空心球陶瓷粉填充PTFE基复合基板的制备及性能

为制备低介电常数低损耗微波复合介质基板材料,采用压延工艺,以空心球陶瓷粉为填料制备了聚四氟乙烯(PTFE)基复合基板,系统研究了空心陶瓷粉含量对PTFE基复合基板微观结构和综合性能的影响。结果表明,随空心球陶瓷粉含量的增加,PTFE基复合基板材料断面形貌出现空心球破碎的现象,相对密度逐渐降低,介电常数和介电损耗先降低后升高,吸水率逐渐升高,抗剥离强度呈现下降趋势。当空心球陶瓷粉质量分数为31.3%时,空心结构完整,PTFE基复合基板介质层的密度为1.302 g/cm~3;相对介电常数和介电损耗均最小,分别为1.9659和6.06×10~(-4);吸水率为0.2%,抗剥离强度为2.725 N/mm。     

干燥工艺对微波复合介质基板性能的影响

该文采用聚四氟乙烯(PTFE)树脂为基体,熔融SiO_2作为填料,通过机械混合、压延成型、热压烧结工艺制备出高频高速电路用微波复合介质基板,重点研究了采用不同干燥工艺对复合物结构、微波介电性能的影响。实验表明,采用旋转蒸干工艺对复合物进行处理时,可在较短的时间内去除有机物质,并能使无机填料与聚合物分散均匀。经热压烧结后,所得基板相对介电常数为2.92~2.94,损耗因子为1.3×10~(-3)。     

微波复合介质板的介电性能验证研究

以国外某公司的微波复合介质基板测试数据为参考,采用50Ω阻抗匹配电路测试了介电常数为2.94的某国产微波复合介质板在10 GHz下的驻波、插入损耗。测试结果表明,国产微波复合介质板的介电性能满足电路使用要求。高低温环境下的性能测试结果表明国内板材的一致性略逊于国外产品,仍需对制备工艺的稳定性、一致性进行改善优化。     

不同偶联剂对PTFE/CaTiO_3复合材料性能的影响

以钙钛矿结构的陶瓷粉为填充材料,分别采用不同种类的硅烷偶联剂对其进行改性处理,然后与聚四氟乙烯乳液球磨混合,最后通过压延成型和热压烧结制备成微波复合介质基板。该文分别对基板进行了吸水率、密度、介电性能和扫描电镜(SEM)测试表征,测试结果表明,经Z6032硅烷偶联剂处理的陶瓷粉制备的复合介质基板性能最优,在10GHz下,其介电常数为9.5,介电损耗低至2.1×10-3,剥离强度达到了2N/mm。     

微波复合介质基板性能研究

采用微扰法、螺旋圆柱谐振法和带状线谐振法分别对聚四氟树脂复合精细电子陶瓷微波复合介质的复介电常数进行了测量与误差分析。基于扫描电子显微镜 (SEM )观察 ,从微观上解释了辊压工艺对介质介电性能一致性改善的原因。研究了不同的表面处理方法对基板金属化剥离强度的影响规律。     

热压温度对PTFE/GF复合基板性能的影响

采用热压工艺制备聚四氟乙烯/玻纤布微波复合介质基板。系统研究了热压温度对聚四氟乙烯/玻纤布复合基板吸水率、介电性能、热膨胀系数及显微结构的影响。采用差示扫描量热法研究玻纤布对聚四氟乙烯的热行为影响。采用矢量网络分析仪对聚四氟乙烯/玻纤布复合基板介电性能进行测试,发现370℃热压的样品具有较低的介电常数与介电损耗(εr=2.2,tanδ=8.7×10-4)。采用热机械分析法(TMA)测量不同热压温度制备的聚四氟乙烯/玻纤布复合介质基板z轴的热膨胀系数,发现370℃时热压制备的复合介质板具有最低的热膨胀系数(CTE=160.1×10-6/℃,1~100℃)。     

