝合金在碱性溶液中腐蚀速度极大,致使抛光时间不能过长;此外由于碱性溶液抛光后表面的光亮度不大,所以降低铝的腐蚀速度、提高抛光光度是碱性化学抛光的关键;作者对铝合金的几种新型碱性化学抛光液及其工艺条件进行了研究。试验结果表明：添加由硫脲（或钼酸铵或六次四基四胺）、硅酸钠、十二烷基硫酸钠构成的复合缓蚀剂能大大提高铝合金抛光质量,同时可抑制碱雾的产生。铝合金碱性抛光液的较佳配方与工艺条件为：NaOH300g/L,NaNO3 250g/L,硫脲20g/L,硅酸钠10g/L,十二烷基硫酸钠1．5－1．8g/L,温度60－70℃,抛光时间80－100s。     

不锈钢细长弯管化学抛光工艺的研究

研究了奥氏体不锈钢细长弯管的化学抛光液的组成及抛光工艺参数,讨论了抛光液的组成成分和抛光温度、时间对表面光洁度的影响.经过实验,筛选出一组化学抛光添加剂并找出最佳抛光工艺参数,抛光后细长弯管的表面光洁度能达到所要求的效果.     

不锈钢细长弯管化学抛光工艺的研究

研究了奥氏体不锈钢细长弯管的化学抛光液组成及抛光工艺参数,讨论了抛光液的组成成分和抛光温度,对间对表面光洁度的影响,经过实验,筛选出一组化学抛光添加剂并找出最佳抛光工艺参数,抛光后细长弯管的表面光洁度能达到所要求的效果。     

对以有机胺及氢氧化钠为介质的二氧化硅胶体抛光机理与工艺的探讨

抛光是半导体器件生产中的关键基本工艺之一。在现用的硅片抛光工艺中,公认以NaoH 为化学介质的 Sio_2胶体或悬浮液抛光,比“铬离子”抛光的表面要好,已被普遍应用。但其美中不足的是抛光液中有大量 Na~ 离子存在,抛光速度也不够快,这都是我们所不希望的。为此,我们首先对现行使用的以 NaoH 为介质的 SiO_2胶体抛光机理进行了初步探讨,然后按此机理,考虑以有机胺代替一般 SiQ_2胶体抛光液中的 NaoH,做了一些实验,得到的结果表明是较满意的。本文就上述有关问题,谈一点初步看法。     

海洋环境下混凝土的硫酸盐腐蚀机理

海水中存在的硫酸根离子传输至混凝土内部将导致其腐蚀破坏。针对矿粉掺量0~65%的C40引气混凝土进行海洋潮汐区、大气区和水下区腐蚀1~2 a,测试其水溶和酸溶硫酸根离子浓度分布;分析水泥净浆中的腐蚀产物类型及含量。试验结果表明：海洋不同腐蚀区带混凝土中硫酸根离子传输量及传输深度排序为：潮汐区 > 水下区 > 大气区。混凝土中反应硫酸根离子与总硫酸根离子的关系服从线性函数分布,反应量占总硫酸根离子量的90%以上,反应的硫酸根离子量随腐蚀龄期增加而增加。海洋潮汐区和水下区生成的腐蚀产物量高于大气区,主要是钙矾石和石膏;海洋大气区暴露混凝土的腐蚀产物为钙矾石。对于P.I.52.5水泥制备的C40混凝土而言,掺加65%的矿粉有助于提升混凝土抗海洋硫酸根离子侵蚀能力。     

微晶玻璃研磨抛光超光滑表面粗糙度的工艺研究

研磨抛光采用浸液式定偏心锡磨盘抛光方式,研究抛光液浓度、PH值、上下研磨盘转速、抛光时间等参数对微晶玻璃超光滑表面粗糙度的影响,粗糙度的测量采用NT1100干涉仪.实验结果表明:粗糙度受PH值影响比较大;试件在低浓度弱碱抛光液中,延长抛光时间可降低表面粗糙度值并获得高质量的表面,最终测得表面粗糙度为Ra=0.37 nm.     

