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从RMOS器件的导通电阻模型出发,通过分析导通电阻与栅氧化层厚度和槽深间的定量关系,得出:减薄栅氧化层厚度或增加槽的深度,可以降低器件的导通电阻和器件的反向耐压;反之,器件的导通电阻和反向耐压增加。同时,浅槽结构比深槽结构更理想。文中还讨论了器件的版图布局。结果表明,条形结构优于元胞结构。 相似文献
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本文提出了一种降低VDMOS导通电阻的新结构,从理论上分析了该结构在保证VDMOS器件击穿电压保持不变的前提下,可以降低VDMOS的比导通电阻约22%,同时该新结构仅需要在原VDMOS器件版图的基础上增加一个埋层,工艺可加工性较强。把该结构用于一款200V耐压的N沟道VDMOS器件的仿真分析,器件元胞的比导通电阻降低了23%,采用三次外延四次埋层的制作方式,器件的比导通电阻可以降低33%,该新结构在条栅VDMOS研制方面具有广阔的应用前景。 相似文献
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本文通过VDMOS的电参数来确定其结构参数。通过击穿电压来确定外延层的厚度和电阻率。通过阈值电压来确定栅氧的厚度。由饱和电流的表达式可知元胞的最大通态电流。导通电阻和击穿电压是两个相互矛盾的参数,增加击穿电压和降低导通电阻对器件尺寸的要求是矛盾的。 相似文献
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VDMOS的设计,讨论了其掺杂浓度以及外延层厚度和击穿电压的关系。导通电阻和并联元胞数量的关系。器件内等效电容和开关参数的关系。 相似文献
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对六角形单胞VDMOSFET的特征导通电阻建立了一种新的数学模型一等效截面模型。给出了特征导通电阻与器件的横向、纵向结构参数的关系,并将计算结果与常规模型和实际测量值进行了比较,与实验结果符合得很好。 相似文献
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为了研究杂质的吸收对光子晶体滤波器设计的影响,引入复折射率并利用特征矩阵法,计算了滤波透射峰的峰值和半峰全宽。滤波透射峰的峰值随杂质的消光系数增加而迅速减小,滤波通道透射峰的半峰全宽随消光系数增加而增大,滤波透射峰的峰值和半峰全宽都随吸收杂质的光学厚度的增加而减小。结果表明,设计光子晶体滤波器时,必须考虑杂质吸收这一重要因素,应选择消光系数小于0.002的掺杂材料,并且杂质的光学厚度应设计在2(λ0/4)左右。 相似文献
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宋弘 《电气电子教学学报》2001,23(6):93-95
介绍了将Authorware用于制作《电工学》课件过程和方法,该软件制作的课件具有良好的动态画面及特技效果、体系完整、操作方便、易学易用。 相似文献
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两种自适应杂波抑制技术的比较:AMTI及ADPCA技术性能的分析和比较 总被引:1,自引:0,他引:1
本文在讨论机载雷达地面杂波回波的基础上,分析了AMTI和ADPCA系统的性能。对这两个系统从原理上,并利用计算机模拟结果及实验结果进行了比较。本文将有助于工程实现。 相似文献
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近红外光谱技术在水果品质无损检测中应用的研究与现状 总被引:6,自引:0,他引:6
简单概述了我国水果产业的发展现状,着重阐述了国内外利用近红外光谱技术进行水果品质无损检测的最新研究进展,分析了当今研究中存在的问题,并对利用近红外光谱技术进行水果检测的前景进行了展望,提出了一些建议。 相似文献
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水的光学特性对光学成像质量有着重要的影响,水对光的吸收、散射作用可造成光在水介质传播中的衰减,本文就水的光学特性及其对水下光学成像质量的影响进行了分析,以为成像系统在水下的应用提供基础的理论依据。 相似文献
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中文电子签名认证的预处理技术研究 总被引:1,自引:0,他引:1
谢晓飞 《微电子学与计算机》2006,23(7):163-164,167
中文电子签名认证的预处理技术包括阈值技术、字切分和规范化。文章对这几种技术进行了全面的分析,并给出了相应的实验结果。 相似文献
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基于星载差分吸收光谱仪转动部件控制需求,设计了星载光谱仪转动部件的测试系统。采用微动开关复位加定步的电机运动方式实现电机的精确定位。采用脉冲调制(PWM)的方式实现驱动电流的精细调节。并搭建平台对系统进行重复性测试,实验结果表明,测试系统具有较高的可靠性和稳定性,能够满足光谱仪的精确定位要求,使电机在工作寿命内按计划完成定标工作。 相似文献
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近年来,在线学习掀起了一场席卷全球的教育革命,MOOC/SPOC、翻转课堂、混合式教学对高等教育带来了前所未有的冲击。电子技术基础实验课程地位特殊,传统教学方式已无法满足创新性人才培养的需要,文章从其教学特点出发,提出了“线上教学+自主实验+翻转课堂”的混合式教学模式,同时还阐述了与此密切相关的集约化线上教学资源平台、智能化翻转教学环境以及多元化过程性考核评价机制三个重要环节。经研究发现,学生的课堂主动参与度、自主学习能力、创新思维能力、动手实践能力以及教师的教学创造力得到全面提升。教学环境支持课堂互动和全周期教学行为数据采集,体现了教学过程的信息化、教学实施的精准化和教学评价的客观化,实现了信息技术与实验教学的深度融合。 相似文献