三丁基锡氮杂环羧酸酯的合成及应用研究

以三丁基氯化锡和氮杂环羧酸盐为原料，合成了５种新型杀菌剂三丁基锡氮杂环羧酸酯（ｎ Ｃ４Ｈ９）３ＳｎＯ２ＣＲ（Ｒ＝吡啶基，吲哚烷基），所有产品收率均大于８５％。实验确定了较佳反应条件：三丁基氯化锡和氮杂环羧酸盐的摩尔比为１１．２，反应时间为５ｈ，反应温度为回流温度。样品经元素分析、红外光谱和核磁共振氢谱检测与目标化合物一致。对化合物进行了应用试验，结果表明，在质量分数为０．００５％时，这些化合物的杀菌活性为８８％～１００％。     

根据固溶体理论探讨锡铬红色料晶体结构和降低成本的途径

根据固溶体的理论探讨了锡铬红色料晶体结构,指出Ｃｒ＾４＋进入晶格取代Ｓｎ＾４＋形成有限置换型固溶体,同时也提出以ＴｉＯ２部分取代ＳｎＯ２作原料可降低成本。     

Sr—Bi—Ti系高压介质结构与性能的研究

研究了Ｄｙ２Ｏ３、ＭｎＯ２添加剂及工艺对Ｓｒ－Ｂｉ－Ｔｉ系高压介质显微结构及介电性能的影响规律。结果表明，适量的Ｄｙ２Ｏ３能提高介质的介电常数，ＭｎＯ２能降低材料的介质损耗，同时，试样的烧成温度及原料种类对介质的显微结构及介电性能也会产生影响。     

合成酯基锡化合物的新方法

合成酯基锡化合物的新方法酯基锡化合物（Ｒ＇ＯＣＯＣＨＲＣＨ）ｎＳｎＣｌ４－ｎ（ｎ＝１，２。Ｒ＝Ｈ，ＣＨ３。Ｒ＇＝烷基）是七十年代后期由英国Ｈｕｔｔｏｎ小组首先开发出来的一类有机锡化合物［１］，以它为中间体与巯基乙酸酯、硬脂酸、月桂酸等反应合成出了一类...     

纳米Si3N4-SiC(Y2O3)复合粉末的氨解溶胶-凝胶法合成

以硅溶胶、尿素和碳黑为原料,经氨解溶胶－凝胶、碳热还原法合成了纳米Ｓｉ３ｎ４－ＳｉＣ复合粉末。通过在硅溶胶中引入Ｙ（ＮＯ３）３,合成了Ｓｉ３ｎ４－ＳｉＣ－Ｙ２Ｏ３超细复合粉末,Ｙ２Ｏ３的加入有助于降低Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ的合成温度。采用ＸＰＳ和ＸＲＤ分析复合粉末中Ｙ的存在状态表明：一部分Ｙ固溶在Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ中,加有一部分以Ｙ２Ｏ３形式存在,Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＣ－Ｙ２Ｏ３复合粉末的烧结性能良好。     

液相原料制备PTC粉体及其性能研究

本文介绍了一种通过液相原料形式引入以草酸盐共沉淀来制备ＰＴＣ粉体的新方法。即ＢａＴｉＯ３、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｎＯ２、Ｙ２Ｏ３等均采用液相原料引入，然后用草酸进行共沉淀，通过灼烧制得ＰＴＣ粉体。用这种粉体制得的ＰＴＣ陶瓷，其晶粒均匀性和电性能都优于传统固相法制得的ＰＴＣ陶瓷。     

异辛酸亚锡中总Sn和Sn（Ⅱ）的测定

本文研究了ＫＩＯ３滴定法，ＥＤＴＡ络合滴定法和偏锡酸重量法测定异辛酸亚锡中总Ｓｎ（ＴＳｎ，ＫＩＯ３）直接滴定法和Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７间接滴定法测定Ｓｎ。     

锰对硅酸盐水泥熟料煅烧的影响

通过高温差热分析、ＸＲＤ、高温显微镜分析、ＳＥＭ、ＥＰＭＡ以及测定ｆＣａＯ等方法研究了ＭｎＯ２对硅酸盐水泥熟料煅烧的影响。试验结果表明,锰主要分布在中间相,随着ＭｎＯ２外掺量的增多,熟料中铁相含量增多,Ｃ３Ａ及Ｃ３Ｓ含量减少,液相大量出现的温度升高。当ＭｎＯ２掺量小于２０％,煅烧温度高于１４００℃时,ＭｎＯ２对生料的易烧性影响不大;当煅烧温度低于１４００℃时,ＭｎＯ２使得生料的易烧性变差。ＭｎＯ２外掺量越多,生料易烧性越差。ＭｎＯ２没有矿化作用,它的存在抑制了ＣａＦ２的助熔及矿化作用。     