带状线法测量微波材料的复介电常数

精确测量低损耗微波材料的复介电常数十分重要。利用带状线法测量微波介质基板常温和变温的复介电常数,得到了高精度的测试结果。结果表明了用带状线法测量低损耗微波介质基板复介电常数的有效性和准确性。还分析了带状线测试方法中产生的误差和应该注意的事项。     

AlN多层基板的研制

MCM技术推动了现代微电子技术迅猛发展,已广泛应用于各种通讯系统的收发组件之中。AIN基板作为MCM技术多层基板主流之一,由于其高热导率、与硅片匹配的热膨胀系数、高介电常数、兼容各种芯片组装工艺的优点,在各个领域均获得了广泛的应用。文章结合一个微波组件AIN基板的研制,阐述了在AIN基板研制过程中解决的工艺难点,如粉料配制、流延、层压、烧结等,对研制的AIN基板进行了物理性能与电性能测试,结果表明AIN基板完全可以满足大功率毫米波／微波组件的实用化要求。     

K_2O-B_2O_3-SiO_2/Al_2O_3 LTCC复合基板材料性能研究

采用K2O-B2O3-SiO2玻璃与Al2O3复合烧结,制备了K2O-B2O3-SiO2/Al2O3低温共烧陶瓷(LTCC)复合基板材料,研究了不同组分含量对体系微观结构和性能的影响。结果表明,复合基板材料的相对介电常数εr和介质损耗均随着Al2O3含量的增加而增加,当Al2O3质量分数为45%时,复合基板材料的介质损耗为0.0085,εr为4.55(1MHz)。抗弯强度可达到160MPa。     

高速、高频PCB用基板材料评价与选择

基板材料在发展高速化、高频化PCB技术与产品中占有越来越重要的地位。低介电常数性与低介质损失因数,是PCB基板材料实现高速化、高频化的重要性能项目。本文对不同树脂的基板材料介电常数性与低介质损失因数作以比较,并对它们与频率、温度、湿度、特性阻抗控制精度等的关系作了论述,使得在PCB制造中,能达到对这些基板材料正确合理的选择。     

Ba2Ti9O20/PTFE微波介电复合材料的制备及性能

采用粉末冶金工艺制备了以微波介质陶瓷Ba2Ti9O20微粉增强PTFE的微波基片复合材料。研究了陶瓷微粉含量对其介电性能的以及介电性能的频率和温度特性，并用介质混合法则对其介电常数进行拟合分析。发现某些组分的Ba2Ti9O20／PTFE复合材料的介电常数和介电损耗具有良好的频率和温度稳定性，拟合结果与实验测试结果一致性较好。     

微波烧结法制备Ba0.65Sr0.35TiO3热释电陶瓷

采用溶胶－凝胶工艺制备了（Ba,Sr)TiO3凝胶，并利用微波烧结技术对粉体进行了合成和烧结，获得了晶粒尺寸在1μm以内的Ba0.65Sr0.35TiO3热释电陶瓷。对样品的介电特性和热释电特性进行了测试，分析了微波烧结工艺对材料电性能的影响。实验结果表明：该工艺可将钙钛矿相的合成温度由1100℃降低至900℃，并在1310℃烧结25min获得细晶粒的Ba0.65Sr0.35TiO3，其热释电系数和介电常数与传统陶瓷相差不大，从而材料的热释电响应优值因子要比传统方法获得的样品提高了近1倍。     

一种内埋式电容器用钛酸钡/环氧复合材料的研制

基于钛酸钡和丁腈橡胶的高介电常数特性,研制了一种可用于内埋式电容器的钛酸钡/环氧复合材料.以丁腈橡胶作为添加剂,用共混法制备钛酸钡/环氧复合材料,探讨了钛酸钡和丁腈橡胶含量对复合材料介电常数、介电损耗因子、体积电阻率及击穿电压等介电性能的影响.实验结果表明,丁腈橡胶可以提高钛酸钡/环氧复合材料的介电常数.在钛酸钡体积分数为40%时,通过添加15%的丁腈橡胶,复合材料的介电常数可从25提高到41,体积电阻率达1011Ω·m,击穿电压达8 kV/mm,而介电损耗因子仍小于0.02.为工业化低成本生产内埋式电容器材料提供了一种新的方法.     

