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| 高压VDMOS的设计 | |
| 引用本文： | 郝晓波.高压VDMOS的设计[J].数字技术与应用,2010(8):101-102. |
| 作者姓名： | 郝晓波 |
| 作者单位： | 西安卫光科技有限公司,陕西西安710065 |
| 摘 要： | 本文通过VDMOS的电参数来确定其结构参数。通过击穿电压来确定外延层的厚度和电阻率。通过阈值电压来确定栅氧的厚度。由饱和电流的表达式可知元胞的最大通态电流。导通电阻和击穿电压是两个相互矛盾的参数，增加击穿电压和降低导通电阻对器件尺寸的要求是矛盾的。 |
| 关 键 词： | VDMOS 结构 设计指标 版图 |
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