钠在浮法玻璃成形中的物理化学特性研究报告：第一部分 玻璃液与锡液之间钠

在浮法玻璃成形过程中，对典型浮法钠钙玻璃液与锡液之间化学平衡的研究，是在现行作业条件下进行的。考虑到玻璃液中某些氧化物，如ＣａＯ，ＭｇＯ，Ａｌ２Ｏ３和ＳｉＯ２的热力学稳定性，它们并不参加“玻璃液－锡液”系统中的多相反应。然而，钠能从玻璃液跃迁到锡液中，锡能被氧化，并以氧化亚锡（ＳｎＯ）和氧化锡（ＳｎＯ２）溶于玻璃液中。有关“玻璃液－锡液”系统中，钠和锡反应的热化学资料，本文作了汇集。以此资料为基础     

CaO-SrO-TiO2-Bi2O3系统介电性能研究

对ＣａＯ－ＳｒＯ－ＴｉＯ２－Ｂｉ２Ｏ３四元系统的介电性能进行了研究。ＳｒＴｉＯ３和ＣａＴｉＯ３的不同配比可合成具有不同介电常数和温度系数的陶瓷材料。Ｂｉ２Ｏ３的添加可改善材料的介电常数和温度系数,添加ＭｎＯ２和ＣｅＯ２可进一步改善资料的性能。通过预先合在ＳｒＴｉＯ３加剂,获得了一系列性能优良的高频高介ＭＬＣ陶瓷材料,其ＭＬＣ适用性良好。     

烧结助剂对多孔氮化硅陶瓷的力学性能及介电性能的影响

通过添加烧结助剂,采用常压烧结工艺制备出不同气孔率(19%～54%)的氮化硅陶瓷.采用Archimedes法、三点弯曲法和Vickers硬度测试法测量了材料的密度、气孔率、抗弯强度及硬度.用X射线衍射及扫描电镜检测了相组成和显微结构.用谐振腔法测试了氮化硅陶瓷在10.2 GHz的介电特性.结果表明:材料具有优良的介电性能.随着烧结助剂的减少,样品中气孔率增加,力学性能有所下降,介电常数和介电损耗降低.添加Lu2O3所制备的氮化硅陶瓷的力学性能和介电性能优于添加Eu2O3或Y2O3制备的氮化硅陶瓷.当气孔率高于50%时,多孔氮化硅陶瓷(添加入5%的Y2O3或Lu2O3,或Eu2O3,质量分数)的抗弯强度可达170 MPa,介电常数为3.0～3.2,介电损耗为0.000 6～0.002.     

ZnO和Na2O对CaO-B2O3-SiO2介电陶瓷结构与性能的影响

研究了烧结助剂ZnO和Na2 O对CaO -B2 O3 -SiO2 (CBS)系微波介质陶瓷介电性能、相组成及结构特性的影响。烧结助剂ZnO在烧结过程中与B2 O3 及SiO2 生成低熔点玻璃相 ,有效地降低了材料的致密化温度 ,烧结机理为液相烧结。碱金属氧化物Na2 O虽然能够有效降低材料的烧结温度 ,但会破坏硅灰石晶体结构 ,引起材料微波性能显著降低。通过实验 ,制备出了具有优良微波介电性能的陶瓷材料 ,适用于LTCC基板及滤波器等高频微波器件的生产     

(Pb,La)(Zr,Sn,Ti)O3 陶瓷、锆锡钛酸铅镧/聚偏氟乙烯-三氟乙烯复合材料的介电性能

用固相烧结法,在1200℃烧结2．5h的条件下,制备了(Pb0.97La0.02)(Zr0.66Sn0.23Ti0.11)O3(PLZST)四方相陶瓷和陶瓷粉末,并将其与聚偏氟乙烯-三氟乙烯[polyvinylidene fluoride—trifluoroethylene,P(VDF-TrFE)]相复合制备了70％(体积分数)PLZST／P(VDF—TrFE)复合材料。用3～4MeV、剂量为60Mrad的电子束对PLZST陶瓷及其复合材料进行处理,测量其辐照前后的介电温谱,研究其弛豫性能的变化。结果表明：电子束辐照对PLZST陶瓷的介电温谱几乎没有影响,没有改变它的非弛豫特征;70％PLZST／P(VDF-TrFE)复合材料由于两相界面间的耦合作用产生微畴而具有弛豫特征,而辐照处理对P(VDF—TrFE)内部铁电宏畴的破坏使得其弛豫性能得到显改善,从而获得了一种良好的弛豫型复合材料。     

二氧化锡不同掺杂方式对钛酸钡介电性能的影响

研究了二氧化锡不同掺杂方式对钛酸钡介电性能的影响。采用固相法制备出掺杂比例为2mol%SnO2&BaO、2mol%SnO2和4mol%SnO2三组不同方式SnO2掺杂钛酸钡样品。结果表明,两种掺杂方式对钛酸钡的作用效果截然不同,SnO2-BaO共掺杂会以BaSnO3的形式固溶入钛酸钡晶格,从而增大其介电常数,减小居里温度,同时介电损耗不会增大;SnO2单独掺杂则会引入Sn4+杂质离子,造成钛酸钡介电常数的减小以及介电损耗的增大,导致介电性能的劣化。     