微波介质陶瓷介电常数测量的简单方法

应用等效网络法分别测量了空气、聚四氟乙烯及微波介质陶瓷材料片状试样的介电常数。理论分析计算与实验结果表明,该方法在无损测量片状微波介质陶瓷材料试样的介电常数中是可行的,且有模型简单、计算量小、精度较高及操作容易等特点。是一种无损测量片状微波介质陶瓷材料介电常数的简单方法。     

压电复合材料PT－P（VDF／TeFE）的静水压压电性

用热轧辊机制备了压电复合材料ＰＴ－Ｐ（ＶＤＦ／ＴｅＦＥ），并利用ＬＣＲ电桥和Ｂｅｒｌｉｎｃｏｕｒｔ电路分别测量了其介电常数和压电常数，实验结果表明它具有良好的静水压压电特性。最后讨论了该复合材料在水听器中的应用     

ZrW_2O_8/E—51电子封装材料电学性能研究

采用具有负热膨胀特性的ZrW2O8粉体和SiO2粉体分别作为填料制备E—51环氧树脂电子封装材料。测试了填料对封装材料的相对介电常数、介质损耗、阻温特性和电击穿场强等电性能的影响。结果表明:在相同含量下,ZrW2O8填料效果好;随ZrW2O8量的增加,介质损耗不断减小,ZrW2O8与E—51的质量比为0.7∶1时,相对介电常数最大;在室温~163℃范围内,ZrW2O8/E—51的电阻率稳定在3.03×106?.m,电击穿场强均大于10 kV/m。     

A Simple Technique for the Accurate Determination of the Microwave Dielectric Constant for Microwave Integrated Circuit Substrates (Correspondence)

A method of determining the microwave dielectric constant of microwave integrated circuit substrates is described. The technique is especially suitable to substrates being prepared for MICs since they are, in general, regular, rectangular, and, therefore, simple resonators. The dielectric constant using this technique has been determined in the 2- to 12-GHz range for GaAs (/spl epsiv/R = 12.46), sapphire (/spl epsiv/R =9.37), polyguide (/spl epsiv/ =2.33), and Alsimag 772 (/spl epsiv/R = 10.08).     

SiO2含量对PTFE/SiO2复合材料性能的影响

采用类似于粉末冶金工艺,制备了无定形SiO2填充聚四氟乙烯(PTFE)复合材料,并对其进行了热、介电性能测试和SEM分析表征。系统研究了(1-x)PTFE-xSiO2(x为质量比)复合介质材料中,不同x值(x=0.35,0.40,0.45,0.50,0.55)对材料结构和性能的影响。结果表明,复合材料的密度随着SiO2含量的增加而减少,吸水率、热膨胀系数、介电常数和介电损耗随着SiO2含量的增加而增加。当SiO2质量分数为50%时,PTFE能很好地在SiO2表面形成一层包覆层,此时复合材料具有合适的热膨胀系数(17μ℃-1)、介电常数(2.74)和低介电损耗(0.002)。     

Effects of ${hbox{CNT/BaTiO}}_{3}$ Composite Particles Prepared by Mechanical Process on Dielectric Properties of Epoxy Hybrid Films

A new type of composite filler mechanically treated with multi-walled carbon nanotubes (MWNTs) and (BT) particles was prepared to produce higher dielectric properties in the composite. The hybrid film fabricated by incorporating these composite fillers in an epoxy matrix had a high dielectric constant and similar dielectric loss as compared to the composite which contained neat BT particles. The dielectric properties of these hybrid films were found to be dependent on both the content of MWNTs and mechanical processing time. Results suggest that this novel hybrid film composed of the composite filler and the epoxy matrix can be used for embedded capacitor material.