聚合物白光发光二极管的研究进展

针对聚合物白光发光二极管(WPLEDs)在显示和照明领域广阔的应用前景,从器件结构和相关材料方面进行了讨论.从结构上将白光器件分为单发光层器件和多发光层器件;从发光材料的性质上将白光器件分为荧光器件、磷光器件和单一高分子白光器件.通过探讨各种器件的优势和不足,提出了各种器件的发展方向,并对WPLEDs面临的机遇和挑战做...     

底发射OLED中阳极形状对器件性能的影响

通过改变有机电致发光显示器件的阳极形状,制备了三种具有不同表面状态及形状阳极的器件,对它们的电流-电压、亮度、电流效率等特性进行了测试和分析．结果表明,阳极出光侧采用凹凸结构、且A1膜连续、致密,器件的亮度和电流效率相比于传统器件分别增加了40％和10oA．当阳极薄膜制备于凹凸面上时,器件性能较差．分析了三种器件性能差距较大的原因．     

ITO/NPB/Alq_3/LiF/Al电致发光器件光电特性

针对有机电致发光器件发光效率低、稳定性差的问题,设计制备了ITO/NPB/Alq3/LiF/Al多层有机电致发光器件.测试了器件的电流电压特性、器件的亮度电压特性、器件的电致发光光谱.结果表明,当外加电压为16V时,器件的电流达到最大值21.70mA,器件的亮度达到了11 700cd/m2;当外加电压为14 V时,电致发光光谱波峰位于528 nm处,归一化强度最大值为0.522 1a.u.制备的器件电子注入能力、电流和亮度均得到了增强.     

超分子光化学分子器件(PMD)的研究进展

介绍了超分子光化学分子器件的研究进展,讨论了四种具有代表性的能组成光化学分子器件的超分子体系,即光能转换分子器件、光分子开关、光分子导线、荧光探针及其它新型光分子器件.     

串行器件的发展与总线形式

针对串行器件的发展与应用 ,文中介绍了串行器件的通讯形式 ,各口线的作用 ,串行器件的种类、特点以及和单片机的连接方法 ,着重介绍了各种总线数据传输的时序关系。并对单口线器件的通讯形式做了简单介绍     

电荷耦合器件的象质评价技术

本文介绍了电荷耦合器件的工作原理,运用图象积分抽样理论,并利用刀口响应方法对电荷耦合器件象质进行了完整评价.用真频传递能力、混淆效应信息密度等示性参数准确表征了电荷耦合器件的成象特性,给出了线阵电荷耦合器件的测试结果。     

ORCAD器件库文件结构分析

对ORCAD软件的器件库文件进行了详细的分析,并具体讨论了器件库文件的五大组成部分:文件头;定位指针表;器件名称表;器件索引数据区和器件位图数据区 通过分析,笔者能够调用ORCAD器件库文件,完成电路图的设计和仿真     

声表面波MEMS器件的设计和制作工艺

为了探索声表面波器件制作工艺,在压电器件工作原理的基础上,通过设计声表面波器件的工作频率、叉指宽度、间隙及对数等器件参数,绘制了掩模板,对制作的声表面波器件进行测试,制作了不同叉指对数、孔径长度、中心距离的电极．实验结果表明：以石英为基底,使用EPG533型光刻胶在前烘温度为105℃,曝光时间为8S,显影时间为50S时获得了较理想电极图形和稳定的实验参数．     

城域CWDM系统的关键器件

介绍了光器件在粗波分复用系统中的应用,并与密集波分复用器件进行了比较,论述了这些器件在城域粗波分复用系统中的应用优势,指出该器件的进一步研发方向。     

静止无功发生器主电路器件的选择

首先叙述了静止无功发生器主电路的组成及其主要器件的用途,然后以额定容量15kVar、电压380V的静止无功发生器为例,阐述了其功率逆变器件、二极管整流器件、直流侧电容器件的选择方法．同时对15kVar的静止无功发生器进行数字仿真,结果表明,以该方法选择的主要器件组成的静止无功发生器,无功补偿效果好．     

正置倒置异质结有机小分子太阳能电池

以MoO3为阳极修饰层,以Rubrene/C60为活性层,制备了正置和倒置异质结有机小分子太阳能电池。实验结果表明倒置器件的开路电压Voc、短路电流密度Jsc、填充因子FF和功率转换效率η比正置结构的器件分别提高了34%、20%、25%和102%。当插入BCP阴极缓冲层后,阻挡了热的Al原子对C60层的破坏,对倒置器件的性能没有明显的影响,但却显著改善了正置器件的性能,并分析了MoO3和BCP对倒置和正置器件的作用。     

0.18μm CMOS工艺下的新型ESD保护电路设计

为了有效地保护0.18μm CMOS工艺下箝位器件的栅极,设计了一款新型的电源和地之间的静电保护电路.该电路在检测电路部分加了一个NMOS反馈器件,同时在检测电路的下一级使用了动态传输结构.反馈器件能够提高电路中各器件工作状态的转换速度,使得保护电路能够及时关闭,避免箝位器件栅极电流保持过长时间,保护了箝位器件的栅极.此外,该电路采用0.18μm CMOS工艺下的普通器件,节省了电路的成本.     