Dielectric Bodies in the Quaternary System BaTiO3–BaSnO3–SrSnO3–CaSnO3

Dense bodies were prepared of compositions in the quaternary system BaTiO₃–BaSnO₃–SrSnO₃–CaSnO₃ containing from 3 to 60 mole % stannate. The general effect of the stannate addition to barium titanate was to decrease the Curie temperature and broaden the peak. On a molar basis the three stannates were approximately equivalent in their effect on the dielectric properties of barium titanate, although the rate of shift of the Curie temperature was slightly greater when SrSnO₃ was used. Bodies containing calcium or strontium stannate had lower power factors than those containing barium stannate. Bodies compounded with calcium stannate matured most readily and at lower temperatures. Bodies having dielectric constants ( K ) of 2300 to 2800 at 1 kc. with low positive temperature coefficients up to about 55°C. were obtained with a 3 mole % addition of stannate. Bodies with minimum K 's of 3000 to 4000 at 1 kc. over the range 25° to 85°C. were obtained from BaTiO₃ with an addition of about 6 mole % BaSnO₃, SrSnO₃, or CaSnO₃. Bodies with negative temperature coefficients of K ranging from about 13,000 to about 1000 p.p.m. per °C. were obtained with stannate additions of from 10 to 60 mole %.     

La2O3掺杂SnO2陶瓷的烧结机理探讨

利用共沉淀法制备La2O3掺杂二氧化锡陶瓷。通过观察晶粒及晶界情况分析了烧结机理。结合相图指出在烧结初期以固体烧结为主,随着烧结的进行出现少量液相,进一步促进了烧结,在烧结后期从主晶相中分离出第二相。     

稀土氧化物对氮化铝瓷介电性能的影响(英文)

研究了添加Nd2O3和Er2O3对氮化铝陶瓷烧结性能、介电性能和显微结构的影响。结果表明:在氮化铝瓷中添加Nd2O3和Er2O3,有利于降低氮化铝陶瓷烧结温度,提高致密性,并且介电性能能够得到显著改善。添加3%(质量分数)Er2O3的AlN陶瓷的相对密度达98.8%,介电损耗为1.3×10-4,是纯AlN陶瓷的5%。其显微结构分析表明,氮化铝晶粒尺寸更均匀,并且其晶格参数更接近理论值,晶界相较少,从而使得其介电性能得到较大改善。     

单相钛酸镁微波介电陶瓷的制备和性能(英文)

以碱式碳酸镁和二氧化钛为原料,采用机械力化学法合成了超细MgTiO3粉体,研究了超细MgTiO3粉体的低温制备条件和单相MgTiO3陶瓷的介电性能.结果表明:高能球磨30 h后,原料趋向于无定形态,在700℃煅烧1 h后,可以得到单相MgTiO3粉体.MgTiO3粉体的烧结性能和MgTiO3陶瓷的介电性能的改善丰要是因为超细粉体具有较大的比表面积.在1400℃烧结3 h后,可以得到致密的微波介性能优良的MgTiO3陶瓷,介电常数和品质因数与谐振频率的乘积分别为16.94和4.8 × 10 4 GHz.     

SnO2基导电陶瓷靶材的制备及应用性能表征

为了获得高质量的SnO2薄膜,我们需要制备高密度、高导电的优质SnO2靶材。这里以分析纯的SnO2、Sb2O5粉体为制备原料,采用冷等静压加上常压烧结方法制备高导电性Sb∶SnO2(ATO)陶瓷靶材。用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析靶材的化学成分和微观形貌并系统研究了不同的成型压力对靶材电学特性和致密度的影响。结果表明:成型压力的大小对于ATO靶材本身的致密度及电学特性都有很大的影响。成型压力为15MPa时,ATO靶材的电阻率最小,为0.38Ω.cm;SnO2靶材的收缩率达10.71%,靶材的致密度为95%;靶材可在射频磁控溅射仪下正常工作,并成功在玻璃基片上沉积性能良好的高红外反射透明导电SnO2薄膜。此制备过程操作方便,工艺简单,降低了靶材的成本,从而能够大大扩大透明导电薄膜的应用领域。     

埋粉烧结对BaTiO3陶瓷性能的影响

将自制的水热法BaTiO3粉体干压成形后,分别进行无埋料烧结、Al2O3粉体做埋料烧结和母体BaTiO3粉体做埋料烧结,对烧结后陶瓷体的致密度、显微结构及介电性能进行了分析.结果表明:埋粉烧结对BaTiO3陶瓷体的性能产生显著影响;BaTiO3粉体做埋料时得到的瓷体密度高、晶粒小、电性能优良.