| 标准CMOS工艺栅控Si-LED设计与制备 |
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| 引用本文： | 杨广华.标准CMOS工艺栅控Si-LED设计与制备[J].上海电力学院学报,2010(5). |
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| 作者姓名： | 杨广华 |
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| 作者单位： | 天津大学电子信息工程学院;天津工业大学信息与通信工程学院; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助课题(60536030,60676038); 天津市基础研究重点项目(06YFJZJC00200,08JCZDJC24100) |
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| 摘 要： | 采用新加坡半导体制备有限公司的0.35um EEPROM双栅标准CMOS工艺设计和制备了U型Si-LED发光器件。器件结构采用P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+-P+-P+-N+-P+叉指结构形成U型器件,外部的两个P+区为保护环,在相邻的内部两个P+区之间使用多晶硅作为栅极来调控LED的正偏发光。使用奥林巴斯IC显示镜测得了硅LED实际器件的显微图形,并对器件进行了电学的正反向I-V特性测量。器件在室温下正向偏置,在100～140mA电流下对器件进行了光功率的检测,发光峰值在1089nm处。结果表明,器件发光功率随着栅控电压偏置电流的增加而增加。
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| 关 键 词： | 硅 发光器件 CMOS标准工艺 |
Design and fabrication of a gate controlled Si LED based on standard CMOS technology |
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| YANG Guang-hua.Design and fabrication of a gate controlled Si LED based on standard CMOS technology[J].Journal of Shanghai University of Electric Power,2010(5). |
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| Authors: | YANG Guang-hua |
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| Affiliation: | Electronic & Information School,Tianjin University,Tianjin 300072,China, Information & Communication Inst.,Tianjin Polytechnic University,Tianjin 300160, |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon LED standard CMOS technology |
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