定时控制电器的可编程逻辑器件的实现

本文介绍利用可编程逻辑器件FPGA,设计一种器件少、可靠性高、实用性强的电器定量控制电器,详细阐述了其硬件原理、逻辑实现及可编程逻辑器件的设计思路。     

ZnO薄膜的制备及发光研究进展

ZnO作为一种新型的宽禁带半导体材料,具有优良的光电性能,在光电器件、压电器件、表面声波器件等领域具有广泛的应用前景。介绍了ZnO薄膜的制备方法及影响薄膜光致发光效果的不同因素。     

在系统可编程模拟电路器件

介绍美国 L attice公司生产在系统可编程器件系列的最新产品——在系统可编程模拟电路器件 isp PAC系列芯片的组成和性能特点。以 isp PAC器件替代传统的运放、有源滤波器等传统器件 ,几乎不必外接电阻电容等元件 ,并且具有优良的电路性能。应用 i Sp PAC器件能加快设计过程、降低产品制造成本、易于维护。研究 isp PAC应用电路 ,设计并验证了 isp PAC脉冲平衡调制电路 ,其性能良好。     

二维纳米机电谐振器高效制备

设计并实现了一种二维纳米器件多功能制备系统,该系统不仅能够完成二维材料的高效转移,还能够实现金属电极的准确淀积,从而实现二维器件的高效、一体化制备。利用该系统,成功制备了基于二维半导体的纳米机电谐振器,并对器件进行了机电谐振幅频特性的测试。研究结果表明,设计的二维纳米器件多功能制备系统在纳米谐振器制备与研究中极具潜力。     

长波长(1.0μm—1.7μm)InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD 的研究

为了适应光纤通信系统迅速发展的需要,设计制做了一种适用于长波长(1.0μm—1.7μm)范围的雪崩光电二极管。器件是通过在 InP 层中的雪崩倍增作用和在 InGaAs 层中的吸收作用以及在这两层中间置入的 InGaAsP 四元过渡层,从而得到器件低暗电流和高速率的工作。在精确分析了影响器件工作状态的各种因素之后,给出了器件的最佳的设计,用液相外延的方法制做出了器件,并对器件特性进行了分析。     

隧穿电流影响下的小尺寸电路设计

对于具有超薄的氧化层的小尺寸MOSFET器件,静态栅隧穿漏电流的存在严重地影响了器件的正常工作,基于新型应变硅材料所构成的MOSFET器件也存在同样的问题。为了说明漏电流对新型器件性能的影响,利用双重积分方法提出了小尺寸应变硅MOSFET栅隧穿电流理论预测模型,并在此基础上,基于BSIM4模型使用HSPICE仿真工具进行了仔细的研究,定量分析了在不同栅压、栅氧化层厚度下,MOSFET器件、CMOS电路的性能。仿真结果能很好地与理论分析相符合,这些理论和实验数据将有助于以后的集成电路设计。     

WDM网络多播中关键器件放置问题的研究

研究了在WDM网络中,分光器件和波长变换器件随机放置的情况下,两种器件的数量分别对于多播业务阻塞率的影响．从仿真结果可以得出,增加配置有波长变换器件节点的个数可以明显地降低阻塞率,而增加配置有分光器件节点的个数在某些情况下,会导致阻塞率的增加．并深入探讨了造成这些现象的原因．     

标准CMOS工艺栅控Si-LED设计与制备

采用新加坡半导体制备有限公司的0.35um EEPROM双栅标准CMOS工艺设计和制备了U型Si-LED发光器件。器件结构采用P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+叉指结构形成U型器件,外部的两个P+区为保护环,在相邻的内部两个P+区之间使用多晶硅作为栅极来调控LED的正偏发光。使用奥林巴斯IC显示镜测得了硅LED实际器件的显微图形,并对器件进行了电学的正反向I-V特性测量。器件在室温下正向偏置,在100～140mA电流下对器件进行了光功率的检测,发光峰值在1089nm处。结果表明,器件发光功率随着栅控电压偏置电流的增加而增加。