电势对硅片摩擦电化学材料去除特性的影响

为了提高硅片抛光效率,改善抛光表面质量,采用电化学交流阻抗谱法实验研究了极化电势对硅片表面钝化作用的影响规律,结合摩擦电化学实验探讨了极化电势对硅片表面摩擦系数及材料去除特性的影响．结果表明,在碱性CeO₂抛光液中,对硅片施加1 V阳极极化电势能够促进其表面形成抑制腐蚀的钝化层,极化电势过高会破坏表面钝化层,过低则抑制钝化层形成．良好的硅片表面钝化层能够有效增大其摩擦系数,提高摩擦电化学实验过程中的材料去除率．     

(100)锗单晶片的位错腐蚀研究

为研究锗单晶的位错,根据湿法腐蚀的腐蚀原理,通过改变氧化剂、腐蚀液成分比例、腐蚀时间、腐蚀温度,分析锗单晶腐蚀抛光过程中各个条件对于腐蚀的影响。结果显示:锗单晶在高锰酸钾氢氟酸硫酸组成的体积比为10∶9∶1的酸性腐蚀剂中,温度为60℃时腐蚀120min就能达到抛光并显示位错的目的。采用湿法腐蚀必须同时存在氧化剂、络合剂才能达到很好的抛光腐蚀效果,在一定温度范围内(30~80℃)升高温度,腐蚀效果先改善后抑制,而腐蚀效果随着氢氟酸的加入量的增加而改善。     

磁流变抛光D型去除函数创成机制数值分析

磁流变抛光技术是超精密光学元件制造的最终工艺环节。为了进一步研究在磁流变抛光过程中,当工件的嵌入深度不同时,其去除函数对抛光区域内磁流变抛光液的压力、速度、密度的影响,作者通过开展数值计算对相关参数进行试验、分析,探明了在磁流变抛光过程中,其加工工件的嵌入深度不同对磁流变抛光液的压力、速度、密度的影响机制,得出了当加工工件的嵌入深度逐渐变深时,磁流变抛光液的压力会随其变深而增大、磁流变抛光液的运动速度相反会随其变深而逐渐减小、磁流变抛光液的密度会随其变深而逐渐增大的结论。     

微晶玻璃研磨抛光超光滑表面粗糙度的工艺研究

研磨抛光采用浸液式定偏心锡磨盘抛光方式，研究抛光液浓度、PH值、上下研磨盘转速、抛光时间等参数对微晶玻璃超光滑表面粗糙度的影响，粗糙度的测量采用NT1100干涉仪．实验结果表明：粗糙度受PH值影响比较大；试件在低浓度弱碱抛光液中，延长抛光时间可降低表面粗糙度值并获得高质量的表面，最终测得表面粗糙度为Rα=0．37nm．     

1Cr18Ni9Ti钢应力腐蚀破裂倾向实验研究

通过Ｕ形试件在４２％ＭｇＣｌ２沸腾溶液中的浸泡实验，探讨了１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ钢在供货、敏化和固溶三种状态下的应力腐蚀破裂倾向及碘离子的缓蚀作用。结果表明：①试件在固溶态时其应力腐蚀破裂倾向最小．供货态最大，敏化态居中；②碘离子对三种状态下的应力腐蚀均有显著的缓蚀作用。     

镍离子催化零价锌去除水中双氯芬酸

为了去除水中的双氯芬酸(DCF),研究了镍离子催化零价锌去除水中DCF的过程,探讨了镍离子投加量、溶液pH值、溶解氧质量浓度和旋转培养器转速等因素对DCF去除效果的影响。结果表明:镍离子可以有效催化锌粉去除水中DCF;镍离子的加入会加速锌的腐蚀并有利于生成活性氢原子,从而加快DCF的降解速率;随着镍离子投加量的增加,DCF的降解随之增快,当镍离子的浓度大于1.0mmol/L时,镍离子的增加不能显著加快反应速率;溶液pH值越低,DCF的降解越快,在弱酸性、中性和弱碱性条件下,DCF的去除效果较好;溶液溶解氧的质量浓度和较低的转速对DCF的降解无明显影响,较高的转速会抑制反应的进行。为去除水中DCF提供了一种新的方法,并为该方法的实际应用提供数据支持。     

非离子表面活性剂对铝在氨基磺酸溶液中被腐蚀的影响

文章考察了非离子表面活性剂对铝在氨基磺酸溶液中被腐蚀的影响。在溶液中非离子表面活性剂 (OP)的浓度为20～100ppm,氨基磺酸的浓度为0 .17～1 .00mol/L的范围内 ,随氨基磺酸的增加对铝的腐蚀速率不存在简单的线性关系 ;而随非离子表面活性剂 (OP)浓度的增加腐蚀速率有所降低。可见 ,非离子表面活性剂 (OP)的存在对铝在氨基磺酸溶液中的腐蚀有一定的缓蚀作用。     

铜及铜合金环保型化学抛光工艺新探

为满足铜及铜合金使用对表面处理的要求,研究了铜及铜合金化学抛光液的组成和抛光工艺．结果表明,HNO3-H2O2-H2O-稳定液组成的化学抛光液最优配方为体积比1：1：7：1,聚乙二醇用量为20．0g／L;最佳抛光工艺条件为抛光温度25℃、抛光时间12S．该配方及工艺具有组成简单、污染小、成本低廉、抛光快和易于操作的优点,对铜及铜合金进行化学抛光效果良好．     

蓝宝石磁流变化学机械抛光工艺研究

针对超光滑平面蓝宝石衬底片存在亚表层损伤的问题,文中利用磁流变抛光技术进行蓝宝石衬底片抛光以满足现有生产需要,研究了磁流变抛光中抛光压力、抛光盘转速、工件盘转速及抛光液温度等工艺参数对C向蓝宝石衬底片表面粗糙度和去除率的影响。采用正交实验方法获得了一组最佳工艺参数为:抛光压力为25 kg,抛光盘转速为40 r·min~(-1),工件盘转速为20 r·min~(-1),抛光液温度为38℃。研究结果表明:蓝宝石抛光后最优表面粗糙度R_a为0.31 nm,去除率达到2.68μm·h~(-1)。     

ULSI制备中SiO2介质的化学机械抛光

对超大规模集成电路（ＵＬＳＩ）制备中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件选择、抛光液成分与作用等进行了综述,对抛光浆料及抛光工艺中存在的一些难题进行了分析,对如何提高抛光速率、改善表面状况以及解决金属离子沾污等问题进行了讨论．     

锌铝合金溶射膜在食盐水溶液中的腐蚀行为及腐蚀速度

本研究使用旋转电极恒电位法测定了纯锌(99.99%)和纯铝(99.99%)及含有铝分别为5%、13%、15%、22%、30%的锌铝合金溶射膜的腐蚀电位和极化曲线。据根Mansteld法、借助电子计算机处理,求出各试样的腐蚀速度。实验证明锌铝合金有着与纯锌相似的极化行为;合金的腐蚀电位与纯锌接近并随着合金中铝含量的增加向贵的方向移动;锌铝合金有比纯锌更好的耐腐蚀性、含铝15%的合金耐蚀性表现最佳。     

非离子表面活性剂对铝在氨基磺酸溶液中被腐蚀的影响

文章考察了非离子表面活性剂对铝在氨基磺酸溶液中被腐蚀的影响。在溶液中非离子表面活性剂（ＯＰ）的浓度为２０～１００ｐｐｍ,氨基磺酸浓度为０．１７～１．００ｍｏｌ／Ｌ的范围内,随氨基磺酸的增加对铝的腐蚀速率不存在简单的线性关系;而随非离子表面活性剂（ＯＰ）浓度的增加腐蚀速率有所降低。可见,非离子表面活性剂（ＯＰ）的存在对铝在氨基磺酸溶液中的腐蚀有一定的缓蚀作用。     

磁流变抛光超光滑光学表面

研究了利用初始粘度达到0.5Pa·s、具有相对大范围稳定性的标准磁流变抛光液,并结合设计独特的公自转组合运动永磁抛光轮进行了试验,对抛光过程中的主要参量包括抛光轮与工件之间间隙、抛光轮与工件之间相对运动速度、氧化铈浓度及抛光时间对材料去除特性的影响进行了研究.磁流变抛光对工件(K9玻璃)表面粗糙度提高效果的抛光试验结果证明,该套系统具有良好的抛光特性,抛光28min后工件表面粗糙度由最初的10.98nm收敛到0.6315nm,获得了超光滑量级的抛光表面.     

硫系红外玻璃的抛光工艺研究

为研究锗砷硒(Ge22As20Se58)硫系红外玻璃的最佳抛光参数,比较了CeO2抛光液和Al2O3抛光液、聚氨酯抛光模和黑色阻尼布作为抛光垫时的优劣性。通过4因素3水平的正交实验,采用古典法平摆式磨抛技术研究锗砷硒玻璃的抛光工艺,使用Taylor Hobson粗糙度轮廓仪和Zygo Newview 8200对抛光后的锗砷硒玻璃表面粗糙度进行检测。研究结果表明:相比较于聚氨酯抛光模,黑色阻尼布作为抛光垫时玻璃未产生划痕,抛光时Al2O3抛光液的抛光效果优于CeO2抛光液,锗砷硒玻璃表面粗糙度可达2.59nm,得到了最佳抛光工艺。